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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的若干相互分立的鳍部；在所述衬底上形成若干初始栅极结构；在所述初始栅极结构的顶部表面形成保护层；在所述保护层上形成图形化层，所述图形化层内具有若干图形化开口，所述图...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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