半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的若干相互分立的鳍部；在所述衬底上形成若干初始栅极结构；在所述初始栅极结构的顶部表面形成保护层；在所述保护层上形成图形化层，所述图形化层内具有若干图形化开口，所述图形化开口暴露出部分所述保护层的顶部表面；以所述图形化层为掩膜刻蚀保护层和所述初始栅极结构，在所述初始栅极结构内形成隔离开口；采用平坦化工艺去除保护层。通过增设保护层，使得刻蚀停止在所述保护层的表面，进而避免对所述初始栅极结构的顶部表面造成损伤。另外，通过平坦化工艺去除保护层能够有效减少对所述初始栅极结构顶部表面的损伤，进而改善最终形成的半导体结构的性能。体结构的性能。体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。
[0003]在集成电路的制造过程中，需要采用栅极切断(Gate Cut)工艺对条状栅极进行切断，切断后栅极与不同的晶体管相对应，可以提高晶体管的集成度。此外，多个栅极沿着延伸方向排列成一列时，通过栅极切断，能够高精度地缩小栅极切断后断开的栅极间的对接方向间距。
[0004]然而，现有技术采用栅极切断工艺所形成的半导体结构性能较差。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，能够有效的提升最终形成的半导体结构的性能。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的若干相互分立的鳍部；在所述衬底上形成若干初始栅极结构，所述初始栅极结构横跨于所述鳍部上；在所述初始栅极结构的顶部表面形成保护层；在所述保护层上形成图形化层，所述图形化层内具有若干图形化开口，所述图形化开口暴露出部分所述保护层的顶部表面；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述保护层和所述初始栅极结构，在所述初始栅极结构内形成隔离开口；在形成所述隔离开口之后，采用平坦化工艺去除保护层。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离开口之后，还包括：在所述隔离开口内形成初始隔离结构。3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构的材料包括氧化硅。4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构的形成方法包括：在所述隔离开口内以及所述保护层上形成隔离材料层；平坦化所述隔离材料层，直至暴露出所述保护层的顶部表面为止，形成所述初始隔离结构。5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述隔离材料层的工艺包括：化学机械研磨工艺。6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，去除保护层的平坦化工艺包括：化学机械研磨工艺。7.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用平坦化工艺去除保护层的过程中，还包括：去除部分所述初始隔离结构和部分所述初始栅极结构，使得所述初始隔离结构形成隔离结构，使得所述初始栅极结构形成栅极结构。8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化层包括：第一掩膜层以及位于所述第一掩膜层上的第二掩膜层。9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅。10.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料包括：氧化硅。11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述图形化层的形成方法包括：提供初始图形化层；在所述初始图形化层上形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层暴露出部分所述第一牺牲层的顶部表面；以所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一牺牲...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建，纪世良，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：