功率MOS管芯片多联结构制造技术

本发明专利技术设计涉及管芯片技术领域，且公开了功率MOS管芯片多联结构，所述移动杆的内壁均匀安装有齿条，所述移动杆的表面均安装有挤压垫，所述顶板的下表面四角均开设有连接槽，所述底板的上表面四角均固定有连接块，且连接槽与连接块的位置、大小相适配，所述顶板的上表面开设有散热窗，所述散热窗的内腔安装有过滤网。加设的移动杆紧密的与管芯片本体的表面接触后，即可对管芯片本体进行固定，使得管芯片本体能够牢固的被固定，提高了管芯片本体的稳定性；加设的过滤网能够对外界的灰尘进行阻拦，使得不会有大量的灰尘吸附在管芯片本体的表面，减少了灰尘对管芯片本体腐蚀的程度，提高了管芯片本体的使用寿命。高了管芯片本体的使用寿命。高了管芯片本体的使用寿命。

Power MOS chip multi connected structure

【技术实现步骤摘要】
功率MOS管芯片多联结构


[0001]本专利技术设计涉及管芯片
，具体为功率MOS管芯片多联结构。

技术介绍

[0002]芯片技术是一项新兴产业，主要分有基因芯片技术、倒装芯片技术、生物芯片技术、组织芯片技术、蛋白质芯片技术、蛋白芯片技术、DNA芯片技术、液相芯片技术、芯片封装技术。
[0003]常见的功率MOS管芯片一般都安装有卡扣，通过卡扣的方式直接进行安装，讲卡扣插入卡孔中即可将管芯片安装完毕，但是由于采用以上方式，管芯片在受到震动时容易发生晃动，经过多次晃动后管芯片的卡扣将会从卡孔中脱离出来，导致管芯片掉落，需要工作人员查询原因，对工作人员的使用造成影响，同时管芯片由于裸露在外部，长时间的使用后管芯片的表面会堆积大量的灰尘，灰尘较多容易对管芯片的紧密结构造成腐蚀，导致管芯片的使用寿命降低，为此提出功率MOS管芯片多联结构。

技术实现思路

[0004][0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本专利技术设计提供了功率MOS管芯片多联结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现上述目的，本专利技术设计提供如下技术方案：功率MOS管芯片多联结构，包括底板，所述底板的上表面中部开设有安装槽，所述安装槽的内腔通过固定机构卡接有管芯片本体，所述底板的上端连接有防尘机构。
[0009]所述固定机构包括所述底板的内壁均匀开设的安装腔室，所述安装腔室的内腔均通过轴承安装有第一锥齿轮，所述第一锥齿轮的表面均安装有丝杆，所述丝杆的外周均设有移动杆，所述移动杆的内壁均匀安装有齿条，所述齿条与丝杆的表面啮合。
[0010]优选的，所述移动杆的表面均安装有挤压垫。
[0011]优选的，所述防尘机构包括所述底板的上方设置的顶板，所述顶板的下表面四角均开设有连接槽，所述底板的上表面四角均固定有连接块，且连接槽与连接块的位置、大小相适配，所述顶板的上表面开设有散热窗，所述散热窗的内腔安装有过滤网。
[0012]优选的，所述第一锥齿轮的表面均啮合有第二锥齿轮，所述第二锥齿轮的表面均固定有连接杆，所述连接杆的低端均开设有十字槽。
[0013]优选的，所述移动杆的上表面与下表面均固定有滑块，所述安装腔室与滑块的两侧内壁均焊接有滑轨，所述滑轨与滑块的位置、大小相适配。
[0014]优选的，所述管芯片本体的上表面均匀开设有散热孔，所述管芯片本体的外周安装有防护板，所述防护板的外周均匀固定有卡块。
[0015]优选的，所述安装槽的内壁均匀开设有卡槽，所述卡槽与卡块的位置、大小相适配。
[0016]优选的，所述卡槽的两侧内壁均开设有限位槽，所述卡块的两侧均固定有限位块，所述限位块与限位槽的位置、大小相适配。
[0017]优选的，还包括散热清理机构，所述散热清理机构与所述顶板连接，所述散热清理机构包括：
[0018]安装座：所述安装座的下端与所述顶板的上端固定连接，所述安装座的下端设有安装腔，所述安装腔的上侧左右两端连通设有安装槽，所述安装腔的下侧左右两端对称设有进气孔，所述安装腔的中部左右两端之间滑动设有升降板，所述安装槽和进气孔均与所述安装腔连通；
[0019]电机一：所述电机一设置在所述安装座的上端内部，且电机与伸缩轴的固定端固定连接，所述伸缩轴的固定端贯穿所述安装腔的上端进入安装腔中与两个带轮固定连接，上侧的带轮通过传送带一与转动轮一连接，下侧的带轮通过传送带二与转动轮二连接；
[0020]所述转动轮一和转动轮二的内部空腔一侧均设有配合槽，所述配合槽与配合块配合，所述配合块与凹槽滑动连接，且配合块和凹槽之间固定设有弹簧，所述凹槽设置在转动块的侧端，且转动块与转动轴一固定连接，所述转动轴一与所述安装腔的上端转动连接；
[0021]两个齿轮二：所述两个齿轮二分别转动设置在左右两侧的所述安装槽中，且齿轮二穿过安装槽进入安装腔中与齿轮一啮合，所述齿轮一与所述转动轴一固定连接；
[0022]两个转动杆：所述两个转动杆的螺纹段对称设置在所述升降板的左右两侧，且转动杆的螺纹段与所述升降板螺纹连接，所述转动杆的圆柱段贯穿所述安装槽的下端进入安装槽中与所述齿轮二固定连接；
[0023]导向筒：所述导向筒设置在所述升降板的下端，所述导向筒远离所述升降板的一端与清扫盘上端的环形槽滑动连接，所述清扫盘的下端安装有清洁刷，所述清扫盘的上端中部固定连接有减速齿轮一，且减速齿轮一内部的啮合腔与减速齿轮二啮合，所述减速齿轮二与所述伸缩轴的伸缩端固定连接，所述伸缩轴的伸缩端贯穿所述升降板，且伸缩轴的伸缩端与所述升降板固定连接；
[0024]两个工作壳：所述两个工作壳对称设置在所述安装腔的下侧左右两端，且工作壳的上端与所述转动杆远离齿轮二的一端转动连接，所述工作壳的内部设有工作腔，所述工作壳靠近所述安装腔的中部一端上下两侧设有出气孔，所述进气孔、工作腔和出气孔依次连通；
[0025]两个电机二：所述两个电机二分别与左右两侧的所述工作壳的上端固定连接，所述电机二与转动轴二固定连接，所述转动轴二贯穿所述工作壳的上端进入工作腔中与齿轮三、第三锥齿轮固定连接，所述齿轮三与齿轮四啮合，所述齿轮四与转动轴三固定连接，且转动轴三与冷凝管固定连接，所述转动轴三和冷凝管转动设置在所述工作腔的上下两端之间；
[0026]两个第四锥齿轮：所述两个第四锥齿轮分别与左右两侧的所述第三锥齿轮啮合，所述第四锥齿轮与转动轴四固定连接，所述转动轴四贯穿所述工作壳靠近所述安装腔的一端中部进入所述安装腔中，且转动轴四与冷却扇固定连接；
[0027]所述工作壳靠近所述安装腔的一端中部固定设有轴承，所述轴承与所述转动轴四
固定连接；
[0028]所述转动轮一的上端、转动轮二的上端与所述安装腔的上端之间均转动设有安装套；
[0029]所述凹槽的底端设有电磁块，所述配合块靠近所述凹槽的一端设有磁块，且电磁块和磁块对应设置。
[0030](三)有益效果
[0031]与现有技术相比，本专利技术设计提供了功率MOS管芯片多联结构，具备以下有益效果：
[0032]1、该功率MOS管芯片多联结构，加设的第二锥齿轮通过转动能够带动第一锥齿轮转动，第一锥齿轮转动能够带动丝杆转动，丝杆转动能够带动移动杆移动，使得移动杆能够向管芯片本体的表面移动，当移动杆紧密的与管芯片本体的表面接触后，即可对管芯片本体进行固定，使得管芯片本体能够牢固的被固定，在受到外界的震动时，管芯片本体能够保持平稳，难以脱落，提高了管芯片本体的稳定性；
[0033]2、该功率MOS管芯片多联结构，加设的底板与顶板通过连接槽与连接块相连能够对管芯片本体进行包裹，同时加设的散热窗能够对管芯片本体进行散热处理，使得底板与顶板在对管芯片本体保护时，也能够对管芯片本体进行散热，加设的过滤网能够对外界的灰尘进行阻拦，使得不会有大量的灰尘吸附在管芯片本体的表面，减少了灰尘对管芯片本体腐蚀的程度，提高了管芯片本体的使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.功率MOS管芯片多联结构，包括底板(1)，其特征在于：所述底板(1)的上表面中部开设有安装槽(2)，所述安装槽(2)的内腔通过固定机构卡接有管芯片本体(3)，所述底板(1)的上端连接有防尘机构。2.根据权利要求1所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：所述固定机构包括所述底板(1)的内壁均匀开设的安装腔室(4)，所述安装腔室(4)的内腔均通过轴承安装有第一锥齿轮(5)，所述第一锥齿轮(5)的表面均安装有丝杆(6)，所述丝杆(6)的外周均设有移动杆(7)，所述移动杆(7)的内壁均匀安装有齿条(8)，所述齿条(8)与丝杆(6)的表面啮合。3.根据权利要求2所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：所述移动杆(7)的表面均安装有挤压垫(73)。4.根据权利要求1所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：所述防尘机构包括所述底板(1)的上方设置的顶板(10)，所述顶板(10)的下表面四角均开设有连接槽(11)，所述底板(1)的上表面四角均固定有连接块(12)，且连接槽(11)与连接块(12)的位置、大小相适配，所述顶板(10)的上表面开设有散热窗(13)，所述散热窗(13)的内腔安装有过滤网(14)。5.根据权利要求2所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：所述第一锥齿轮(5)的表面均啮合有第二锥齿轮(51)，所述第二锥齿轮(51)的表面均固定有连接杆(52)，所述连接杆(52)的低端均开设有十字槽(53)。6.根据权利要求2所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：所述移动杆(7)的上表面与下表面均固定有滑块(71)，所述安装腔室(4)与滑块(71)的两侧内壁均焊接有滑轨(72)，所述滑轨(72)与滑块(71)的位置、大小相适配。7.根据权利要求1所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：所述管芯片本体(3)的上表面均匀开设有散热孔(15)，所述管芯片本体(3)的外周安装有防护板(16)，所述防护板(16)的外周均匀固定有卡块(17)。8.根据权利要求7所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：所述安装槽(2)的内壁均匀开设有卡槽(18)，所述卡槽(18)与卡块(17)的位置、大小相适配。9.根据权利要求8所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：所述卡槽(18)的两侧内壁均开设有限位槽(19)，所述卡块(17)的两侧均固定有限位块(20)，所述限位块(20)与限位槽(19)的位置、大小相适配。10.根据权利要求4所述的功率MOS管芯片多联结构，其特征在于：还包括散热清理机构，所述散热清理机构与所述顶板(10)连接，所述散热清理机构包括：安装座(9)：所述安装座(9)的下端与所述顶板(10)的上端固定连接，所述安装座(9)的下端设有安装腔(91)，所述安装腔(91)的上侧左右两端连通设有安装槽(92)，所述安装腔(91)的下侧左右两端对称设有进气孔(93)，所述安装腔(91)的中部左右两端之间滑动设有升降板(916)，所述安装槽(92)和进气孔(93)均与所述安装腔(91)连通；电机一(94)：所述电机一(94)设置在所述安装座(9)的上端内部，且电机(94)与伸缩轴(95)的固定端固定连接，所述伸缩轴(95)的固定端贯穿所述安装腔(91)的上端进入安装腔(91)中与两个带轮(96)固定连接，上侧的带轮(96)通过传送带一与转动轮一(97)连接，下侧的带轮(96)通过传送带二与转动轮二(98)连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵喜高，
申请(专利权)人：广东可易亚半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：