半导体结构及其形成方法技术

本申请涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；于所述半导体衬底内形成第一沟槽，所述第一沟槽将所述半导体衬底隔离成多个第一有源区；于所述第一沟槽内依次形成第一衬垫层、第二衬垫层以及第一隔离填充层，所述第一沟槽侧壁顶部的所述第一衬垫层的厚度大于所述第一沟槽侧壁底部的所述第一衬垫层的厚度。本申请可以有效改善HEIP现象。请可以有效改善HEIP现象。请可以有效改善HEIP现象。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件的浅沟槽隔离(STI)结构包括形成于沟槽内的填充层以及填充层与半导体衬底之间的衬垫层。衬垫层可以起到修复沟槽刻蚀造成的损伤以及缓冲器件应力等作用。
[0003]但是，于此同时，一些衬垫层也可能会捕获电子，而使得衬底中的空穴会集中在STI附近，从而导致产生热电子诱导穿通(HEIP)现象。此时，半导体器件(尤其是P型半导体器件(如PMOS))的电学性能受到严重影响。

技术实现思路

[0004]基于此，本申请实施例提供一种能够改善热电子诱导穿通现象的半导体结构及其形成方法。
[0005]一种半导体结构的形成方法，包括：
[0006]提供半导体衬底；
[0007]于所述半导体衬底内形成第一沟槽，所述第一沟槽将所述半导体衬底隔离成多个第一有源区；
[0008]于所述第一沟槽内依次形成第一衬垫层、第二衬垫层以及第一隔离填充层，所述第一沟槽侧壁顶部的所述第一衬垫层的厚度大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；于所述半导体衬底内形成第一沟槽，所述第一沟槽将所述半导体衬底隔离成多个第一有源区；于所述第一沟槽内依次形成第一衬垫层、第二衬垫层以及第一隔离填充层，所述第一沟槽侧壁顶部的所述第一衬垫层的厚度大于所述第一沟槽侧壁底部的所述第一衬垫层的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二衬垫层包括氮化物层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一衬垫层包括第一氧化层，于所述第一沟槽内形成第一衬垫层，包括：对位于所述第一沟槽侧壁顶部的所述半导体衬底进行掺杂；对所述第一沟槽暴露的所述半导体衬底进行热氧化处理，以形成第一氧化层；其中，掺杂离子用于提高所述半导体衬底在所述热氧化处理中的热氧化速率。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过倾斜离子注入方式对所述半导体衬底进行掺杂。5.根据权利要求1
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4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一衬垫层包括第二氧化层，于所述第一沟槽内形成第一衬垫层，包括：于所述第一沟槽内形成掺杂层，所述第一沟槽侧壁顶部的所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第一沟槽侧壁底部的所述掺杂层的掺杂浓度；对所述掺杂层进行热氧化处理，以形成第二氧化层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，反复于所述第一沟槽内形成掺杂层，并对所述掺杂层进行热氧化处理，以形成多层所述第二氧化层。7.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述于所述第一沟槽内形成掺杂层，包括：于所述第一沟槽内形成半导体层；对位于所述第一沟槽侧壁顶部的所述半导体层进行掺杂，形成所述掺杂层。8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体层通过原子层沉积方式形成。9.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体层的材料与所述半导体衬底材料相同。10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括P型阱区与N型阱区，于所述半导体衬底内形成第一沟槽的同时，还形成第二沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铁将，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：