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本发明公开了一种沟槽内阶梯式场氧的制造方法、SGT器件制造方法及场氧，该沟槽内阶梯式场氧的制造方法包括步骤一：提供一衬底，在衬底上生长外延，然后在外延中刻蚀第一沟槽；步骤二：在所述第一沟槽内淀积掩蔽物，该掩蔽物具有抗氧化能力；步骤三：运用掩...
该专利属于深圳云潼科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳云潼科技有限公司授权不得商用。

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