基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法及记录介质制造方法及图纸

技术编号:35055199 阅读:16 留言:0更新日期:2022-09-28 11:01
本发明专利技术涉及一种基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种能够对在基板支承部的基板载置面内的外周部分较薄地沉积的膜进行清洗的基板处理装置。基板处理装置具备:对产品基板进行处理的处理室;设于处理室内、且具有供所述产品基板载置的基板载置面的基板支承部;在基板载置面载置有产品基板的状态下向处理室供给处理气体的处理气体供给部;以及在基板载置面载置有虚设基板的状态下供给清洗气体的清洗气体供给部,虚设基板构成为在支承于基板载置面的状态下虚设基板的外周不与基板载置面接触。的外周不与基板载置面接触。的外周不与基板载置面接触。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法及记录介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法、以及记录介质。

技术介绍

[0002]有对载置于基板支承部之上的产品基板(半导体晶片)进行成膜的基板处理装置。在这种基板处理装置中,在成膜时,基板支承部的不与产品基板接触的面与产品基板上同样地,产生了薄膜沉积。为此,提出了对基板支承部(基板放置台、基座)进行清洗的技术(例如,专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:JP特开2005

353619号公报

技术实现思路

[0006]在基板支承部的基板载置面中,不与产品基板接触的面(非基板接地面)与产品基板上同样地产生了薄膜沉积。另一方面,在基板支承部的基板载置面中,在基板支承部的与产品基板接触的面(基板接地面)没有产生薄膜沉积。因此,有时在以相同方式清洗了基板支承部的非基板接地面与基板接地面这两方表面的情况下,会在基板支承部的基板接地面产生过度清洗。
[0007]另一方面,由于在基板接地面的外周部分处理气体没有被完全隔断,所以在基板接地面的外周部分逐渐产生薄膜沉积。在将具有与产品基板相同的外观形状的虚设基板载置于基板载置面并实施了清洗的情况下有如下的课题:在与虚设基板的背面接触的基板接地面的外周部分沉积的膜难以通过清洗来除去,因此会产生颗粒。
[0008]本公开的课题在于,提供一种能够对在基板载置面内的外周部分较薄地沉积的膜进行清洗的技术。
[0009]其他课题和新特征能够根据本说明书的描述以及附图而变明朗。
[0010]若简单说明本公开中的具有代表性的概要,则如下所示。
[0011]即,提供一种技术,其具备:对产品基板进行处理的处理室;设在处理室内、且具有供所述产品基板载置的基板载置面的基板支承部;在基板载置面载置有产品基板的状态下向处理室供给处理气体的处理气体供给部;以及在基板载置面载置有虚设基板的状态下供给清洗气体的清洗气体供给部,虚设基板构成为在支承于基板载置面的状态下虚设基板的外周不与基板载置面接触。
[0012]专利技术效果
[0013]根据上述技术,能够对在基板支承部的基板载置面内的外周部分较薄地沉积的膜进行清洗。
附图说明
[0014]图1是载置于基板支承部的产品基板的剖视图。
[0015]图2是载置于基板支承部的虚设基板的剖视图。
[0016]图3是放大示出图2的虚设基板的外周部分的图。
[0017]图4是变形例1的虚设基板的剖视图。
[0018]图5是在从表面一侧观察图2以及图4示出的虚设基板的情况下的平面图。
[0019]图6是变形例2的虚设基板的平面图以及剖视图。
[0020]图7是从上方观察实施方式的基板处理装置的横截面概略图。
[0021]图8是实施方式的基板处理装置的纵截面概略图。
[0022]图9是说明基板支承机构的说明图。
[0023]图10是示出气体供给部的图,图10的(a)是示出第1气体供给部的图,图10的(b)是示出第2气体供给部的图,图10的(c)是示出吹扫气体供给部的图,图10的(d)是示出第3气体供给部的图。
[0024]图11是示出基板处理装置的控制器的构成例的图。
[0025]图12是示出实施方式的基板处理工序的流程图。
[0026]图13是示出实施方式的清洗处理工序的流程图。
[0027]图14是示出变形例的基板处理装置的构成例的图。
[0028]图15是变形例的载置于基板支承部的虚设基板的剖视图。
[0029]其中,附图标记说明如下:
[0030]100:基板(产品基板、晶片)100d、100d1、100d2:虚设基板
[0031]200、200a:基板处理装置240、250:处理气体供给部270:清洗气体供给部311:基板载置面317:基板支承部(基板载置板)
具体实施方式
[0032]以下,使用附图说明实施方式。在此,在以下的说明中,有时对同一构成要素标注相同附图标记,并省略说明。此外,为了使说明更明确,有时与实际的形态相比,示意性示出附图,但只不过为一例,不限定对本公开的解释。
[0033](实施方式)
[0034]首先,为了使本实施方式更明确,使用图1~图6说明产品基板和虚设基板。图1是载置于基板支承部的产品基板的剖视图。图2是载置于基板支承部的虚设基板的剖视图。图3是放大示出图2的虚设基板的外周部分的图。图4是变形例1的虚设基板的剖视图。图5是在从表面一侧观察了图2以及图4示出的虚设基板的情况下的平面图。图6是变形例2的虚设基板的平面图以及剖视图。
[0035]本实施方式的基板处理装置具备:对产品基板进行处理的处理室;设于处理室内的基板支承部;在基板支承部支承了产品基板的状态下向处理室供给处理气体的处理气体供给部;以及在基板支承部支承了虚设基板的状态下供给清洗气体的清洗气体供给部。虚设基板构成为在支承于基板支承部的状态下,虚设基板的外周不与基板支承部接触。在此,处理气体能够设为原料气体、反应气体的某一种或者包括这两方在内的气体。清洗气体为氯气(Cl2)、氟气(F2)的某一种或者包括两方在内的气体,用于沉积膜的蚀刻。
[0036]图1示出了将产品基板(晶片)100载置于处理室的基板支承部(基板载置板)317的基板载置面311的状态。在该状态下,若向处理室内供给处理气体而对晶片100实施成膜工序,则也向基板载置面311的不与晶片100接触的面(非基板接地面)328供给处理气体,因此,与晶片100上同样地,在非基板接地面328上也形成有膜(推进膜的沉积)。另一方面,在基板载置板317的与晶片100相接的面(基板接地面)326,气体不会绕回到晶片100的背面,气体的供给被隔断,因此,不会发展薄膜沉积。因此,在以相同方式清洗了基板载置板317的上表面(表面)整体的情况下,虽然在非基板接地面328沉积物被清洗,但在基板载置板317的基板接地面326上有过度清洗的情况。
[0037]另一方面,在与晶片100相接的基板载置面311的基板接地面326的外周部分327,处理气体没有被完全隔断、即,气体绕回到外周部分,因此,沿基板接地面326的外周部分327的整周产生薄膜沉积。与之相对地,在基板载置板317的清洗处理中,考虑将与晶片100具有同一形状的通常的虚设基板载置于基板载置面311,来进行清洗处理。然后,即使在载置了虚设基板的状态下进行了清洗处理,也不易产生与晶片100同样的气体的绕回状态,因此,难以利用清洗除去与虚设基板相接的基板载置面311上的沉积膜(沿基板接地面326的外周部分327的整周沉积的膜)。作为其理由,例如考虑到因加工精度的程度而使晶片100的侧面与虚设基板的侧面并非为完全相同的形状。像这样,即使在载置了通常的虚设基板的状态下进行清洗也担心会残留沉积物,有那本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:对产品基板进行处理的处理室;基板支承部,其设于所述处理室内,且具有供所述产品基板载置的基板载置面;处理气体供给部,其在所述基板载置面载置有所述产品基板的状态下向所述处理室供给处理气体;以及清洗气体供给部,其在所述基板载置面载置有虚设基板的状态下供给清洗气体,所述虚设基板构成为在载置于所述基板载置面的状态下所述虚设基板的外周不与所述基板载置面接触。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述虚设基板将不与所述基板载置面接触的外周宽度设为5mm以上。3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述虚设基板构成为不与所述基板载置面接触的外周宽度的部分的厚度随着趋向所述虚设基板的外周而变小。4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述虚设基板的外周部分在两面的形状不同。5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述虚设基板的外周部分至少开设了4个以上从表面到背面的贯穿孔。6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还具备使所述基板支承部旋转的旋转部,所述基板支承部从所述基板支承部的中心起呈同心圆状地具有多个所述基板载置面,所述虚设基板的外周部分构成为在所述基板支承部的中心侧与外周侧的形状不同。7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,所述虚设基板的不与所述基板载置面接触的外周宽度构成为在所述基板支承部的中心侧与外周侧不同。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,所述虚设基板的所述基板支承部的外周侧的所述外周宽度构成为比所述基板支承部的外周侧的所述外周宽度大。9.根据权利要求6~8中任一项所述所述的基板处理装置,其特征在于,所述虚设基板的不与所述基板载置面接触的外周宽度的部分的厚度构成为在所述基板支承部的中心侧与外周侧不同。10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板支承部的外周侧的不与所述基板载置面接触的外周宽度的部分的厚度构成为比所述基板支承部的中心侧的不与所述基板载置面接触的外周宽度的部分的厚度小。11.一种能够由计算机读取的记录介质,其记录有程序,其特征在于,基板处理装置具备:对产品基板...

【专利技术属性】
技术研发人员:栗林幸永上田立志山本克彦
申请(专利权)人:株式会社国际电气
类型:发明
国别省市:

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