一种麦克风组件及电子设备制造技术

技术编号:34496809 阅读:44 留言:0更新日期:2022-08-10 09:16
本发明专利技术提供了一种麦克风组件及电子设备,所述麦克风组件沿层叠方向包括基底、第一振膜、背极板、以及第二振膜,所述背极板和所述第一振膜之间具有部分区域贯通的第一绝缘体,所述第二振膜与所述背极板之间具有部分区域贯通的第二绝缘体;其中,所述第一绝缘体具有设置在所述第一电极边缘的第一环形结构,所述第二绝缘体具有设置在所述第三电极边缘的第二环形结构,所述第一电极背极板之间由所述第一环形结构连接以形成第一空腔,所述背极板与所述第三电极之间由所述第二环形结构连接以形成第二空腔,形成的第一空腔和形成的第二空腔构成真空密闭空腔。本发明专利技术所提供的技术方案显著提升了麦克风的防尘效果和信噪比。著提升了麦克风的防尘效果和信噪比。著提升了麦克风的防尘效果和信噪比。

【技术实现步骤摘要】
一种麦克风组件及电子设备


[0001]本专利技术涉及麦克风
,更为具体的说涉及一种麦克风组件及电子设备。

技术介绍

[0002]麦克风是一种将声压信号最终转换为电信号的压力传感器,使用微机电工艺技术制造的小型麦克风称为MEMS(Micro

Electro

Mechanical System)麦克风或微麦克风。MEMS麦克风芯片一般包括衬底、振膜以及背极板。其中的振膜、背极板是MEMS麦克风芯片中的重要部件,振膜、背极板平行且间隔设置,两者构成平板电容的两个电极板,振膜用于在声波的作用下振动,导致背极板和振膜之间的相对距离发生变化,从而使得平板电容的电容值发生变化,电容值的变化经外围电路转化成电信号,实现声电的转换。
[0003]现有的MEMS麦克风大多数是由一个感应振膜以及一个刚性背极板组成,这种麦克风的线性度较低,谐波失真较大。随着MEMS麦克风应用场景的扩展(例如利用手机唱歌的应用场景等),用户对MEMS麦克风的语音质量的要求越来越高。因此,需要对现有技术进行改进。<br/>
技术实现思路
本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种麦克风组件,其特征在于,包括以层叠的方式依序设置的基底(100)、第一振膜(200)、背极板(300)、以及第二振膜(400),所述背极板(300)和所述第一振膜(200)之间具有部分区域贯通的第一绝缘体(120),所述第二振膜(400)与所述背极板(300)之间具有部分区域贯通的第二绝缘体(130);所述基底(100)具有在其厚度方向上贯通的背腔(101),所述第一振膜(200)的部分区域构成第一电极(210),所述背极板(300)的部分区域构成第二电极(310),所述第二振膜(400)的部分区域构成第三电极(410),其中,在所述基底(100)的厚度方向上,所述背腔(101)、所述第一电极(210)、所述第二电极(310)、以及所述第三电极(410)四者的投影交叠;其中,所述第一绝缘体(120)具有设置在所述第一电极(210)边缘的第一环形结构(121),所述第二绝缘体(130)具有设置在所述第三电极(410)边缘的第二环形结构(131),所述第一电极(210)与背极板(300)之间由所述第一环形结构(121)连接以形成第一空腔(501),所述背极板(300)与所述第三电极(410)之间由所述第二环形结构(131)连接以形成第二空腔(502)。2.如权利要求1所述的麦克风组件,其特征在于,所述第一振膜(200)具有至少一个第一镂空区域(201),所述至少一个第一镂空区域(201)环绕所述第一电极(210);所述背极板(300)具有至少一个第二镂空区域(301),所述至少一个第二镂空区域(301)环绕所述第二电极(310);所述第二振膜(400)具有至少一个第三镂空区域(401),所述至少一个第三镂空区域(401)环绕所述第三电极(410)。3.如权利要求2所述的麦克风组件,其特征在于,形成所述第一空腔(501)的所述第一环形结构(121)位于所述第一电极(210)的边缘,使得所述第二电极(310)的中部区域悬空于所述第一电极(210)的上方,所述第一电极(210)与所述第二电极(310)形成第一可变电容;形成所述第二空腔(502)的所述第二环形结构(131)位于所述第二电极(310)的边缘,使得所述第三电极(410)的中部区域悬空于所述第二电极(310)的上方,所述第三电极(410)与所述第二电极(310)形成第二可变电容。4.如权利要求3所述的麦克风组件,其特征在于,所述背极板(300)的所述第二电极(310)上设置有在厚度方向上贯穿所述背极板(300)的至少一个背极板通孔(312),所述第一振膜(200)和所述第二振膜(400)之间设置有至少一个第二支撑结构(600),所述第二支撑结构(600)穿设于所述至少一个背极板通孔(312)之中,所述第一振膜(200)和所述第二振膜(400)通...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹斌斌荣根兰
申请(专利权)人:苏州敏芯微电子技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1