半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层；在所述第一掩膜材料层表面形成光阻层，所述光阻层中具有相邻的第一开口和第二开口；对所述第一掩膜材料层进行多次旋转注入，以形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有相邻的第一掺杂区和第二掺杂区；刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出所述待刻蚀层表面，形成相邻的第一阻挡结构和第二阻挡结构。从而，降低了形成半导体结构的工艺的难度、减小了形成半导体结构的成本。成本。成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在形成制造半导体产品的过程中，通常通过光刻工艺，实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光或反光的区域照射至涂覆了光刻胶的待刻蚀层上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图形，实现掩模版图形的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的光刻图形对待刻蚀层进行刻蚀，将掩模版图形进一步转移至待刻蚀层。
[0003]然而，随着半导体结构的集成度提高，为了形成尺寸更小的图形，现有的光刻工艺较为复杂，导致形成半导体结构的制造工艺难度大且成本高。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以在待刻蚀层上形成间距更小的图形的同时，降低形成半导体结构的工艺的难度、减小形成半导体结构的成本。
[0005]为解决上述技术问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层；在所述第一掩膜材料层表面形成光阻层，所述光阻层中具有相邻的第一开口和第二开口，所述第一开口的底部暴露出所述第一掩膜材料层的部分表面，且所述第二开口的底部也暴露出所述第一掩膜材料层的部分表面；对所述第一掩膜材料层进行多次旋转注入，以形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有相邻的第一掺杂区和第二掺杂区，且每次所述旋转注入的离子注入角度大于0度；刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出所述待刻蚀层表面，形成相邻的第一阻挡结构和第二阻挡结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，每次所述旋转注入包括：将所述待刻蚀层围绕中心轴旋转第一角度，所述中心轴为经过所述待刻蚀层表面中心的法线；在旋转所述待刻蚀层后，以所述光阻层为掩膜，对所述第一掩膜材料层进行离子注入。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一角度大于0度，并且，小于或等于度或度中的一者，其中，d是所述光阻层的厚度，W1是第一开口的宽度，W2是第二开口的宽度，并且，以每10秒～60秒间转动45度的转速旋转所述第一角度。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述离子注入的工艺中，或其中，α是所述旋转注入的离子注入角度，H是所述第一掩膜材料层的厚度，W是预设宽度，W1是第一开口的宽度，W2是第二开口的宽度。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述离子注入的工艺中，离子注入的时间范围为30秒至300秒。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一掩膜层之后，且在刻蚀所述第一掩膜层之前，去除所述光阻层。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：以所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构为掩膜，对所述待刻蚀层进行刻蚀。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括衬底、以及位于所述衬底上的第二掩膜材料层，所述第二掩膜材料层与所述第一阻挡结构和第二阻挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：余桥，孙天杨，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：