一种芯片切割刀片制造技术

本发明专利技术公开了一种芯片切割刀片，包括：包括第一切割层、第二切割层和第三切割层；所述第一切割层位于所述第二切割层的第一表面，所述第三切割层位于所述第二切割层的第二表面；所述第一切割层、所述第二切割层和所述第三切割层均由金刚石颗粒、c

A chip cutting blade

【技术实现步骤摘要】
一种芯片切割刀片


[0001]本专利技术涉及芯片切割工具
，尤其涉及一种芯片切割刀片。

技术介绍

[0002]随着芯片技术的发展，芯片越做越小，这就对了芯片的切割工序提出了更加严格的要求。目前，切割芯片所使用的大都是单叶片的工艺，即使采用很小很薄的刀片，对切割芯片时所产生的芯片切屑/裂纹也没有明显的改善，导致芯片切割表面的粗糙度较差。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种芯片切割刀片，能够有效减少切割芯片时所产生的切屑/裂纹，从而获得较好的芯片切割表面粗糙度。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种芯片切割刀片，包括第一切割层、第二切割层和第三切割层；所述第一切割层位于所述第二切割层的第一表面，所述第三切割层位于所述第二切割层的第二表面；所述第一切割层、所述第二切割层和所述第三切割层均由金刚石颗粒、c
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BN、Cr
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N和TiN组成；其中，
[0005]所述第一切割层和所述第三切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为3:7；所述第二切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为1:9；
[0006]所述第一切割层和所述第三切割层的平均粒度在20μm～50μm范围内，所述第二切割层的平均粒度在100μm～200μm范围内。
[0007]进一步地，所述第一切割层和所述第三切割层的密度在5g/cm2～15g/cm2范围内，所述第二切割层的密度在8g/cm2～15g/cm2范围内。
[0008]进一步地，所述第一切割层和所述第三切割层的厚度为20μm，所述第二切割层的厚度为80μm。
[0009]与现有技术相比，本专利技术实施例提供了一种芯片切割刀片，包括第一切割层、第二切割层和第三切割层；所述第一切割层位于所述第二切割层的第一表面，所述第三切割层位于所述第二切割层的第二表面；所述第一切割层、所述第二切割层和所述第三切割层均由金刚石颗粒、c
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BN、Cr
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N和TiN组成；其中，所述第一切割层和所述第三切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为3:7；所述第二切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为1:9；所述第一切割层和所述第三切割层的平均粒度在20μm～50μm范围内，所述第二切割层的平均粒度在100μm～200μm范围内；通过使用该芯片切割刀片，能够有效减少切割芯片时所产生的切屑/裂纹，从而获得较好的芯片切割表面粗糙度。
附图说明
[0010]图1是本专利技术提供的一种芯片切割刀片的一个优选实施例的截面图。
具体实施方式
[0011]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本
普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0012]本专利技术实施例提供了一种芯片切割刀片，参见图1所示，是本专利技术提供的一种芯片切割刀片的一个优选实施例的截面图，所述芯片切割刀片包括第一切割层、第二切割层和第三切割层；所述第一切割层位于所述第二切割层的第一表面，所述第三切割层位于所述第二切割层的第二表面；所述第一切割层、所述第二切割层和所述第三切割层均由金刚石颗粒、c
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BN、Cr
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N和TiN组成；其中，
[0013]所述第一切割层和所述第三切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为3:7；所述第二切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为1:9；
[0014]所述第一切割层和所述第三切割层的平均粒度在20μm～50μm范围内，所述第二切割层的平均粒度在100μm～200μm范围内。
[0015]具体的，该芯片切割刀片由第一切割层、第二切割层和第三切割层组成，第一切割层位于第二切割层的第一表面，第三切割层位于第二切割层的第二表面，即第二切割层位于第一切割层和第三切割层的中间，相应的，第一切割层为该芯片切割刀片的第一表面，第三切割层为该芯片切割刀片的第二表面。第一切割层、第二切割层和第三切割层均由金刚石颗粒、c
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BN(立方氮化硼)、Cr
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N(铬
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氮)和TiN(氮化钛)组成，金刚石颗粒包括大颗粒的金刚石(即大金刚石颗粒)和小颗粒的金刚石(即小金刚石颗粒)；第一切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为3:7，第二切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为1:9，第三切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为3:7；第一切割层的平均粒度在20μm～50μm范围内，第二切割层的平均粒度在100μm～200μm范围内，第三切割层的平均粒度在20μm～50μm范围内。
[0016]其中，若第一切割层和第三切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比小于3:7，第二切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比小于1:9，则意味着切割速率较快；若第一切割层和第三切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比大于3:7，第二切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比大于1:9，则会在切割时出现打滑的现象。若第一切割层和第三切割层的平均粒度大于50μm，第二切割层的平均粒度大于200μm，则会在切割时形成比较粗糙的切割面；若第一切割层和第三切割层的平均粒度小于20μm，第二切割层的平均粒度小于100μm，则会在切割时出现打滑的现象。
[0017]需要说明的是，该芯片切割刀片的两侧分别为第一切割层和第三切割层，中间为第二切割层，根据上述体积比以及平均粒度参数可知，第一切割层和第三切割层均为细沙层，由于其中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积相差不大，因此缝隙不大，磨削的效果很细腻，切割表面比较光滑；而第二切割层为大砂层，由于其中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积相差较大，因此缝隙较大，切割表面比较粗糙，但是，大砂层作为中间层能够保持该芯片切割刀片的刚性，并且使刀片进给速度快，可以提高切割速率。
[0018]作为上述方案的改进，所述第一切割层和所述第三切割层的密度在5g/cm2～15g/cm2范围内，所述第二切割层的密度在8g/cm2～15g/cm2范围内。
[0019]具体的，结合上述实施例，该芯片切割刀片的第一切割层的密度在5g/cm2～15g/cm2范围内，第二切割层的密度在8g/cm2～15g/cm2范围内，第一切割层的密度在5g/cm2～15g/cm2范围内；其中，若第一切割层和第三切割层的密度大于15g/cm2，第二切割层的密度大于15g/cm2，则容易在切割时产生破损；若第一切割层和第三切割层的密度小于5g/cm2，第二切割层的密度小于8g/cm2，则会导致该芯片切割刀片的的强度偏低，刀片偏软。
[0020]作为上述方案的改进，所述第一切割层和所述第三切割层的厚度为20μm，所述第二切割层的厚度为80μ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片切割刀片，其特征在于，包括第一切割层、第二切割层和第三切割层；所述第一切割层位于所述第二切割层的第一表面，所述第三切割层位于所述第二切割层的第二表面；所述第一切割层、所述第二切割层和所述第三切割层均由金刚石颗粒、c
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BN、Cr
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N和TiN组成；其中，所述第一切割层和所述第三切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为3:7；所述第二切割层中的小金刚石颗粒与大金刚石颗粒的体积比为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：马岳，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：