沟槽内阶梯式场氧的制造方法、SGT器件制造方法及场氧技术

本发明专利技术公开了一种沟槽内阶梯式场氧的制造方法、SGT器件制造方法及场氧，该沟槽内阶梯式场氧的制造方法包括步骤一：提供一衬底，在衬底上生长外延，然后在外延中刻蚀第一沟槽；步骤二：在所述第一沟槽内淀积掩蔽物，该掩蔽物具有抗氧化能力；步骤三：运用掩膜覆盖一定厚度的侧壁掩蔽层后进行蚀刻形成第二沟槽；步骤四：将所述第二沟槽蚀刻至第二指定深度；步骤五：对所述第二沟槽进行氧化形成初场氧；步骤六：腐蚀侧壁掩蔽层，形成第三沟槽；步骤七：对所述第三沟槽进行氧化后场氧。本技术方案利用掩蔽层实现对沟槽部分区域进行掩蔽后进行氧化，待初场氧形成后对掩蔽层腐蚀，消除了掩蔽层的阻碍作用后通过氧化最终得到用于改变SGT器件电场凹陷区域的阶梯式场氧。SGT器件电场凹陷区域的阶梯式场氧。SGT器件电场凹陷区域的阶梯式场氧。

【技术实现步骤摘要】
沟槽内阶梯式场氧的制造方法、SGT器件制造方法及场氧


[0001]本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种沟槽内阶梯式场氧的制造方法、SGT器件制造方法及场氧。

技术介绍

[0002]SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅极沟槽）MOSFET是一种新型的功率半导体器件。SGT工艺比普通沟槽更简单，开关损耗更小。此外，SGT比普通沟槽工艺深3
‑
5倍，可以使用更多的外延体积来阻挡电压，这也使得SGT的内阻比普通MOSFET低2倍以上。
[0003]常规SGT(Split
‑
Gate
‑
Trench,分裂栅极沟槽)MOSFET结构及电场分布如图1所示，常规SGT结构背面金属层1上布设N+半导体衬底，N+半导体衬底如硅衬底2的表面上形成N
‑
外延层3，沟槽形成于N
‑
外延层3中，栅极结构形成在沟槽中，包括场氧4、源多晶硅5、IPO氧化层6、栅多晶硅7、介质层8和栅氧12；P
‑
阱区11形成于N
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽内阶梯式场氧的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一：提供一衬底，在衬底上生长外延，然后在外延中刻蚀第一沟槽；步骤二：在所述第一沟槽内淀积掩蔽物，该掩蔽物具有抗氧化能力；步骤三：运用掩膜覆盖一定厚度的侧壁掩蔽层后进行蚀刻形成第二沟槽；步骤四：将所述第二沟槽蚀刻至第二指定深度；步骤五：对所述第二沟槽进行氧化形成初场氧；步骤六：腐蚀侧壁掩蔽层，形成第三沟槽；步骤七：对所述第三沟槽进行氧化后形成场氧，所述场氧为阶梯式结构，包括有用于作用电场凹陷区域的第一场氧段和用于包裹源多晶硅的第二场氧段，所述第一场氧段厚度小于所述第二场氧段厚度。2.根据权利要求1所述的沟槽内阶梯式场氧的制造方法，其特征在于，所述步骤二掩蔽层淀积厚度需将所述第一沟槽填满，且需保证后续所述步骤四蚀刻的硬膜消耗量。3.根据权利要求1所述的沟槽内阶梯式场氧的制造方法，其特征在于，所述步骤三侧壁掩蔽层被覆盖厚度大于所述第一场氧段的厚度200
Ǻ
~500
Ǻ
。4.根据权利要求1所述的沟槽内阶梯式场氧的制造方法，其特征在于，所述第二场氧段包裹源多晶硅位于强电场的部分，降低第二场氧段空间且避免器件被击穿。5.根据权利要求1所述的沟槽内阶梯式场氧的制造方法，其特征在于，所述第一场氧段厚度为0.5倍第二场氧段厚度。6.一种SGT器件制造方法，其特征在于：该方法按照SGT工艺制造直至沟槽蚀刻时进行以下步骤：步骤一：提供一衬底，在衬底上生长外延，然后在外延中刻蚀第一沟槽；步骤二：在所述第一沟槽内淀积掩蔽物，该掩蔽物具有抗氧化能力；步骤三：运用掩膜覆盖一定厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：田甜，张伟，张小兵，廖光朝，
申请(专利权)人：深圳云潼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：