差分电容式MEMS麦克风及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种差分电容式MEMS麦克风及其制造方法，所述麦克风包括：第一振膜；第一背板，设于所述第一振膜的上方；第二背板；第二振膜，设于所述第二背板的上方；支撑层，设于所述第一振膜和第一背板之间，以及所述第二背板和第二振膜之间；其中，所述第一振膜和第一背板形成的第一电容用于输出第一电容值信号，所述第二振膜和第二背板形成的第二电容用于输出第二电容值信号，所述第一电容值信号和第二电容值信号构成差分信号。本发明专利技术麦克风输出的第一电容值信号和第二电容值信号就会构成差分信号，可以提升高频抗扰度，确保更佳的音频信号处理效果。且制造流程简要，光刻层次较少，与现有成熟技术兼容，更容易大规模的量产，制造难度和成本低。难度和成本低。难度和成本低。

【技术实现步骤摘要】
差分电容式MEMS麦克风及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种差分电容式MEMS麦克风，还涉及一种差分电容式MEMS麦克风的制造方法。

技术介绍

[0002]微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)器件通常是采用集成电路制造技术来生产的。硅基麦克风在助听器和移动通讯设备等领域有广阔的应用前景。MEMS麦克风芯片的研究已经有20多年了，在此期间有很多类型的麦克风芯片研发出来，其中有压阻式、压电式和电容式等，其中电容式的MEMS麦克风应用最为广泛。电容式MEMS麦克风拥有以下优点：体积小、灵敏度高、频率特性好、噪声低等。
[0003]示例性的电容式MEMS麦克风结构为单振膜跟单背板组合的设计，一种是MEMS麦克风的振膜在下、背板在上的结构设计；另一种是MEMS麦克风的振膜在上、背板在下的结构设计。上述麦克风结构的抗干扰能力较差，麦克风的THD Value(Total Harmonic Distortion，总谐波失真值)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种差分电容式MEMS麦克风，其特征在于，包括：第一振膜；第一背板，设于所述第一振膜的上方；第二背板；第二振膜，设于所述第二背板的上方；支撑层，设于所述第一振膜和第一背板之间，以及所述第二背板和第二振膜之间；其中，所述第一振膜和第一背板形成的第一电容用于输出第一电容值信号，所述第二振膜和第二背板形成的第二电容用于输出第二电容值信号，所述第一电容值信号和第二电容值信号构成差分信号。2.根据权利要求1所述的差分电容式MEMS麦克风，其特征在于，所述第一振膜的形状和大小与所述第二振膜相同，所述第一背板的形状和大小与所述第二背板相同。3.根据权利要求1所述的差分电容式MEMS麦克风，其特征在于，所述支撑层为绝缘材质的牺牲层，所述第一振膜和第一背板之间的部分位置不设置支撑层从而形成第一空腔，所述第二振膜和第二背板之间的部分位置不设置支撑层从而形成第二空腔。4.根据权利要求1所述的差分电容式MEMS麦克风，其特征在于，所述第一背板和第二背板上均开设有多个声孔。5.根据权利要求1所述的差分电容式MEMS麦克风，其特征在于，所述第一振膜和第二振膜为柔性薄膜，所述第一背板和第二背板为刚性薄膜。6.根据权利要求1所述的差分电容式MEMS麦克风，其特征在于，还包括基板，所述第一振膜和第二背板设于所述基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯栋，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：