深沟槽中外延生长的方法技术

本发明专利技术提供一种深沟槽中外延生长的方法，包括：S1：在半导体基底中形成深沟槽；S2：在小于30托的低压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；S3：刻蚀所述外延层以使所述深沟槽的开口敞开；重复上述步骤S2，S3直至所述外延层填满所述深沟槽的2/3以上深度。本发明专利技术先通过重复低压沉积

【技术实现步骤摘要】
深沟槽中外延生长的方法


[0001]本专利技术涉及一种深沟槽中外延生长的方法。

技术介绍

[0002]集成电路制造领域，常常需要用到在半导体基底的沟槽中进行外延生长的工艺，为实现良好的填充效果，现有技术中有通过控制沉积速率，使得外延生长先快后慢的方式，也有通过高压沉积
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刻蚀
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低压沉积
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刻蚀（根据需要设置多次循环）的方式，使得沉积期间具有锥形的外延分布，避免沟槽顶部过早封口导致孔洞缺陷（void）的产生。
[0003]为满足电子产品进一步小型化、多功能化的需求，例如CMOS图像传感器领域，随着高像素、小体积需求的不断提升，器件上像素区域需要外延生长的沟槽结构的开口越来越小，深度越来越深，深宽比达到30：1以上，上述传统外延生长工艺应用在具有如此高深宽比的深沟槽中，仍然会出现孔洞缺陷（void）的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种深沟槽中外延生长的方法，解决高深宽比沟槽中外延生长的孔洞缺陷问题，提高外延层的质量，改善器件可靠性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，包括：S1：在半导体基底中形成深沟槽；S2：在小于30托的低压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；S3：刻蚀所述外延层以使所述深沟槽的开口敞开；重复上述步骤S2，S3直至所述外延层填满所述深沟槽的2/3以上深度。2.如权利要求1所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，重复上述步骤S2，S3直至所述外延层完全填满所述深沟槽的全部深度。3.如权利要求1所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，在所述外延层填满所述深沟槽的2/3以上深度之后，进一步包括：S4：在大于30托的高压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；直至所述外延层完全填满所述深沟槽的全部深度。4.如权利要求3所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋铭，杨瑞坤，赵立新，李朝勇，邱裕明，张拥华，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：