一种MEMS芯片封装结构及制作方法技术

本发明专利技术提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明专利技术通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种mems芯片封装结构及制作方法。

技术介绍

1、在传感器类mems封装结构的市场上，微机电系统(micro-electro-mechanicalsystems，mems)芯片在诸如智能手机、健身手环、打印机、汽车、无人机以及vr/ar头戴式设备等产品领域得到了广泛的应用。mems芯片通常需要把器件结构层保护在密封的空腔内，保持可动的mems器件结构处在一个稳定的气压状态来减小振动噪声以及零漂等参数。

2、现有的mems芯片，通常在晶圆级键合时采用两种合金互溶的方式将可动的mems器件结构密封在空腔内，由于晶圆级键合时为高温高压的状态，两种合金互溶时通常会发生严重的液相合金外溢而使mems器件结构受损。目前通常采用在密封圈两侧增加限位柱或者设置溢流槽的方式来限制液相合金溢流，然而，这两种方式中前者因存在限位柱高度不一致的问题而不能完全键合密封，后者因液体合金存在表面张力可能导致部分溢流的合金越过溢流槽而流向芯片功能区，从而导致mems芯片键合质量的可靠性变差，降低了mems芯片制造的合格率。</p>
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【技术保护点】

1.一种MEMS芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述介质层上环绕所述空腔形成至少二个凹槽，且，所述第三金属体覆盖相邻所述凹槽之间的所述介质层的至少部分表面。

3.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第二基板具有所述空腔的表面形成介质层，在所述介质层上形成至少一个凹槽的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述介质层的表面形成保形覆盖所述凹槽底部和侧壁的第二金属体...

【技术特征摘要】

1.一种mems芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述介质层上环绕所述空腔形成至少二个凹槽，且，所述第三金属体覆盖相邻所述凹槽之间的所述介质层的至少部分表面。

3.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第二基板具有所述空腔的表面形成介质层，在所述介质层上形成至少一个凹槽的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述介质层的表面形成保形覆盖所述凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖所述介质层的至少部分表面的第三金属体的步骤，包括：

5.根据权利要求1所述的mems芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄瑞芬，朱启发，李诺伦，胡维，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：