【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微机电，特别涉及一种微差压传感器及电子设备。
技术介绍
1、目前，市场上比较流行的电子烟传感器感测方式包括mems技术的微差压传感器。基于mems技术的微差压传感器，其导电层和背板之间形成电容。当用户吸烟时，导电层发生变形，变形后的导电层与背极板间距变化，从而产生电容变化。在微差压传感器工作时，烟道内的气压影响mems芯片中检测电容的电容变化，检测电容变化时会在asic芯片与asic芯片中的参考电容进行逻辑比较，达到asic芯片设置的电容变化量触发阈值时微差压传感器会工作。
2、然而，因mems芯片中的检测电容和asic芯片中的参考电容的电容温度系数不同，在asic芯片工作时发热的情况下或者应用环境的温度发生变化的情况下，会导致asic芯片和mems芯片的温度不同，asic芯片会因温度的差异误触发工作信号，进而导致电子烟的误触发。
技术实现思路
1、本技术的实施例提供一种微差压传感器及电子设备，将参考电容设置在mems芯片中，以避免因参考电容和检测电容的电容温度系数的不同而导致的误触发工作信号。
2、为了解决上述技术问题，本技术的实施例公开了如下技术方案：
3、一方面，提供了一种微差压传感器，包括：
4、基板，所述基板设有在厚度方向上贯通所述基板的通孔；
5、mems芯片和asic芯片，所述mems芯片和asic芯片设置在所述基板上，所述mems芯片覆盖所述通孔；
6、其中，所述mems芯片包括参考电
7、所述asic芯片根据所述参考电容值和所述检测电容值间的差值是否超过一预设阈值判定是否发出工作信号。
8、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述微差压传感器还包括壳体，所述壳体设置在所述基板上，所述壳体与所述基板围合形成腔体，所述mems芯片和所述asic芯片容设在所述腔体内。
9、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述壳体上设有在厚度方向上贯穿所述壳体的透气孔，所述腔体通过所述透气孔与外界环境连通。
10、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述mems芯片内部具有背腔，所述背腔与所述通孔连通。
11、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述mems芯片包括沿所述基板厚度方向层叠的基底、振膜层、支撑层以及背极板；所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔；所述支撑层具有沿其厚度方向贯穿的贯通区域；在所述基底的厚度方向上，背腔与所述贯通区域的投影交叠。
12、其中，所述背极板包括绝缘层以及和所述绝缘层固定连接的导电层。
13、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述振膜层包括相互隔离的第一感测区域和第二感测区域，在所述基底的厚度方向上，所述第一感测区域、所述背腔以及所述贯通区域的投影交叠，所述第二感测区域固定夹设在所述支撑层与所述基底之间；
14、其中，所述第一感测区域与所述导电层构造成所述检测电容；所述第二感测区域与所述导电层构造成所述参考电容。
15、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述振膜层包括第一感测区域和第二感测区域；在所述基底的厚度方向上，所述第一感测区域、所述背腔以及所述贯通区域的投影交叠。
16、所述导电层包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，所述第一感测区域为可震动的振膜结构，所述第二感测区域固定夹设在所述支撑层与所述基底之间；
17、其中，所述第一感测区域与所述第一电极区域构造成所述检测电容；所述第二感测区域与所述第二电极区域构造成所述参考电容。
18、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述第一感测区域与所述第二感测区域呈轴对称设置。
19、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述第二感测区域环设在所述第一感测区域的外周。
20、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，在所述mems芯片处于非工作状态的情况下，所述检测电容和所述参考电容的电容值相等。
21、另一方面，进一步公开了一种电子设备，除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述电子设备包括如上述任一项所述的微差压传感器。
22、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：本申请将参考电容和检测电容均设置在mems芯片中，参考电容和检测电容的电容温度系数相同，以避免参考电容和待检测电容因电容温度系数不同在温度条件不同的情况下而导致asic芯片误触发工作信号。
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1.一种微差压传感器，其特征在于，包括：基板(20)，所述基板(20)设有在厚度方向上贯通所述基板(20)的通孔(21)；
2.如权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述微差压传感器还包括壳体(10)，所述壳体(10)设置在所述基板(20)上，所述壳体(10)与所述基板(20)围合形成腔体，所述MEMS芯片(40)和所述ASIC芯片(30)容设在所述腔体内。
3.如权利要求2所述的微差压传感器，其特征在于，所述壳体(10)上设有在厚度方向上贯穿所述壳体(10)的透气孔(11)，所述腔体通过所述透气孔(11)与外界环境连通。
4.如权利要求3所述的微差压传感器，其特征在于，所述MEMS芯片(40)内部具有背腔，所述背腔与所述通孔(21)连通。
5.如权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述MEMS芯片(40)包括沿所述基板(20)厚度方向层叠的基底、振膜层、支撑层以及背极板；所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔；所述支撑层具有沿其厚度方向贯穿的贯通区域；在所述基底的厚度方向上，背腔与所述贯通区域的投影交叠；
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7.如权利要求5所述的微差压传感器，其特征在于，所述振膜层包括第一感测区域和第二感测区域；在所述基底的厚度方向上，所述第一感测区域、所述背腔以及所述贯通区域的投影交叠；
8.如权利要求7所述的微差压传感器，其特征在于，所述第一电极区域(4021)与所述第二电极区域(4031)呈轴对称设置。
9.如权利要求7所述的微差压传感器，其特征在于，所述第二电极区域(4031)环设在所述第一电极区域(4021)的外周。
10.如权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，在所述MEMS芯片(40)处于非工作状态的情况下，所述检测电容(402)和所述参考电容(403)的电容值相等。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的微差压传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种微差压传感器，其特征在于，包括：基板(20)，所述基板(20)设有在厚度方向上贯通所述基板(20)的通孔(21)；
2.如权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述微差压传感器还包括壳体(10)，所述壳体(10)设置在所述基板(20)上，所述壳体(10)与所述基板(20)围合形成腔体，所述mems芯片(40)和所述asic芯片(30)容设在所述腔体内。
3.如权利要求2所述的微差压传感器，其特征在于，所述壳体(10)上设有在厚度方向上贯穿所述壳体(10)的透气孔(11)，所述腔体通过所述透气孔(11)与外界环境连通。
4.如权利要求3所述的微差压传感器，其特征在于，所述mems芯片(40)内部具有背腔，所述背腔与所述通孔(21)连通。
5.如权利要求1所述的微差压传感器，其特征在于，所述mems芯片(40)包括沿所述基板(20)厚度方向层叠的基底、振膜层、支撑层以及背极板；所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔；所述支撑层具有沿其厚度方向贯穿的贯通区域；在所述基底的厚度方向上，背腔与所述贯通区域的投...
【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，李刚，梅嘉欣，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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