【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微机电，特别涉及一种麦克风组件的封装结构。
技术介绍
1、高端电子产品对元器件的抗干扰能力要求越来越高，其中，mems硅麦克风作为声-电转换的重要器件，要求具有良好的抗rf性能，从而能准确接收和转换声音信号。在现有技术中，一般是在pcb板中的极性电路中设计几十到上百pf的埋容层，滤除电信号中的杂波，从而提升产品的抗rf性能。
2、然而，pcb板中的埋容设计会增加pcb金属层总数和生产工艺步骤，导致pcb板生产成本大幅上升，产品成本也相应增加。
技术实现思路
1、本技术的实施例提供一种麦克风组件的封装结构及麦克风，通过在基板上设置ipd电容芯片用以取代现有技术中基板中的埋容设计，以减少基板中的金属层层数，进而减少生产工艺步骤，降低生产成本。
2、为了解决上述技术问题，本技术的实施例公开了如下技术方案：
3、一方面，提供了一种麦克风组件的封装结构，包括：
4、基板；
5、壳体，其设置在所述基板的一侧，所述壳体与所述基板围设形
【技术保护点】
1.一种麦克风组件的封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述IPD电容芯片包括：
3.如权利要求1所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述IPD电容芯片包括：
4.如权利要求2或3任一项所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述衬底设置所述第一电极结构的一侧还设有电阻和第三焊盘，所述电阻与所述第一电极结构相分隔，且所述电阻分别与所述第二电极结构和所述第三焊盘连接。
5.如权利要求1所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述IPD电容芯片包括至少一个IPD电容，所述...
【技术特征摘要】
1.一种麦克风组件的封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述ipd电容芯片包括：
3.如权利要求1所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述ipd电容芯片包括：
4.如权利要求2或3任一项所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述衬底设置所述第一电极结构的一侧还设有电阻和第三焊盘，所述电阻与所述第一电极结构相分隔，且所述电阻分别与所述第二电极结构和所述第三焊盘连接。
5.如权利要求1所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述ipd电容芯片包括至少一个ipd电容，所述ipd电容的电容值c，满足，10pf≤c≤100pf。
6.如权利要求1所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述asic芯片层叠设置在所述ipd电容芯片上。
7.如权利要求6所述的麦克风组件的封装结构，其特征在于，所述ipd电容芯片包括用于与所述asic芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉婷，李刚，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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