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一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层；在所述第一掩膜材料层表面形成光阻层，所述光阻层中具有相邻的第一开口和第二开口；对所述第一掩膜材料层进行多次旋转注入，以形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有相邻...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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