本发明专利技术提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流的泄漏的发光装置。一种发光装置，包括：基板；以及层叠体，设置于基板，且具有多个柱状部，柱状部具有：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，与第一导电型不同；以及发光层，设置于第一半导体层与第二半导体层之间，第一半导体层设置于基板与发光层之间，发光层具有c面以及小平面，第二半导体层设置于c面及小平面，第一半导体层具有第一部分、以及径小于第一部分的第二部分，第二部分设置于基板与第一部分之间，在从第一半导体层与发光层的层叠方向俯视下，c面与第二部分重叠，c面的径小于第二部分的径。c面的径小于第二部分的径。c面的径小于第二部分的径。
【技术实现步骤摘要】
发光装置、投影仪及显示器
[0001]本专利技术涉及一种发光装置、投影仪及显示器。
技术介绍
[0002]半导体激光器被期待作为高亮度的下一代光源。其中，期待应用了纳米柱的半导体激光器可通过基于纳米柱的光子晶体的效应而以窄辐射角来实现高输出的发光。
[0003]例如在专利文献1中记载了一种包括柱状部的发光装置，所述柱状部具有：第一半导体层、导电型与第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层。在专利文献1中，第一半导体层及发光层具有c面以及小平面。
[0004]专利文献1:日本专利特开2020
‑
57640号公报
技术实现思路
[0005]在包括如上所述的柱状部的发光装置中，在柱状部的侧面容易产生晶体缺陷。晶体缺陷有成为n型半导体层与p型半导体层之间的电流的泄漏路径的情况。
[0006]本专利技术的发光装置的一形态包括：
[0007]基板；以及
[0008]层叠体，设置于所述基板，且具有多个柱状部，
[0009]所述柱状部具有：
[0010]第一导电型的第一半导体层；
[0011]第二导电型的第二半导体层，与所述第一导电型不同；以及
[0012]发光层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，
[0013]所述第一半导体层设置于所述基板与所述发光层之间，
[0014]所述发光层具有c面以及小平面，
[0015]所述第二半导体层设置于所述c面及所述小平面，
[0016]所述第一半导体层具有第一部分以及径小于所述第一部分的第二部分，
[0017]所述第二部分设置于所述基板与所述第一部分之间，
[0018]在从所述第一半导体层与所述发光层的层叠方向俯视下，所述c面与所述第二部分重叠，所述c面的径小于所述第二部分的径。
[0019]本专利技术的投影仪的一形态具有所述发光装置的一形态。
[0020]本专利技术的显示器的一形态具有所述发光装置的一形态。
附图说明
[0021]图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
[0022]图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的柱状部的剖视图。
[0023]图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的柱状部的平面图。
[0024]图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0025]图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0026]图6是示意性地表示本实施方式的投影仪的图。
[0027]图7是示意性地表示本实施方式的显示器的平面图。
[0028]图8是示意性地表示本实施方式的显示器的剖视图。
[0029]符号的说明
[0030]2：阶差
[0031]10：基板
[0032]20：层叠体
[0033]22：缓冲层
[0034]24：绝缘层
[0035]25：开口部
[0036]30：柱状部
[0037]32：第一半导体层
[0038]32a：第一部分
[0039]32b：第二部分
[0040]33：阱层
[0041]33a：c面
[0042]33b：小平面
[0043]34：发光层
[0044]35：阻挡层
[0045]35a：c面
[0046]35b：小平面
[0047]36：第二半导体层
[0048]36a：高浓度部分
[0049]36b：低浓度部分
[0050]40：第一电极
[0051]42：第二电极
[0052]100：发光装置
[0053]100R：红色光源
[0054]100G：绿色光源
[0055]100B：蓝色光源
[0056]900：投影仪
[0057]902R：第一光学元件
[0058]902G：第二光学元件
[0059]902B：第三光学元件
[0060]904R：第一光调制装置
[0061]904G：第二光调制装置
[0062]904B：第三光调制装置
[0063]906：十字分色棱镜
[0064]908：投射装置
[0065]910：屏幕
[0066]1000：显示器
[0067]1010：电路基板
[0068]1012：显示区域
[0069]1014：数据线驱动电路
[0070]1016：扫描线驱动电路
[0071]1018：控制电路
[0072]1020：透镜阵列
[0073]1022：透镜
[0074]1030：散热器
具体实施方式
[0075]以下，使用附图对本专利技术的适宜的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式并不对权利要求书中记载的本专利技术的内容进行不当限定。另外，以下说明的结构并非全部为本专利技术的必需构成要件。
[0076]1.发光装置
[0077]1.1.整体的结构
[0078]首先，参照附图对本实施方式的发光装置进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的发光装置100的剖视图。
[0079]如图1所示，发光装置100包括：基板10、层叠体20、第一电极40、以及第二电极42。发光装置100例如为半导体激光器。
[0080]基板10例如是Si基板、GaN基板、蓝宝石基板、SiC基板等。
[0081]层叠体20设置于基板10。在图示的例子中，层叠体20设置于基板10上。层叠体20例如具有缓冲层22以及柱状部30。
[0082]在本说明书中，在第一半导体层32与发光层34的层叠方向(以下，也简称为“层叠方向”)上，在以发光层34为基准的情况下，将从发光层34朝向第二半导体层36的方向设为“上”，将从发光层34朝向第一半导体层32的方向设为“下”来进行说明。另外，将与层叠方向正交的方向也称为“面内方向”。
[0083]缓冲层22设置于基板10上。缓冲层22例如是掺杂有Si的n型的GaN层。在缓冲层22上设置有绝缘层24。
[0084]绝缘层24作为用于形成柱状部30的掩模层发挥功能。绝缘层24具有多个开口部25。开口部25为贯通绝缘层24的孔。绝缘层24例如是氧化硅层、氮化硅层、硅层、氧化钛层、氮化钛层、氧化铝层、氧化钽层、氧化铪层、锗层等。
[0085]柱状部30设置于缓冲层22上。柱状部30具有从缓冲层22向上方突出的柱状的形状。换言之，柱状部30隔着缓冲层22从基板10向上方突出。柱状部30例如也被称为纳米柱、纳米线、纳米棒、纳米柱状物。柱状部30的平面形状例如是多边形、圆。
[0086]柱状部30的径例如为50nm以上且500nm以下。通过将柱状部30的径设为500nm以下，可获得高品质的晶体的发光层34，且本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：基板；以及层叠体，设置于所述基板，且具有多个柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第一半导体层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有c面以及小平面，所述第二半导体层设置于所述c面及所述小平面，所述第一半导体层具有第一部分以及径小于所述第一部分的第二部分，所述第二部分设置于所述基板与所述第一部分之间，在从所述第一半导体层与所述发光层的层叠方向俯视下，所述c面与所述第二部分重叠，所述c面的径小于所述第二部分的径。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：工藤学，岸野克巳，
申请(专利权)人：学校法人上智学院，
类型：发明
国别省市：
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