一种全桥模块及控制板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种全桥模块及控制板，全桥模块包括若干半导体元件、若干引脚端子以及若干焊盘；半导体元件用于构成全桥，全桥、引脚端子封装于模压化合物中，引脚端子的至少一个表面暴露在模压化合物外，焊盘裸露于模压化合物外；模压化合物内部，全桥的电源端、输出端通过引线与对应的焊盘相连接，全桥的控制端、采样端、参考电源端通过引线与对应的引脚端子相连接。相连接。相连接。

【技术实现步骤摘要】
一种全桥模块及控制板


[0001]本技术实施例涉及封装技术，尤其涉及一种全桥模块及控制板。

技术介绍

[0002]全桥逆变电路通常用于将直流电转换为交流电，在工业低压的应用场景中，通常直接将半导体器件布设在控制板上，并与控制板上的其他元件构成全桥逆变电路，通过此种方式构成的控制板体积大，散热性能差，同时用于构成全桥的半导体器件没有实现模块化，全桥逆变结构的杂散电感较高。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种全桥模块及控制板，以达到提高全桥模块的性能的目的。
[0004]第一方面，本技术实施例提供了一种全桥模块，包括若干半导体元件、若干引脚端子以及若干焊盘；
[0005]所述半导体元件用于构成全桥，所述全桥、引脚端子封装于模压化合物中，所述引脚端子的至少一个表面暴露在所述模压化合物外，所述焊盘裸露于所述模压化合物外；
[0006]所述模压化合物内部，所述全桥的电源端、输出端通过引线与对应的所述焊盘相连接，所述全桥的控制端、采样端、参考电源端通过引线与对应的所述引脚端子相连接。
[0007]进一步的，半导体元件为MOS管，全桥模块包括六个所述MOS管，所述六个MOS管构成三相全桥。
[0008]进一步的，所述焊盘包括一个电源输入焊盘、三个电源输出焊盘；
[0009]在所述模压化合物内部，所述三相全桥的电源端通过引线与所述电源输入焊盘相连接，每相全桥的输出端分别与一个所述电源输出焊盘相连接。
[0010]进一步的，所述全桥模块的底面划分为上桥臂区和下桥臂区；
[0011]所述电源输入焊盘覆盖所述上桥臂区，所述电源输出焊盘并列的设在在所述下桥臂区外，一个所述电源输出焊盘覆盖一相下桥臂所处的区域。
[0012]进一步的，所述引脚端子包括六个控制引脚端子、三个采样引脚端子，至少三个参考电源端子；
[0013]所述六个控制引脚端子对称的分布在所述全桥模块的两个侧边，位于所述上桥臂区的三个控制引脚端子分别与位于上桥臂区一侧的三个MOS管的控制端相连接，位于所述下桥臂区一侧的三个控制引脚端子分别与位于下桥臂区的三个MOS管的控制端相连接；
[0014]所述参考电源端子位于所述下桥臂区一侧，所述参考电源端子与位于下桥臂区的三个MOS管的参考电源端相连接；
[0015]所述采样引脚端子位于所述上桥臂区一侧，一个所述采样引脚端子与一相全桥的输出端相连接。
[0016]进一步的，所述上桥臂区一侧，与一相桥臂对应的采样引脚端子、控制引脚端子位置相邻。
[0017]进一步的，所述下桥臂区一侧，与一相桥臂对应的参考电源端子、控制引脚端子位置相邻。
[0018]进一步的，所述全桥模块包括六个参考电源端子，一相桥臂对应两个所述参考电源端子；
[0019]所述下桥臂区一侧，与一相桥臂对应的两个所述参考电源端子位置相邻。
[0020]进一步的，所述全桥模块的尺寸为14mm*12mm*1mm。
[0021]第二方面，本技术实施例还提供了一种控制板，包括本技术实施例记载的任一所述的全桥模块。
[0022]与现有技术相比，本技术的有益效果在于：
[0023]1.本技术提出的全桥模块为一种无引脚封装，全桥模块的外部不设置用于与PCB等板材实现电气连接的引出的引脚，全桥模块通过引脚端子以及焊盘实现电气连接；
[0024]全桥模块中的引脚端子置于模压化合物的内部，可以使得全桥模块中的半导器元件与引脚端子之间的引线较短，进而减小引线的自感系数以及引线电阻，提高全桥模块的性能。
[0025]2.本实施例提出的全桥模块中的焊盘置于模压化合物的外部，配置焊盘与全桥中具备大电压、大电流的端口相连接，由于焊盘裸露与模压化合物的外部，因此可以提高全桥模块的散热性能。
附图说明
[0026]图1是实施例中的一种全桥结构示意图；
[0027]图2是实施例中的全桥模块底面示意图；
[0028]图3是实施例中的全桥模块截面示意图；
[0029]图4是实施例中的MOS管布局示意图。
具体实施方式
[0030]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0031]实施例一
[0032]本实施例提出一种全桥模块，包括若干半导体元件、若干引脚端子以及若干焊盘。
[0033]本实施例中，半导体元件用于构成全桥，图1是实施例中的一种全桥结构示意图，参考图1，示例性的，全桥模块可以包括六个半导体元件(Q1～Q6)，六个半导体元件构成三相全桥。
[0034]示例性的，本实施例中，不对全桥的结构做具体限定，除三相全桥外，全桥也可以为两相全桥。
[0035]本实施例中，全桥、引脚端子封装于模压化合物中，引脚端子的至少一个表面暴露在模压化合物外，焊盘裸露于模压化合物外。
[0036]图2是实施例中的全桥模块底面示意图，作为一种可实施方案，全桥模块配置有引脚端子P1～P15，焊盘101～104。
[0037]图3是实施例中的全桥模块截面示意图，参考图1至图3，以半导体元件Q1、半导体元件Q2，引脚端子P10、引脚端子P1，焊盘101、焊盘102为例说明全桥模块的结构；
[0038]示例性的，半导体元件Q1、半导体元件Q2封装于模压化合物1000内部，半导体元件Q1、半导体元件Q2位于模压化合物1000的中部区域；
[0039]引脚端子P10、P1封装于模压化合物1000内部，引脚端子P10、P1位于模压化合物1000的边缘区域，同时，引脚端子P10、P1的底面暴露在模压化合物1000外。其中，当全桥模块设置在PCB板上时，引脚端子P10、P1的底面焊接于与PCB板上的焊盘；
[0040]焊盘101、焊盘102置于全桥模块的底面且裸露于模压化合物1000外。
[0041]本实施例中，模压化合物内部，全桥的电源端、输出端通过引线与对应的焊盘相连接，全桥的控制端、采样端、参考电源端通过引线与对应的引脚端子相连接。
[0042]参考图1和图3，以三相全桥中的半导体元件Q1、半导体元件Q2为例，半导体元件Q1和半导体元件Q2构成三相全桥中的一相桥臂；
[0043]半导体元件Q1的电源端通过一条引线与焊盘101相连接，半导体元件Q1的控制端通过一条引线与引脚端子P10相连接；
[0044]在模压化合物内部，半导体元件Q1和半导体元件Q2相连接两端的连接点为该相桥臂的输出端，该输出端通过一条引线与焊盘102相连接；
[0045]半导体元件Q2的控制端通过一条引线与引脚端子P1相连接(图3中未示出与半导体元件Q2的参考电源端相连接的引脚端子)。
[0046]示例性的，本实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全桥模块，其特征在于，包括若干半导体元件、若干引脚端子以及若干焊盘；所述半导体元件用于构成全桥，所述全桥、引脚端子封装于模压化合物中，所述引脚端子的至少一个表面暴露在所述模压化合物外，所述焊盘裸露于所述模压化合物外；所述模压化合物内部，所述全桥的电源端、输出端通过引线与对应的所述焊盘相连接，所述全桥的控制端、采样端、参考电源端通过引线与对应的所述引脚端子相连接。2.如权利要求1所述的全桥模块，其特征在于，半导体元件为MOS管，全桥模块包括六个所述MOS管，所述六个MOS管构成三相全桥。3.如权利要求2所述的全桥模块，其特征在于，所述焊盘包括一个电源输入焊盘、三个电源输出焊盘；在所述模压化合物内部，所述三相全桥的电源端通过引线与所述电源输入焊盘相连接，每相全桥的输出端分别与一个所述电源输出焊盘相连接。4.如权利要求3所述的全桥模块，其特征在于，所述全桥模块的底面划分为上桥臂区和下桥臂区；所述电源输入焊盘覆盖所述上桥臂区，所述电源输出焊盘并列的设在所述下桥臂区外，一个所述电源输出焊盘覆盖一相下桥臂所处的区域。5.如权利要求4所述的全桥模块，其特征在于，所述引脚端子包括六个控制引脚端子、三个采样引脚端...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小兵，
申请(专利权)人：深圳云潼科技有限公司，
类型：新型
国别省市：