Dome盖和薄膜沉积设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种Dome盖。该Dome盖上设置有凹槽，与该Dome盖配合使用的卡扣在锁住该Dome盖时，卡扣的抵压端位于该凹槽内并抵靠凹槽的侧壁。由于凹槽对卡扣的抵压端进行了水平方向上的旋转限制，可以防止卡扣水平旋转滑出，在卡扣不旋转滑出的前提下，可保证对Dome盖稳定施压，从而在Dome高速旋转时，Dome盖不会转动，从而可以避免Dome盖带动晶片在定位环内转动的问题，进而可以减少晶片边缘的蹭伤和擦伤痕，提高产品质量。本实用新型专利技术还提供一种薄膜沉积设备，其包括上述的Dome盖以及与Dome盖配合使用的卡扣。盖配合使用的卡扣。盖配合使用的卡扣。

Dome cover and film deposition equipment

【技术实现步骤摘要】
Dome盖和薄膜沉积设备


[0001]本技术涉及半导体设备
，特别涉及一种Dome盖以及包括该Dome盖的薄膜沉积设备。

技术介绍

[0002]薄膜沉积设备例如化学气相沉积设备，是在晶片上制备薄膜的核心设备，尤其在制备超晶格、量子阱等方面具有明显优势，是现今信息产业化、国防高新化发展形势下，不可或缺的战略性高技术半导体设备。
[0003]薄膜沉积设备通常包括Dome(锅仔)，Dome即为沉膜腔体，晶片在Dome中形成薄膜。图1为一种薄膜沉积设备的局部示意图。该薄膜沉积设备中，如图1所示，Dome中设置有多个定位环10(ring)，晶片(wafer)放置在定位环10内，在进行镀膜生产时，还需在晶片上设置Dome盖11(Dome cover)以固定晶片，Dome盖11也放置在定位环10内，与Dome盖11配合使用的卡扣12抵压Dome盖11以固定Dome盖11。
[0004]但是，现有的Dome盖11在使用时，容易在Dome高速旋转时旋转，从而带动晶片在定位环10内旋转，使得晶片边缘容易被蹭伤和产生摩擦痕，影响晶片的质量。现有的Dome盖急需改进。

技术实现思路

[0005]本技术的目的之一是提供一种Dome盖和一种薄膜沉积设备，可以改善Dome盖在使用时旋转的问题，减少晶片边缘的蹭伤和擦伤痕，提高产品质量。
[0006]为了实现上述目的，本技术一方面提供一种Dome盖。所述Dome盖上设置有凹槽，与所述Dome盖配合使用的卡扣在锁住所述Dome盖时，所述卡扣的抵压端位于所述凹槽内并抵靠所述凹槽的侧壁。
[0007]可选的，所述凹槽为一圈环绕所述Dome盖的环槽。
[0008]可选的，所述凹槽设有一个或多个，每个所述凹槽均与卡扣一一对应配合。
[0009]可选的，所述凹槽位于所述Dome盖的边缘区域。
[0010]可选的，所述凹槽的侧壁为圆弧面。
[0011]可选的，所述凹槽的深度为0.5mm～1mm；所述凹槽的宽度为5mm～9mm。
[0012]可选的，所述Dome盖在装入定位环中时，所述定位环的上表面高于所述Dome盖的顶面，或者，所述定位环的上表面与所述Dome盖的顶面齐平。
[0013]可选的，所述Dome盖的厚度为0.7mm～0.9mm。
[0014]可选的，所述Dome盖为冲压一体成型。
[0015]本技术的另一方面还提供一种薄膜沉积设备，包括上述的Dome盖以及与所述Dome盖配合使用的卡扣。
[0016]本技术的Dome盖上设置有凹槽，与所述Dome盖配合使用的卡扣在锁住所述Dome盖时，所述卡扣的抵压端位于所述凹槽内并抵靠所述凹槽的侧壁。本申请采用凹槽的
设计，将卡扣的抵压端设置在凹槽内，卡扣抵压端向外旋转时，受到凹槽的限制，从而对卡扣的抵压端进行了水平方向上的旋转限制，进而防止了卡扣水平旋转滑出，在卡扣不旋转滑出的前提下，可保证对Dome盖稳定施压，因此在Dome高速旋转时，Dome盖不会转动，从而可以避免Dome盖带动晶片在定位环内转动的问题，进而可以减少晶片边缘的蹭伤和擦伤痕，提高产品质量。
[0017]进一步的，Dome盖中凹槽的侧壁为圆弧面，即凹槽的边缘为圆角设计，从而在锁住Dome盖或在解锁时，卡扣的移动较为顺滑，操作较为方便，且不需要大幅度抬起卡扣，可以减小对卡扣的损伤，有助于提高卡扣的寿命。
[0018]进一步的，Dome盖在装入定位环中时，所述定位环的上表面高于所述Dome盖的顶面，或者，所述定位环的上表面与所述Dome盖的顶面齐平，从而在锁住Dome盖或在解锁时，不需要抬起卡扣，操作方便，且可以避免损伤卡扣，提高卡扣寿命。
[0019]进一步，Dome盖为冲压一体成型，即Dome盖采用模具冲压成型的方式形成，与机械加工成型相比，所述Dome盖硬度和强度较高，使得Dome盖在使用过程中不容易被磕伤，减少Dome盖因磕伤而产生的凸点，有助于减少Dome盖上的凸点对晶片的损伤，提高产品质量。
附图说明
[0020]图1为一种薄膜沉积设备的局部示意图。
[0021]图2为本技术一实施例的Dome盖平面示意图。
[0022]图3为本技术一实施例的Dome盖和卡扣配合的剖面示意图。
[0023]图4为本技术一实施例的Dome盖和卡扣以及定位环的配合示意图。
[0024]附图标记说明：10
‑
定位环；11
‑
Dome盖，12
‑
卡扣；122
‑
固定螺丝；121
‑
卡条；13
‑
凹槽；14
‑
中心孔；15
‑
贯通孔。
具体实施方式
[0025]参考图1，现有的Dome盖11存在以下问题：(1)材质为常规6061铝(Al)，其是通过机械加工成型，硬度较差，在使用过程中磕伤频发，而Dome盖11磕伤产生的凸点又易导致晶片损伤(wafer chipping)；(2)该Dome盖11的高度约为7mm，在装入定位环10中时，Dome盖11的顶面会超出定位环10的表面，使得Dome盖11和定位环10之间存在高度差，在转动卡扣12锁住Dome盖11时，需将卡扣12抬起才能锁住Dome盖11，使用不方便，同时易损坏卡扣12，缩短了卡扣12的使用寿命；(3)该Dome盖11的厚度约为2mm，重量约为178g，由于Dome盖11的重量大，Dome高速转动时，Dome盖11也容易转动，从而会带动晶片在定位环10内旋转，使得晶片边缘容易被蹭伤和产生摩擦痕；(4)该Dome盖11的边缘为平整表面，在使用时，卡扣12抵压在Dome盖11的边缘上，Dome盖11由于Dome高速转动而转动时，卡扣12易转动而脱出，导致Dome盖11和晶片飞出，进而导致晶片报废。为了防止Dome盖转动，卡扣12可以使用0.6mm*6mm的弹簧(即弹簧的线径为0.6mm，弹簧的高度为6mm)来增加给Dome盖11的压力，但是这样增加压力又容易导致晶片压伤。
[0026]为了解决上述问题，本实施例提供一种Dome盖。所述Dome盖上设置有凹槽，与Dome盖配合使用的卡扣在锁住Dome盖时，卡扣的抵压端位于凹槽内并抵靠凹槽的侧壁。现有技术中由于卡扣作用点是垂直作用在Dome盖上的，卡扣在水平方向上的旋转并未受到相应的
限制，仅依靠与Dome盖的水平静摩擦力维持相对静止，因此Dome盖11由于Dome高速转动而转动时，卡扣12未受到水平方向力的限制易发生水平转动而脱出，目前也有采用加大弹簧压力来增加卡扣对Dome盖的垂直压力，以增加卡扣与Dome盖的水平摩擦力，来防止卡扣水平旋转，但是这样增加压力又容易导致晶片压伤，本申请采用凹槽的设计，将卡扣的抵压端设置在凹槽内，卡扣抵压端向外旋转时，受到凹槽的限制，从而对卡扣的抵压端进行了水平方向上的旋转限制，进而防止了卡扣水平旋转滑出，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Dome盖，其特征在于，所述Dome盖上设置有凹槽，与所述Dome盖配合使用的卡扣在锁住所述Dome盖时，所述卡扣的抵压端位于所述凹槽内并抵靠所述凹槽的侧壁。2.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽为一圈环绕所述Dome盖的环槽。3.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽设有一个或多个，每个所述凹槽均与卡扣一一对应配合。4.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽位于所述Dome盖的边缘区域。5.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在于，所述凹槽的侧壁为圆弧面。6.如权利要求1所述的Dome盖，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱鹏，曹乐，张建康，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：