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本发明提供一种深沟槽中外延生长的方法，包括：S1：在半导体基底中形成深沟槽；S2：在小于30托的低压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；S3：刻蚀所述外延层以使所述深沟槽的开口敞开；重复上述步骤S2，S3直至所述外延层填满所述深沟槽的2/3以...
该专利属于格科半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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