存储器设备以及操作存储器设备的方法技术

本技术涉及一种存储器设备以及操作存储器设备的方法。存储器设备包括：存储器块，包括多个存储器单元；以及外围电路，被配置为对存储器块执行读取操作和虚设读取操作。在读取操作期间向存储器块施加的通过电压的放电斜率大于在虚设读取操作期间向存储器块施加的虚设通过电压的放电斜率。设通过电压的放电斜率。设通过电压的放电斜率。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备以及操作存储器设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2021
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0010376的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及一种电子设备，并且更具体地涉及一种存储器设备以及操作存储器设备的方法。

技术介绍

[0004]最近，计算机环境的范例已经转变为普适的计算，这使计算机系统能够随时随地使用。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机等便携式电子设备的使用正在迅速增加。这种便携式电子设备一般采用使用存储器设备的存储器系统，即数据存储设备。数据存储设备用作便携式电子设备的主存储设备或辅助存储设备。
[0005]使用存储器设备的数据存储设备具有如下优点：由于没有机械驱动器，因而稳定性和耐久性极好，信息的存取速度非常快，而且功耗低。作为具有这些优点的存储器系统的示例，数据存储设备包括通用串行总线(USB)存储器设备、具有各种接口的存储器卡、固态驱动装置(SSD)等。
[0006]存储器设备主要被分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。
[0007]非易失性存储器设备的写入速度和读取速度相对较慢，然而，即使电源关断，非易失性存储器设备也保持存储数据。因此，非易失性存储器设备用于存储不管是否存在电源都要被保持的数据。非易失性存储器设备包括只读存储器(ROM)、掩模式ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存存储器被分为NOR类型和NAND类型。

技术实现思路

[0008]根据本公开的实施例，存储器设备可以包括：存储器块，包括多个存储器单元；以及外围电路，被配置为对存储器块执行读取操作和虚设读取操作。在读取操作期间向存储器块施加的通过电压的放电斜率大于在虚设读取操作期间向存储器块施加的虚设通过电压的放电斜率。
[0009]根据本公开的实施例，存储器设备可以包括：存储器块，包括多个存储器单元；外围电路，被配置为对存储器块执行读取操作和虚设读取操作；以及控制逻辑电路，用于控制外围电路执行读取操作和虚设读取操作。控制逻辑电路控制外围电路以将在虚设读取操作期间向存储器块施加的虚设通过电压的放电斜率设置为小于在读取操作期间向存储器块施加的通过电压的放电斜率，并且基于所设置的斜率在虚设读取操作期间向存储器块施加虚设通过电压之后使虚设通过电压放电。
[0010]根据本公开的实施例，操作存储器设备的方法可以包括：对选择的存储器块执行读取操作，并且对选择的存储器块执行虚设读取操作。在向选择的存储器块施加虚设通过电压之后，虚设读取操作可以使虚设通过电压以第一斜率放电，并且第一斜率小于在读取操作期间向存储器块施加的通过电压的放电斜率。
附图说明
[0011]图1是图示了根据本公开的实施例的存储器系统的示图。
[0012]图2是图示了图1的存储器设备的示图。
[0013]图3是图示了图2的存储器块的示图。
[0014]图4是图示了以三维配置的存储器块的实施例的示图。
[0015]图5是图示了根据本公开的实施例的操作存储器设备的方法的流程图。
[0016]图6是图示了图5的读取操作的流程图。
[0017]图7是图示了图5的读取操作的信号的波形图。
[0018]图8是图示了图5的虚设读取操作的流程图。
[0019]图9是图示了图5的虚设读取操作的信号的波形图。
[0020]图10是图示了图5的虚设读取操作的另一实施例的流程图。
[0021]图11是图示了图5的虚设读取操作的另一实施例的信号的波形图。
[0022]图12是图示了存储器系统的另一实施例的示图。
[0023]图13是图示了存储器系统的另一实施例的示图。
[0024]图14是图示了存储器系统的另一实施例的示图。
[0025]图15是图示了存储器系统的另一实施例的示图。
具体实施方式
[0026]根据本说明书或本申请中所公开的概念的实施例的具体结构或功能描述被说明，仅用于描述根据本公开的概念的实施例。根据本公开的概念的实施例可以以各种形式执行，并且不应被解释为受限于本说明书或本申请中所描述的实施例。
[0027]在下文中，本公开的实施例将参照附图进行描述，以进行足够详细的描述，从而允许本领域中的普通技术人员更容易实施本公开的技术思想。
[0028]本公开的实施例可以提供一种存储器设备以及操作存储器设备的方法，该存储器设备能够通过在读取操作之后执行虚设读取操作以减少存储器单元上的应力，来改进读取性能。
[0029]根据本技术，在执行读取操作之后，可以在存储器设备的空闲时段中执行虚设读取操作，以抑制负升压通道电势，从而减轻读取应力。因此，可以改进存储器设备的读取性能。
[0030]图1是图示了根据本公开的实施例的存储器系统的示图。
[0031]参照图1，存储器系统1000包括存储器设备1100和存储器控制器1200，数据被存储在存储器设备1100中；存储器控制器1200在主机2000的控制下控制存储器设备1100。
[0032]主机2000可以通过使用诸如诸如外围组件互连快速(PCI
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E)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)或串行附接SCSI(SAS)的接口协议与存储器系统
1000通信。另外，主机2000和存储器系统1000之间的接口协议并不限于上述示例，并且可以是诸如以下的其他协议之一：通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小磁盘接口(ESDI)和集成驱动电子元件(IDE)。
[0033]存储器控制器1200总体上可以控制存储器系统1000的操作，并且控制主机2000和存储器设备1100之间的数据交换。例如，存储器控制器1200可以根据主机2000的请求控制存储器设备1100，以编程或读取数据。存储器控制器1200发送在编程操作期间要被编程到存储器设备1100的命令CMD、地址ADD和数据DATA。另外，存储器控制器1200可以接收和临时存储在读取操作期间从存储器设备1100读取的数据DATA，并且向主机2000发送临时存储的数据DATA。
[0034]存储器设备1100可以在存储器控制器1200的控制下执行编程、读取或擦除操作。
[0035]根据实施例，存储器设备1100可以包括双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)、低功率双倍数据速率4(LPDDR4)SDRAM、图形双倍数据速率(GDDR)SDRAM、低功率DDR(LPDDR)SDRAM、Rambus动态随机存取存储器(RDRAM)或闪存存储器。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：存储器块，包括多个存储器单元；以及外围电路，被配置为对所述存储器块执行读取操作和虚设读取操作，其中在所述读取操作期间向所述存储器块施加的通过电压的放电斜率大于在所述虚设读取操作期间向所述存储器块施加的虚设通过电压的放电斜率。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路向所述存储器块的选择的字线施加读取电压，在所述读取操作期间向未选择的字线施加所述通过电压，并且在所述读取操作的通过电压放电时段期间使所述通过电压以第一斜率放电。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述外围电路在所述虚设读取操作期间向所述存储器块的所述字线施加所述虚设通过电压，并且在所述虚设读取操作的虚设通过电压放电时段期间使所述虚设通过电压以比所述第一斜率小的第二斜率放电。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述外围电路在所述通过电压放电时段中的第一时间期间使所述通过电压从通过电压电平放电到接地电压电平，并且在所述虚设通过电压放电时段中的比所述第一时间长的第二时间期间使所述虚设通过电压从虚设通过电压电平放电到所述接地电压电平。5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述外围电路在所述虚设通过电压放电时段中向所述存储器块的位线或源极线施加正设置电压。6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述通过电压的电势电平和所述虚设通过电压的电势电平相同。7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路在空闲时段中执行所述虚设读取操作。8.一种存储器设备，包括：存储器块，包括多个存储器单元；外围电路，被配置为对所述存储器块执行读取操作和虚设读取操作；以及控制逻辑电路，被配置为控制所述外围电路执行所述读取操作和所述虚设读取操作，其中所述控制逻辑电路控制所述外围电路以将在所述虚设读取操作期间向所述存储器块施加的虚设通过电压的放电斜率设置为小于在所述读取操作期间向所述存储器块施加的通过电压的放电斜率，并且基于所设置的斜率在所述虚设读取操作期间向所述存储器块施加所述虚设通过电压之后使...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟旭，朴鲁用，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：