【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
[0002]随着电路集成度的提高和规模的增大，电路中的单元器件尺寸不断缩小，对集成电路制造工艺的要求不断提高，例如关键尺寸持续减小，芯片制造对光刻分辨率要求越来越高。
[0003]在半导体器件制造的工艺中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到衬底上。光刻过程包括：提供衬底；在半导体衬底上形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶，使得掩膜版上的图案转移到光刻胶中；以图案化的光刻胶为掩膜对衬底进行刻蚀，使得光刻胶上的图案转印到衬底中；去除光刻胶。
[0004]然而，现有技术中的图形转移工艺仍存在问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，能够有效提升最终形成的半导体结构的性能。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干第一区和若干第二区，所述第一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干第一区和若干第二区，所述第一区和第二区沿第一方向排布，且所述第一区位于相邻的所述第二区之间；在所述第一区上形成第一核心层，所述第一核心层沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相垂直；在所述第一核心层侧壁表面形成侧墙材料层；在所述待刻蚀层上形成第二核心层，所述第二核心层覆盖所述侧墙材料层的侧壁；在形成第二核心层之后，在所述第二区上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖部分所述第二核心层的顶部表面，所述阻挡层沿所述第二方向延伸，且部分所述阻挡层内具有隔断沟槽，所述隔离沟槽沿所述第一方向贯穿所述阻挡层；以所述阻挡层为掩膜，对所述第二核心层进行改性处理，在第二核心层内形成改性区，所述改性区内具有改性离子；在形成所述改性区之后，去除所述阻挡层、第一核心层以及所述阻挡层覆盖的所述第二核心层，在所述第二核心层内形成第一开口和第二开口。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一核心层的形成方法包括：在所述待刻蚀层上形成第一核心材料层；在所述第一核心材料层上形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分所述第一核心材料层的顶部表面；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述第一核心材料层，直至暴露出所述待刻蚀层的顶部表面为止，形成所述第一核心层。3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一核心层的材料包括：无定型硅、多晶硅、单晶硅、氧化硅、先进图膜材料、旋涂碳和碳化硅中的一种或多种。4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性区的形成方法包括：以所述阻挡层为掩膜对所述第二核心层进行所述改性离子的注入处理，形成所述改性区。5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性离子包括：硼离子、碳离子、磷离子和砷离子中的一种或多种。6.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性离子的注入处理的参数包括：注入能量为1.5KeV～13KeV；注入剂量为1.0E14atoms/cm2～1.0E16atoms/cm2。7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层还位于第一核心层顶部表面和所述待刻蚀层顶部表面；在形成所述改性区之后，去除位于第一核心层顶部的所述侧墙材料层。8.如权利要求7所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的形成工艺包括原子层沉积工艺。9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的材料包括：氧化钛、氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一种或多种。10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，部分所述阻挡层覆盖位于所述第一核心层侧壁上的所述侧墙材料层。11.如权利要求7所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二核心层的形成方法包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓伟，朱辰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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