垂直腔面激光器封装结构及封装方法技术

本发明专利技术公开一种垂直腔面激光器封装结构及封装方法，其包括基板、激光器芯片以及驱动电路芯片，所述激光器芯片和所述驱动电路芯片间隔设置在所述基板上，所述基板上沉积有第一氧化物层，所述第一氧化物层上设有薄膜电晶体，所述薄膜电晶体上沉积有第二氧化物层，所述第二氧化物层上蚀刻有金属布线。本发明专利技术提供的垂直腔面激光器封装结构不需要封装的步骤，可以省去左右并排或者上下堆叠在一起所占去的面积与厚度，能大幅减少整体大小。能大幅减少整体大小。能大幅减少整体大小。

【技术实现步骤摘要】
垂直腔面激光器封装结构及封装方法


[0001]本专利技术涉及垂直腔面激光器领域，尤其涉及一种垂直腔面激光器封装结构。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)及其阵列是一种新型半导体激光器，它是光子学器件在集成化方面的重大突破。vcsel与常规的侧向出光的端面发射激光器在结构上有着很大的不同。端面发射激光器的出射光垂直于芯片的解理平面；与此相反，VCSEL的发光束垂直于芯片表面。这种光腔取向的不同导致vcsel的性能大大优于常规的端面发射激光器。
[0003]现有的垂直腔面激光器的封装为将垂直腔面激光器芯片与垂直腔面激光器驱动电路芯片两芯片封装堆叠在一起，该现行结构技术具有两芯片封装堆叠尺寸微缩困难，整体堆叠厚度大等缺点，不符合应用在未来5G与物联网对芯片尺寸轻薄短小的要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提供一种垂直腔面激光器封装结构，旨在解决上述技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出的一种垂直腔面激光器封装结构包括基板、激光器芯片以及驱动电路芯片，所述激光器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述垂直腔面激光器封装结构包括基板、激光器芯片以及驱动电路芯片，所述激光器芯片和所述驱动电路芯片间隔设置在所述基板上，所述基板上沉积有第一氧化物层，所述第一氧化物层上设有薄膜电晶体，所述薄膜电晶体上沉积有第二氧化物层，所述第二氧化物层上蚀刻有金属布线。2.根据权利要求1所述的垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述第一氧化物层为二氧化硅层。3.根据权利要求1所述的垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述第二氧化物层为二氧化硅层。4.根据权利要求1所述的垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述薄膜电晶体通过铟镓锌氧化物制备而成。5.根据权利要求1所述的垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述薄膜电晶体通过低温复晶矽制备而成。6.一种垂直腔面激光器封装结构的封装方法，其特征在于，所述垂...

【专利技术属性】
技术研发人员：许伯彰，许维德，施宇豪，黄骏扬，刘乃硕，黃大虔，黃世豪，
申请(专利权)人：奕富通集成科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：