【技术实现步骤摘要】
一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件
[0001]本专利技术涉及半导体
,具体为一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件。
技术介绍
[0002]随着半导体元件性能的不断挖掘,半导体元件的制作已成为近年来最受重视的领域之一。目前,半导体元件的电极结构主要为金或铝,当半导体器件的焊线区域裸露在空气中时,空气中的一些污染物质很容易吸附在电极表面从而造成污染,因此我们提出一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件。
[0003]现有技术存在以下缺陷或问题:1、现有的半导体在使用时,电极表面会产生吸附力,电极在长时间使用后易沾染大量污染物,导致半导体在使用时出现接触不良;2、现有的半导体在存放时,由于引脚过长,以出现引脚断裂,从而影响半导体品质;3、现有的半导体在使用时,半导体主板处未设有保护装置,进而导致半导体在使用时易出现破损或漏水现象,从而烧毁半导体,降低了半导体的使用寿命。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于针对现有技术的不足之处,提供一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件,以解 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件,其特征在于:包括半导体主板(1),所述半导体主板(1)底部固定安装有支腿(2),所述两个支腿(2)间设置有旋转连接座(3),所述支腿(2)与旋转连接座(3)内部设置有锁紧装置(4),所述旋转连接座(3)底部设置有螺纹座(5),所述螺纹座(5)远离旋转连接座(3)的一侧设置有支撑杆(6),所述支撑杆(6)外表壁设置有套环风扇(7),所述旋转连接座(3)下端设置有电极头(8),所述电极头(8)内部设置有导气管(9),所述电极头(8)外表壁开设有气孔(10),所述半导体主板(1)内部开设有收纳槽(11)。2.根据权利要求1所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件,其特征在于:所述半导体主板(1)内部位于收纳槽(11)的两侧设置有旋转装置(12),所述旋转装置(12)包括插杆(1201)和转动套环(1202),所述转动套环(1202)的内径尺寸与插杆(1201)的外径尺寸相匹配,所述转动套环(1202)与插杆(1201)转动设置。3.根据权利要求1所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件,其特征在于:所述半导体主板(1)顶部设置有保护壳膜(13),所述保护壳膜(13)内部设置有伸缩龙骨(14),所述保护壳膜(13)为抗压防水材质。4.根据权利要求3所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件,其特征在于:所述保护壳膜(13)远离半导体主板(1)的一侧设置有连接装置(15),所述连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢金良,彭喜平,何爱萍,
申请(专利权)人:北京云视乐图数码文印有限公司,
类型:发明
国别省市:
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