一种半导体结构及其制造方法技术

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有多个刻蚀阻挡部；顺序刻蚀所述第一介质层、所述刻蚀阻挡部及所述衬底，以在所述衬底内形成隔离沟槽，所述隔离沟槽在所述衬底内限定出多个分立的有源区，其中，所述刻蚀阻挡部在所述衬底平面上的正投影与所述有源区的外周紧贴或相邻，且经所述刻蚀阻挡部的刻蚀阻挡作用，在位于多个所述刻蚀阻挡部的下方的隔离沟槽内形成多个与所述有源区的侧壁紧贴或相邻的支撑结构，所述支撑结构的上表面低于所述衬底的上表面。的上表面。的上表面。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体结构，例如动态随机存储器(DRAM)，通常包括位于衬底内的隔离沟槽以及被隔离沟槽间隔开的多个分立的有源区。
[0003]然而，在相关技术中，隔离沟槽的深度往往较大，有源区的高度较高，从而导致有源区的稳定性较差，有源区容易倒塌或剥落，最终影响半导体结构的良率。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：
[0005]提供衬底；
[0006]在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有多个刻蚀阻挡部；
[0007]顺序刻蚀所述第一介质层、所述刻蚀阻挡部及所述衬底，以在所述衬底内形成隔离沟槽，所述隔离沟槽在所述衬底内限定出多个分立的有源区，其中，所述刻蚀阻挡部在所述衬底平面上的正投影与所述有源区的外周紧贴或相邻，且经所述刻蚀阻挡部的刻蚀阻挡作用，在位于多个所述刻蚀阻挡部的下方的隔离沟槽内形成多个与所述有源区的侧壁紧贴或相邻的支撑结构，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有多个刻蚀阻挡部；顺序刻蚀所述第一介质层、所述刻蚀阻挡部及所述衬底，以在所述衬底内形成隔离沟槽，所述隔离沟槽在所述衬底内限定出多个分立的有源区，其中，所述刻蚀阻挡部在所述衬底平面上的正投影与所述有源区的外周紧贴或相邻，且经所述刻蚀阻挡部的刻蚀阻挡作用，在位于多个所述刻蚀阻挡部的下方的隔离沟槽内形成多个与所述有源区的侧壁紧贴或相邻的支撑结构，所述支撑结构的上表面低于所述衬底的上表面。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的刻蚀速率大于所述刻蚀阻挡部的刻蚀速率。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质层包括第一介质子层和第二介质子层；在所述衬底上形成所述第一介质层及所述刻蚀阻挡部，包括：在所述衬底上形成所述第一介质子层；在所述第一介质子层上形成刻蚀阻挡材料层；图案化所述刻蚀阻挡材料层以形成多个所述刻蚀阻挡部；形成所述第二介质子层，所述第二介质子层覆盖所述刻蚀阻挡部及所述第一介质子层。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述有源区在垂直于所述衬底的方向上的投影沿第一方向延伸，且多个所述有源区沿第一方向排布；多个所述刻蚀阻挡部在所述衬底平面上的正投影沿第一方向排布在所述有源区的两侧。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在第一方向上，每一所述有源区的两侧中的每一侧均与3个所述支撑结构紧贴或相邻。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅，所述刻蚀阻挡部的材料包括氮化硅。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一介质层之后，所述方法还包括：在所述第一介质层上形成掩膜叠层，在所述掩膜叠层上形成图案化掩膜层；以所述图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述掩膜叠层形成目标掩膜图案；刻蚀所述第一介质层、所述刻蚀阻挡部及所述衬底，包括：以所述目标掩膜图案为掩膜刻蚀所述第一介质层、所述刻蚀阻挡部及所述衬底，以在所述衬底内形成所述隔离沟槽。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：