【技术实现步骤摘要】
发光装置及投影仪
[0001]本专利技术涉及一种发光装置及投影仪。
技术介绍
[0002]半导体激光器被期待作为高亮度的下一代光源。其中，期待应用了纳米柱的半导体激光器可通过基于纳米柱的光子晶体的效应而以窄辐射角来实现高输出的发光。此种半导体激光器例如被用作投影仪的光源。在使用液晶光阀的投影仪中，期望从光源射出的光为直线偏光。
[0003]在利用了GaN系纳米柱的光子晶体的半导体激光器中，能够通过改变纳米柱的排列周期和直径，进行与RGB三原色的波长相匹配的设计。但是，为了在红色区域进行振荡，需要使用直径大的纳米柱，从而难以获得缺陷和变形少且发光效率好这样的纳米柱的效果。因此，已知有将包含直径小的多个纳米柱的纳米柱集合体视为纳米柱并使其周期性地排列的技术。
[0004]此处，如专利文献1中所记载那样，纳米柱以三角形、正方形、六边形等具有旋转对称性的光栅图案排列，因此从发光装置射出的光并非直线偏光。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]日本专利特开2013
‑
9002号公报
技术实现思路
[0008][专利技术所要解决的问题][0009]如上所述，即便在由多个纳米柱形成了纳米柱集合体的情况下，若纳米柱集合体以具有旋转对称性的光栅图案排列，则从发光装置射出的光也并非直线偏光。
[0010][解决问题的技术手段][0011]本专利技术的发光装置的一形态具有层叠体，所述层叠体具有多个包含p个柱状部的柱状部集合体，>[0012]所述p个柱状部分别具有发光层，
[0013]从所述层叠体的层叠方向观察时，所述p个柱状部中的q个第一柱状部的所述发光层的最大宽度相对于最小宽度的比大于所述p个柱状部中的r个第二柱状部的所述发光层的所述比，
[0014]所述p个柱状部的所述发光层的形状并非旋转对称，
[0015]所述p为2以上的整数，
[0016]所述q为1以上且小于p的整数，
[0017]所述r为满足r＝p
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q的整数。
[0018]本专利技术的投影仪的一形态包括所述发光装置的一形态。
附图说明
[0019]图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
[0020]图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的平面图。
[0021]图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的平面图。
[0022]图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0023]图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0024]图6是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0025]图7是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0026]图8是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0027]图9是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0028]图10是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0029]图11是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0030]图12是示意性地表示本实施方式的投影仪的图。
[0031][符号的说明][0032]10：基板
[0033]20：层叠体
[0034]22：缓冲层
[0035]30：柱状部
[0036]30a：第一柱状部
[0037]30b：第二柱状部
[0038]31：第一半导体层
[0039]32：第一引导层
[0040]33：发光层
[0041]34：第二引导层
[0042]35：第二半导体层
[0043]40：柱状部集合体
[0044]50：第一电极
[0045]52：第二电极
[0046]60：掩模层
[0047]62、64：开口部
[0048]70：第一SAG层
[0049]71：开口部
[0050]72：第二SAG层
[0051]73：开口部
[0052]100：发光装置
[0053]900：投影仪
[0054]902R：第一光学元件
[0055]902G：第二光学元件
[0056]902B：第三光学元件
[0057]904R：第一光调制装置
[0058]904G：第二光调制装置
[0059]904B：第三光调制装置
[0060]906：交叉分色棱镜
[0061]908：投射装置
[0062]910：屏幕
具体实施方式
[0063]以下，使用附图对本专利技术的适宜的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式并不对权利要求书中记载的本专利技术的内容进行不当限定。另外，以下说明的结构并非全部为本专利技术的必要构成要件。
[0064]1.发光装置
[0065]首先，参照附图对本实施方式的发光装置进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的发光装置100的剖视图。图2是示意性地表示本实施方式的发光装置100的平面图。此外，图1是图2的I
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I线剖视图。
[0066]如图1及图2所示，发光装置100包括：基板10、层叠体20、第一电极50以及第二电极52。此外，为了方便起见，在图2中省略了第二电极52的图示。
[0067]基板10例如为Si基板、GaN基板、蓝宝石基板等。
[0068]层叠体20设置于基板10。在图示的例子中，层叠体20设置于基板10上。层叠体20例如具有缓冲层22以及柱状部30。
[0069]在本说明书中，在层叠体20的层叠方向(以下，也简称为“层叠方向”)上，在以发光层33为基准的情况下，将从发光层33朝向第二半导体层35的方向设为“上”，将从发光层33朝向第一半导体层31的方向设为“下”来进行说明。另外，将与层叠方向正交的方向也称为“面内方向”。
[0070]另外，在本专利技术中，所谓“层叠体20的层叠方向”，是柱状部30的第一半导体层31与发光层33的层叠方向。
[0071]缓冲层22设置于基板10上。缓冲层22例如为掺杂有Si的n型的GaN层等。在缓冲层22上设置有用于形成柱状部30的掩模层60。掩模层60例如为氧化硅层、钛层、氧化钛层、氧化铝层等。
[0072]柱状部30设置于缓冲层22上。柱状部30具有从缓冲层22向上方突出的柱状的形状。柱状部30例如也被称为纳米柱、纳米线、纳米棒、纳米柱状物。柱状部30的平面形状例如为正六边形等多边形、或圆。在图2所示的例子中，柱状部30的平面形状为正六边形。
[0073]柱状部30的径例如为50nm以上且500nm以下。通过将柱状部30的径设为500nm以下，可获得高品质的晶体的发光层33，且可减少发光层33中固有的应变。由此，可高效率地扩大发光层33中产本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，具有层叠体，所述层叠体具有多个包含p个柱状部的柱状部集合体，所述p个柱状部分别具有发光层，从所述层叠体的层叠方向观察时，所述p个柱状部中的q个第一柱状部的所述发光层的最大宽度相对于最小宽度的比大于所述p个柱状部中的r个第二柱状部的所述发光层的所述比，所述p个柱状部的所述发光层的形状并非旋转对称，所述p为2以上的整数，所述q为1以上且小于p的整数，所述r为满足r＝p
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q的整数。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中从所述层叠方向观察时，所述第一柱状部的所述发光层的面积与所述第二柱状部的所述发光层的面积相等。...
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