本发明专利技术提供一种可增大所射出的光的强度的发光装置。一种发光装置，包括：基板；以及层叠体，设置于所述基板的基板面，且具有多个柱状部，所述柱状部具有发光层，所述发光层具有所述基板侧的第一端、以及与所述基板为相反侧的第二端，所述柱状部的与所述层叠体的层叠方向正交的方向上的第一剖面包括所述第一端，所述柱状部的与所述层叠方向正交的方向上的第二剖面是在所述层叠方向上比所述第一剖面更靠与所述基板为相反侧的位置处的、包括所述发光层的剖面，在从所述层叠方向观察时的俯视下，所述第一剖面的中心与所述第二剖面的中心的位置不同。的位置不同。的位置不同。
【技术实现步骤摘要】
发光装置及投影仪
[0001]本专利技术涉及一种发光装置及投影仪。
技术介绍
[0002]半导体激光器被期待作为高亮度的下一代光源。其中，期待应用了纳米柱的半导体激光器可通过基于纳米柱的光子晶体的效应而以窄辐射角来实现高输出的发光。
[0003]例如在专利文献1中记载了一种包括多个柱状晶体的光学器件，所述柱状晶体包含包括活性层的III
‑
V族半导体。
[0004]专利文献1:日本专利特开2018
‑
142660号公报
技术实现思路
[0005]在如上所述的光学器件中，期望增大所射出的光的强度。
[0006]本专利技术的发光装置的一形态包括：
[0007]基板；以及
[0008]层叠体，设置于所述基板的基板面，且具有多个柱状部，
[0009]所述柱状部具有发光层，
[0010]所述发光层具有所述基板侧的第一端、以及与所述基板为相反侧的第二端，
[0011]所述柱状部的与所述层叠体的层叠方向正交的方向上的第一剖面包括所述第一端，
[0012]所述柱状部的与所述层叠方向正交的方向上的第二剖面是在所述层叠方向上比所述第一剖面更靠与所述基板为相反侧的位置处的、包括所述发光层的剖面，
[0013]在从所述层叠方向观察时的俯视下，
[0014]所述第一剖面的中心与所述第二剖面的中心的位置不同。
[0015]本专利技术的投影仪的一形态具有所述发光装置的一形态。
附图说明
[0016]图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
[0017]图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的柱状部的剖视图。
[0018]图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的柱状部的剖面的图。
[0019]图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0020]图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0021]图6是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的立体图。
[0022]图7是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0023]图8是示意性地表示本实施方式的投影仪的图。
[0024]图9是柱状部的剖面透射电子显微镜(transmission electron microscope，TEM)像。
[0025]符号的说明
[0026]2：c面
[0027]4：第一小平面
[0028]6：第二小平面
[0029]10：基板
[0030]12：基板面
[0031]20：层叠体
[0032]22：缓冲层
[0033]24：掩模层
[0034]30：柱状部
[0035]30a：第一剖面
[0036]30b：第二剖面
[0037]30c：第三剖面
[0038]30d：第四剖面
[0039]30e：第五剖面
[0040]30f：第六剖面
[0041]30g：第七剖面
[0042]30h：第八剖面
[0043]32：第一半导体层
[0044]33：阱层
[0045]33a：第五端
[0046]33b：第六端
[0047]34：发光层
[0048]34a：第一端
[0049]34b：第二端
[0050]35：阻挡层
[0051]36：第二半导体层
[0052]36a：第三端
[0053]36b：第四端
[0054]40：第一电极
[0055]42：第二电极
[0056]100：发光装置
[0057]100R：红色光源
[0058]100G：绿色光源
[0059]100B：蓝色光源
[0060]900：投影仪
[0061]902R：第一光学元件
[0062]902G：第二光学元件
[0063]902B：第三光学元件
[0064]904R：第一光调制装置
[0065]904G：第二光调制装置
[0066]904B：第三光调制装置
[0067]906：十字分色棱镜
[0068]908：投射装置
[0069]910：屏幕
具体实施方式
[0070]以下，使用附图对本专利技术的适宜的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式并不对权利要求书中记载的本专利技术的内容进行不当限定。另外，以下说明的结构并非全部为本专利技术的必需构成要件。
[0071]1.发光装置
[0072]1.1.整体的结构
[0073]首先，参照附图对本实施方式的发光装置进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的发光装置100的剖视图。
[0074]如图1所示，发光装置100例如包括：基板10、层叠体20、第一电极40、以及第二电极42。发光装置100为半导体激光器。
[0075]基板10例如是Si基板、GaN基板、蓝宝石基板、SiC基板等。基板10具有基板面12。在图示的例子中，基板面12为基板10的上表面。基板面12具有垂线P。
[0076]层叠体20设置于基板10的基板面12。在图示的例子中，层叠体20设置于基板10上。层叠体20例如具有缓冲层22以及柱状部30。
[0077]在本说明书中，在层叠体20的层叠方向(以下，也简称为“层叠方向”)上，在以发光层34为基准的情况下，将从发光层34朝向第二半导体层36的方向设为“上”，将从发光层34朝向第一半导体层32的方向设为“下”来进行说明。另外，将与层叠方向正交的方向也称为“面内方向”。另外，所谓“层叠体20的层叠方向”，是指柱状部30的第一半导体层32与发光层34的层叠方向。垂线P的方向为层叠方向。
[0078]缓冲层22设置于基板10上。缓冲层22例如是掺杂有Si的n型的GaN层。在缓冲层22上设置有用于形成柱状部30的掩模层24。掩模层24例如是氧化硅层、钛层、氧化钛层、氧化铝层等。
[0079]柱状部30设置于缓冲层22上。柱状部30具有从缓冲层22向上方突出的柱状的形状。换言之，柱状部30隔着缓冲层22从基板10向上方突出。柱状部30例如也被称为纳米柱、纳米线、纳米棒、纳米柱状物。柱状部30的平面形状例如是多边形、圆。
[0080]柱状部30的径例如为50nm以上且500nm以下。通过将柱状部30的径设为500nm以下，可获得高品质的晶体的发光层34，且可减少发光层34中固有的应变。由此，能够以高效率放大发光层34中产生的光。
[0081]此外，所谓“柱状部的径”，在柱状部30的平面形状为圆的情况下为直径，在柱状部30的平面形状并非圆的形状的情况下为最小包含圆的直径。例如，柱状部30的径在柱状部30的平面形状为多边形的情况下为在内部包含所述多边形的最小的圆的直径，在柱状本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：基板；以及层叠体，设置于所述基板的基板面，且具有多个柱状部，所述柱状部具有发光层，所述发光层具有所述基板侧的第一端、以及与所述基板为相反侧的第二端，所述柱状部的与所述层叠体的层叠方向正交的方向上的第一剖面包括所述第一端，所述柱状部的与所述层叠方向正交的方向上的第二剖面是在所述层叠方向上比所述第一剖面更靠与所述基板为相反侧的位置处的包括所述发光层的剖面，在从所述层叠方向观察时的俯视下，所述第一剖面的中心与所述第二剖面的中心的位置不同。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二剖面包括所述第二端。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，在从所述层叠方向观察时的俯视下，所述第一剖面的一部分不与所述第二剖面重叠，所述第二剖面一部分不与所述第一剖面重叠。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述柱状部具有：第一半导体层；以及第二半导体层，其导电型与所述第一半导体层不同，所述发光层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第一半导体层设置于所述基板与所述发光层之间。5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，具有电极，所述电极设置于所述层叠体的与所述基板相反的一侧，所述第二半导体层具有所述基板侧的第三端以及所述电极侧的第四端，穿过包括所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉本拓矢，岸野克巳，
申请(专利权)人：学校法人上智学院，
类型：发明
国别省市：
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