一种高EAS的VDMOS器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管，所述VDMOS管的顶部套接有屏蔽层，且屏蔽层的外壁固定连接有隔温层，所述屏蔽层两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽。本实用新型专利技术在使用时，隔温层与密封条为VDMOS管共同构建密闭的隔温环境，使VDMOS管的管体温度不受散热元件影响而降温，可以维持高水平的雪崩击穿电压，屏蔽层则保护VDMOS管不受外界电场干扰，多角度提升VDMOS管的使用寿命，自锁组件无需额外的加固步骤，可以伴随隔温层和屏蔽层的下压过程自动锁合卡槽，降低器件的装配成本。降低器件的装配成本。降低器件的装配成本。

【技术实现步骤摘要】
一种高EAS的VDMOS器件


[0001]本技术涉及电子元件
，尤其涉及一种高EAS的VDMOS器件。

技术介绍

[0002]VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流。
[0003]雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中。这种结的阻挡层很宽，随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，通过阻挡层的载流子在电场作用下的漂移速度加快，动能增大。当反向电压大到一定数值时，载流子获得的动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子
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空穴对。这个过程称为碰撞电离。新产生的自由电子
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空穴对，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子
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空穴对。随着温度的升高，晶格的热振动加剧，致使载流子运动的平均自由路程缩短。因此，在与原子碰撞前由外加电场加速获得的能量减小，发生碰撞电离的可能性也相应减小。在这种情况下，只有提高反向电压，进一步增强电场，才能发生雪崩击穿。
[0004]因此，雪崩击穿电压随温度升高而提高，具有正的温度系数，目前的电子器件通常配备散热组件，降低元器件的环境温度以及阻抗，对于VDMOS管，在温度降低后，EAS会同步降低，发生雪崩击穿的可能性随之增加，过低的环境温度对VDMOS管来说得不偿失，因此亟需设计一种高EAS的VDMOS器件来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高EAS的VDMOS器件。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0007]一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管，所述VDMOS管的顶部套接有屏蔽层，且屏蔽层的外壁固定连接有隔温层，所述屏蔽层两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽，所述VDMOS管两侧的底部均固定连接有限位板，两个限位板的顶部均固定连接有密封条。
[0008]优选的，所述屏蔽层顶部内壁的中间位置嵌接有定位件，且定位件的底部粘接有缓冲垫，缓冲垫采用泡棉材质。
[0009]优选的，所述VDMOS管的宽度加上两个密封条的最大宽度等于屏蔽层内壁的宽度，且两个密封条相远离一侧的顶部均设置为斜角。
[0010]优选的，所述隔温层两侧内壁的底部均设置有凸条，且两个密封条相远离的一侧均开设有适配于凸条的横槽，密封条采用橡胶材质。
[0011]优选的，所述隔温层采用泡沫塑料材料，且屏蔽层采用铝合金材料。
[0012]优选的，所述自锁组件包括壳体、橡胶球、挡板、卡杆，且壳体固定连接于屏蔽层的
内壁，壳体顶部的一侧开设有收纳腔，卡杆的一端通过销轴转动连接于收纳腔的底部内壁，橡胶球套接于卡杆远离壳体的一端，壳体靠近橡胶球一侧的底部倾斜固定有挡板，挡板靠近卡杆的一侧粘接有垫板，卡杆的杆体开设有适配于垫板的嵌槽，垫板为橡胶材质。
[0013]优选的，所述收纳腔顶部的内壁固定连接有导轨，且导轨的一侧滑动连接有滑块，滑块与卡杆之间转动连接有同一个转向杆，滑块一侧的顶部固定连接有推板，推板顶部的中间位置固定连接有滑杆，滑杆的外部套接有弹簧，滑杆的顶部与壳体的顶部滑动连接。
[0014]与现有技术相比，本技术提供了一种高EAS的VDMOS器件，具备以下有益效果：
[0015]1.通过设置隔温层、屏蔽层、卡槽和自锁组件，隔温层与密封条为VDMOS管共同构建密闭的隔温环境，使VDMOS管的管体温度不受散热元件影响而降温，可以维持高水平的雪崩击穿电压，屏蔽层则保护VDMOS管不受外界电场干扰，多角度提升VDMOS管的使用寿命，自锁组件无需额外的加固步骤，可以伴随隔温层和屏蔽层的下压过程自动锁合卡槽，降低器件的装配成本。
[0016]2.通过设置密封条、凸条和卡槽，密封条相远离一侧的顶部均设置为斜角，隔温层和屏蔽层下压的过程中，便于密封条嵌入屏蔽层与VDMOS管的间隙，密封条嵌入完成后，凸条分别卡入对应横槽的内部，增大密封条的受力面积，进一步加强密封条与屏蔽层之间的稳定性。
[0017]3.通过设置转杆、弹簧和滑块，转杆向上偏转的过程中，转向杆推动滑块、推板和滑杆沿导轨向上滑动，造成弹簧挤压收缩，在橡胶球进入卡槽之后，弹簧的底端受力减小并复位，对卡杆的下偏转进行助力，并对卡杆施加向下的压力，提升锁合机构的稳定性。
附图说明
[0018]图1为本技术提出的一种高EAS的VDMOS器件的结构剖视图；
[0019]图2为本技术提出的一种高EAS的VDMOS器件的自锁组件结构示意图；
[0020]图3为本技术提出的一种高EAS的VDMOS器件的A处结构示意图；
[0021]图4为本技术提出的一种高EAS的VDMOS器件的B处结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0023]在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
[0024]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0025]参照图1
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4，一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管1，其特征在于，VDMOS管1的顶部
套接有屏蔽层5，且屏蔽层5的外壁固定连接有隔温层4，屏蔽层5两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管1两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽6，VDMOS管1两侧的底部均固定连接有限位板7，两个限位板7的顶部均固定连接有密封条8，VDMOS管1安装后，向下按压隔温层4和屏蔽层5，两个自锁组件分别与VDMOS管1的两个卡槽6协同锁合，完成隔温层4和屏蔽层5的安装，两个密封条8填充于屏蔽层5底部的两侧。
[0026]本技术中，屏蔽层5顶部内壁的中间位置嵌接有定位件2，且定位件2的底部粘接有缓冲垫3，缓冲垫3采用泡棉材质，隔温层4和屏蔽层5安装完成后，定位件2抵压在VDMOS管1的顶部，提升VDMOS管1稳定性，缓冲垫3防止定位件2对VDMOS管1造成损伤。
[0027]其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管(1)，其特征在于，所述VDMOS管(1)的顶部套接有屏蔽层(5)，且屏蔽层(5)的外壁固定连接有隔温层(4)，所述屏蔽层(5)两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管(1)两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽(6)，所述VDMOS管(1)两侧的底部均固定连接有限位板(7)，两个限位板(7)的顶部均固定连接有密封条(8)。2.根据权利要求1所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述屏蔽层(5)顶部内壁的中间位置嵌接有定位件(2)，且定位件(2)的底部粘接有缓冲垫(3)，缓冲垫(3)采用泡棉材质。3.根据权利要求1所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述VDMOS管(1)的宽度加上两个密封条(8)的最大宽度等于屏蔽层(5)内壁的宽度，且两个密封条(8)相远离一侧的顶部均设置为斜角。4.根据权利要求3所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述隔温层(4)两侧内壁的底部均设置有凸条(22)，且两个密封条(8)相远离的一侧均开设有适配于凸条(22)的横槽(21)，密封条(8)采用橡胶材质。5.根据权利要求1所述的一种高EAS的V...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵喜高，
申请(专利权)人：广东可易亚半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：