一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构。该结构包括引线框架，引线框架包括第一基岛和第二基岛，第一基岛和第二基岛沿第一方向依次排列；第一晶体管组，第一晶体管组位于第一基岛的正面，第一晶体管组包括第一P型晶体管和第一N型晶体管；第二晶体管组，第二晶体管组位于第二基岛的正面，第二晶体管组包括第二P型晶体管和第二N型晶体管；第一P型晶体管和第二P型晶体管的漏极串联电连接；第一P型晶体管和第二P型晶体管的源极分别与第一N型晶体管和第二N型晶体管的漏极一一对应电连接；第一N型晶体管和第二N型晶体管的漏极作为信号输出端。本实用新型专利技术减小PCB板占用面积和排线设计难度，提高散热效果和器件一致性。一致性。一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构


[0001]本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构。

技术介绍

[0002]目前市场上直流单相泵类、电机控制板均需要使用多颗金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
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Effect Transistor，MOSFET)器件或2颗半桥MOSFET器件组成驱动控制电路，产生泵和电机工作的相电压；现有技术存在印刷电路板占用面积大，散热差、器件一致性不好、排线布局设计复杂等问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构，以减小印刷电路板占用面积，提高散热效果，提高器件一致性，降低印刷电路板排线布局设计难度。
[0004]本技术实施例提供了一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构，该封装结构包括：
[0005]引线框架，所述引线框架包括第一基岛和第二基岛，所述第一基岛和所述第二基岛沿第一方向依次排列；
[0006]第一晶体管组，所述第一晶体管组位于所述第一基岛的正面，其中，所述第一晶体管组包括第一P型晶体管和第一N型晶体管；所述第一P型晶体管和所述第一N型晶体管沿第二方向依次排列；
[0007]第二晶体管组，所述第二晶体管组位于所述第二基岛的正面，其中，所述第二晶体管组包括第二P型晶体管和第二N型晶体管；所述第二P型晶体管和所述第二N型晶体管沿第二方向依次排列；
[0008]其中，所述第二方向与所述第一方向相互垂直；
[0009]所述第一P型晶体管和所述第二P型晶体管的漏极串联电连接；
[0010]所述第一P型晶体管和所述第二P型晶体管的源极分别与所述第一N型晶体管和所述第二N型晶体管的漏极一一对应电连接；
[0011]所述第一N型晶体管和所述第二N型晶体管的漏极作为信号输出端。
[0012]可选地，直流单相电机驱动功率器件的封装结构还包括4个绝缘设置的栅极连接电极，所述栅极连接电极包括第一栅极连接电极、第二栅极连接电极、第三栅极连接电极和第四栅极连接电极；
[0013]所述第一栅极连接电极和所述第二栅极连接电极设置于所述引线框架的第一区域；所述第三栅极连接电极和所述第四栅极连接电极设置于所述引线框架的第二区域；其中，所述第一区域与所述第二区域相互平行，且所述第一区域和所述第二区域沿第二方向位于所述第一基岛和所述第二基岛的两侧；
[0014]所述第一栅极连接电极和所述第二栅极连接电极分别与所述第一P型晶体管的栅
极和所述第二P型晶体管的栅极一一对应电连接；
[0015]所述第三栅极连接电极和所述第四栅极连接电极分别与所述第一N型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极一一对应电连接。
[0016]可选地，直流单相电机驱动功率器件的封装结构还包括：
[0017]第一源极连接电极和第二源极连接电极，所述第一源极连接电极和所述第二源极连接电极分别与所述第一N型晶体管的源极和所述第二N型晶体管的源极一一对应电连接；
[0018]所述第一源极连接电极和所述第二源极连接电极设置于所述引线框架的第二区域。
[0019]可选地，直流单相电机驱动功率器件的封装结构还包括：
[0020]第一漏极连接电极和第二漏极连接电极，所述第一漏极连接电极和所述第二漏极连接电极分别与所述第一P型晶体管的漏极和所述第二P型晶体管的漏极一一对应电连接；
[0021]所述第一漏极连接电极和所述第二漏极连接电极设置于所述引线框架的第一区域。
[0022]可选地，直流单相电机驱动功率器件的封装结构还包括：
[0023]第一输出电极和第二输出电极，所述第一输出电极和所述第二输出电极分别与所述第一N型晶体管的漏极和所述第二N型晶体管的漏极电连接；
[0024]所述第一输出电极和第二输出电极设置于所述第一基岛和所述第二基岛的背面，其中所述背面为所述第一基岛和所述第二基岛未设置所述晶体管的表面。
[0025]可选地，直流单相电机驱动功率器件的封装结构还包括：连接片，所述第一P型晶体管的栅极和所述第二P型晶体管的栅极分别与所述第一栅极连接电极和所述第二栅极连接电极之间通过连接片电连接；所述第一N型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极分别与所述第三栅极连接电极和所述第四栅极连接电极之间通过连接片电连接；
[0026]所述第一N型晶体管的源极和所述第二N型晶体管的源极分别与所述第一源极连接电极和第二源极连接电极之间通过连接片电连接；
[0027]所述第一P型晶体管的漏极和所述第二P型晶体管的漏极分别与所述第一漏极连接电极和第二漏极连接电极之间通过连接片电连接。
[0028]可选地，所述连接片包括下述中的至少一种：焊接金线、焊接铜线、焊接铝带以及焊接铜片。
[0029]可选地，直流单相电机驱动功率器件的封装结构还包括环氧塑封层，所述环氧塑封层用于塑封所述引线框架、所述第一晶体管组以及所述第二晶体管组。
[0030]本实施例的技术方案通过将2个P型晶体管和2个N型晶体管集成在一个引线框架上，实现了将直流单相电机驱动功率器件的电路集成在一个引线框架上，在应用直流单相电机驱动功率器件时，无需再将多个晶体管焊接在印刷电路板上，只需要将全桥功率器件的封装结构焊接在印刷电路板上即可，减小了印刷电路板的体积，并且使得直流单相电机驱动功率器件的印刷电路板的走线更加方便。将2个P型晶体管和2个N型晶体管集成在同一个引线框架单元，便于快速散热，降低直流单相电机驱动功率器件结温。2个P型晶体管和2个N型晶体管集成在一起，产品一致性好。采用DFN封装具有直接散热通道，用于释放封装内的热量，有利于提高封装结构的散热效果，从而提高印刷电路板的散热效果。本实施例的技术方案解决了现有技术将多个晶体管焊接在印刷电路板上，导致印刷电路板占用面积大，
散热差；印刷电路板排线布局设计复杂，器件一致性差的问题，具有减小应用直流单相电机驱动功率器件的印刷电路板的占用面积，提高散热效果，降低排线布局设计复杂度，提高器件一致性的有益效果。
附图说明
[0031]图1是本技术实施例提供的一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构的示意图；
[0032]图2是本技术实施例提供的图1对应的直流单相电机驱动功率器件的封装结构的电路结构示意图；
[0033]图3是本技术实施例提供的另一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构的示意图。
具体实施方式
[0034]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0035]图1是本技术实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架包括第一基岛和第二基岛，所述第一基岛和所述第二基岛沿第一方向依次排列；第一晶体管组，所述第一晶体管组位于所述第一基岛的正面，其中，所述第一晶体管组包括第一P型晶体管和第一N型晶体管；所述第一P型晶体管和所述第一N型晶体管沿第二方向依次排列；第二晶体管组，所述第二晶体管组位于所述第二基岛的正面，其中，所述第二晶体管组包括第二P型晶体管和第二N型晶体管；所述第二P型晶体管和所述第二N型晶体管沿第二方向依次排列；其中，所述第二方向与所述第一方向相互垂直；所述第一P型晶体管和所述第二P型晶体管的漏极串联电连接；所述第一P型晶体管和所述第二P型晶体管的源极分别与所述第一N型晶体管和所述第二N型晶体管的漏极一一对应电连接；所述第一N型晶体管和所述第二N型晶体管的漏极作为信号输出端。2.根据权利要求1所述的直流单相电机驱动功率器件的封装结构，其特征在于，还包括4个绝缘设置的栅极连接电极，所述栅极连接电极包括第一栅极连接电极、第二栅极连接电极、第三栅极连接电极和第四栅极连接电极；所述第一栅极连接电极和所述第二栅极连接电极设置于所述引线框架的第一区域；所述第三栅极连接电极和所述第四栅极连接电极设置于所述引线框架的第二区域；其中，所述第一区域与所述第二区域相互平行，且所述第一区域和所述第二区域沿第二方向位于所述第一基岛和所述第二基岛的两侧；所述第一栅极连接电极和所述第二栅极连接电极分别与所述第一P型晶体管的栅极和所述第二P型晶体管的栅极一一对应电连接；所述第三栅极连接电极和所述第四栅极连接电极分别与所述第一N型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极一一对应电连接。3.根据权利要求2所述的直流单相电机驱动功率器件的封装结构，其特征在于，还包括：第一源极连接电极和第二源极连接电极，所述第一源极连接电极和所述第二源极连接电极分别与所述第一N型晶体管的源极和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小兵，廖光朝，
申请(专利权)人：深圳云潼科技有限公司，
类型：新型
国别省市：