一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法，包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III

【技术实现步骤摘要】
一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法


[0001]本专利技术属于硅基光电子器件领域，特别涉及一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，硅光子技术已广泛应用于电信和数据通信的光互连领域，而片上光源仍是进一步降低成本和实现超大规模光子集成和光电集成的世界级科学难题。目前国际上，最具有潜力的解决方法是硅基III
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V量子点激光器，但是由于硅和III
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V材料之间存在较大的晶格失配，容易在外延材料中产生反向畴引入较大的缺陷损耗，而且通过分子束外延技术在硅上直接生长III
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V材料是困难的。因此，制备硅基III
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V量子点激光器时需要在硅衬底和III
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V材料之间生长较厚的缓冲层或者是需要在硅衬底上制备特殊的切角，这使得工艺难度大，器件结构大，难以与波导进行耦合，增加了光电集成的难度。
[0003]因此，具有活性材料的高折射率介质的纳米谐振结构已成为纳米光子学应用于高效片上光源的一个新的有前途的平台。与之前基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片，其特征在于：包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III
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V纳米盘/柱结构。2.根据权利要求1所述的硅基发光芯片，其特征在于：所述III
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V纳米盘/柱结构包括GaAs下覆盖层、InAs量子点/阱层、GaAs上覆盖层。3.根据权利要求1所述的硅基发光芯片，其特征在于：所述III
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V纳米盘/柱结构为横轴对称、纵轴对称。4.一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片的制备方法，包括：在衬底上通过分子束外延技术生长缓冲层、牺牲层和多层膜结构形...

【专利技术属性】
技术研发人员：武爱民，刘丽，王茹雪，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：