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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有多个刻蚀阻挡部；顺序刻蚀所述第一介质层、所述刻蚀阻挡部及所述衬底，以在所述衬底内形成隔离沟槽，所述隔离沟槽在所述衬底内...
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