半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有掩膜层；形成贯穿所述掩膜层并延伸至所述衬底内的多个凹槽，所述凹槽包含第一凹槽与第二凹槽，所述第一凹槽用于形成高压器件内的局部氧化层结构，所述第二凹槽用于形成隔离不同器件的浅沟槽隔离结构；沉积绝缘材料，所述绝缘材料填满所述凹槽以形成局部氧化层结构与浅沟槽隔离结构。本发明专利技术在形成浅沟槽隔离结构的同时形成高压器件内的局部氧化层结构，简化了工艺流程，同时消除了形成局部氧化层结构时导致的鸟嘴效应，使局部氧化层结构的尺寸缩小，从而缩小了高压器件的尺寸，由此改善器件性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种半导体器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]在现代半导体器件的制作工艺中，局部氧化硅(Local Oxidation of Silicon，LOCOS)是一种常用的结构。在LOCOS结构中其具有厚度较大的局部氧化层，从而可以起到良好的隔离效果，因此可被应用于高压器件工艺中。
[0003]图1为现有技术中一高压器件的结构示意图。如图1所示，在衬底1上形成有栅极(Gate)2，在栅极2两侧的衬底1内形成有源极(Drain)3与漏极(Source)4。所述衬底1内还形成有N漂移区(NDR)与P阱(PW)以及多个浅沟槽隔离结构5，所述源极3位于所述N漂移区内，所述漏极4位于所述P阱内。为了提高高压器件源极3到栅极2的击穿电压(＞35V)，需要在栅极2与源极3的交接区域形成厚的局部氧化层结构6。所述局部氧化层结构6的厚度有利于提高高压器件的击穿电压，厚度越大，高压器件的击穿电压越高。并且，所述局部氧化层结构6的长度决定高压器件导通电阻，长度越小，导通电阻越低。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有掩膜层；形成贯穿所述掩膜层并延伸至所述衬底内的多个凹槽，所述凹槽包含第一凹槽与第二凹槽，所述第一凹槽用于形成高压器件内的局部氧化层结构，所述第二凹槽用于形成隔离不同器件的浅沟槽隔离结构；以及沉积绝缘材料，所述绝缘材料填满所述凹槽以形成局部氧化层结构与浅沟槽隔离结构。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底上还形成有第一氧化层，所述掩膜层位于所述第一氧化层上。3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成多个凹槽的方法包括：形成图形化的第一光刻胶层在所述掩膜层上，所述图形化的第一光刻胶层暴露出预定形成所述第一凹槽的区域；以所述图形化的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层、所述第一氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成所述第一凹槽；去除所述图形化的第一光刻胶层；形成图形化的第二光刻胶层在所述掩膜层上，所述图形化的第二光刻胶层暴露出预定形成所述第二凹槽的区域；以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层、所述第一氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成所述第二凹槽；以及，去除所述图形化的第二光刻胶层。4.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成多个凹槽的方法包括：形成图形化的第二光刻胶层在所述掩膜层上，所述图形化的第二光刻胶层暴露出预定形成所述第二凹槽的区域；以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋兴教，陈政，郭晨浩，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：