本发明专利技术提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流泄漏的发光装置。一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括第一半导体层、导电型与所述第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。一部分低。一部分低。
【技术实现步骤摘要】
发光装置及投影仪
[0001]本专利技术涉及一种发光装置及投影仪。
技术介绍
[0002]半导体激光器被期待作为高亮度的下一代光源。特别是，期待具有被称为纳米柱(nanocolumn)、纳米线、纳米棒、纳米柱状物(nanopillar)等的纳米结构的半导体激光器可实现如下发光装置，所述发光装置可利用光子晶体(photonic crystal)的效应来获得窄辐射角且高输出的发光。
[0003]例如在专利文献1中，记载了一种包括纳米柱的半导体光元件阵列，所述纳米柱包括包含朝向掩模图案的上方生长的n型包覆层的微细柱状晶体、活性层及p型半导体层。
[0004]在包括所述那样的纳米柱的半导体光元件阵列中，在纳米柱的侧面容易产生晶体缺陷。晶体缺陷有时会成为n型半导体层与p型半导体层之间的电流泄漏路径。
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
239718号公报
技术实现思路
[0006]本专利技术所涉及的发光装置的一形态包括具有多个柱状部的层叠体，
[0007]所述柱状部包括：
[0008]第一半导体层；
[0009]第二半导体层，其导电型与所述第一半导体层不同；以及
[0010]第三半导体层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，其中，
[0011]所述第三半导体层具有发光层，
[0012]所述第二半导体层包括：
[0013]第一部分；以及
[0014]第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。
[0015]本专利技术的投影仪的一形态具有所述发光装置的一形态。
附图说明
[0016]图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
[0017]图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的柱状部的剖视图。
[0018]图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的柱状部的俯视图。
[0019]图4是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置的柱状部的剖视图。
[0020]图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0021]图6是示意性地表示本实施方式的投影仪的图。
[0022][符号的说明][0023]6：外缘
[0024]10：基板
[0025]20：层叠体
[0026]22：缓冲层
[0027]30：柱状部
[0028]40：第一半导体层
[0029]42：高浓度部
[0030]44：低浓度部
[0031]50：第一光限制层
[0032]52：空穴阻挡层
[0033]52a：c面
[0034]52b：小平面
[0035]60：发光层
[0036]60a：c面
[0037]60b：小平面
[0038]62：阱层
[0039]64：阻挡层
[0040]70：第二光限制层
[0041]70a：c面
[0042]70b：小平面
[0043]72：电子阻挡层
[0044]72a：c面
[0045]72b：小平面
[0046]80：第二半导体层
[0047]82：高浓度部
[0048]82a：第一面
[0049]82b：第二面
[0050]84：低浓度部
[0051]86：接触部分
[0052]86a：重复部分
[0053]86b：外缘
[0054]90：光传播层
[0055]100：发光装置
[0056]102：第三半导体层
[0057]110：第一电极
[0058]112：第二电极
[0059]200：发光装置
[0060]900：投影仪
[0061]902R：第一光学元件
[0062]902G：第二光学元件
[0063]902B：第三光学元件
[0064]904R：第一光调制装置
[0065]904G：第二光调制装置
[0066]904B：第三光调制装置
[0067]906：十字分色棱镜
[0068]908：投射装置
[0069]910：屏幕
具体实施方式
[0070]以下，使用附图对本专利技术的优选的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式并不对权利要求书中记载的本专利技术的内容进行不当限定。另外，以下说明的结构并非全部为本专利技术的必要构成要件。
[0071]1.发光装置
[0072]首先，参照附图对本实施方式的发光装置进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的发光装置100的剖视图。图2是示意性地表示本实施方式的发光装置100的柱状部30的剖视图。此外，为了方便起见，在图1中将柱状部30简化而图示。
[0073]如图1所示，发光装置100例如包括基板10、层叠体20、第一电极110及第二电极112。
[0074]基板10例如为Si基板、GaN基板、蓝宝石基板等。
[0075]层叠体20设置于基板10。层叠体20包括缓冲层22、柱状部30及光传播层90。
[0076]缓冲层22设置于基板10上。缓冲层22例如为掺杂有Si的n型的GaN层。
[0077]本说明书中，在第一半导体层40及发光层60的层叠方向(以下，也简称为“层叠方向”)上，在以发光层60为基准的情况下，将从发光层60朝向第二半导体层80的方向设为“上”，将从发光层60朝向第一半导体层40的方向设为“下”来进行说明。另外，将与层叠方向正交的方向也称为“面内方向”。
[0078]缓冲层22设置于基板10上。缓冲层22例如为掺杂有Si的n型的GaN层。此外，虽未图示，但也可在缓冲层上设置用于使柱状部30生长的掩模层。掩模层例如为氧化硅层、钛层、氧化钛层、氧化铝层等。
[0079]柱状部30设置于缓冲层22上。柱状部30具有从缓冲层22向上方突出的柱状的形状。柱状部30例如也被称为纳米柱、纳米线、纳米棒、纳米柱状物。柱状部30的平面形状例如为正六边形等多边形、或圆。
[0080]柱状部30的径例如为50nm以上且500nm以下。通过将柱状部30的径设为500nm以下，可获得高品质的晶体的发光层60，且可减少发光层60中固有的应变。由此，可高效率地扩大发光层60中产生的光。多个柱状部30的径例如彼此相等。
[0081]此外，所谓“柱状部的径”，在柱状部30的平面形状为圆的情况下为直径，在柱状部30的平面形状并非圆的形状的情况下为最小包含圆的直径。例如，柱状部30的径在柱状部30的平面形状为多边形的情况下为在内部包含所述多边形的最小的圆的直径，在柱状部30的平面形状为椭圆的情况下为在内部包含所述椭圆的最小的圆的直径。
[0082]柱状部30设置有多个。相邻的柱状部30的间隔例如为1nm本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括：第一半导体层；第二半导体层，其导电型与所述第一半导体层不同；以及第三半导体层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中从所述层叠方向俯视时，在所述第二半导体层中与所述第三半导体层相接的接触部分中的、所述发光层与所述第二半导体层侧的端部外缘重合的部分处的杂质浓度比所述接触部分的中心处的杂质浓度低，所述接触部分的外缘处的杂质浓度比所述接触部分的中心处的杂质浓度低。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中所述发光层的所述第一部分侧的径比所述第一部分的所述发光层侧的径大。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述第一半导体层包括：第三部分；以及第四部分，从所述层叠方向俯视时，包围所述第三部分，...
【专利技术属性】
技术研发人员：加瀬谷浩康，野田贵史，岸野克巳，
申请(专利权)人：学校法人上智学院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。