支持保护模式的非易失性存储器设备以及包括非易失性存储器设备的存储器系统技术方案

一种非易失性存储器设备，包括：包括多个单级单元(SLC)的第一块，包括多个多级单元(MLC)的第二块，以及操作控制器，该操作控制器适于响应于从外部施加的读取命令：在正常模式中，对存储在第一块中的第一数据执行使用SLC方法的读取操作，或者对存储在第二块中的第二数据执行使用MLC方法的读取操作，以及在保护模式中，对第一数据执行使用MLC方法的读取操作，或者对第二数据执行使用SLC方法的读取操作。作。作。

【技术实现步骤摘要】
支持保护模式的非易失性存储器设备以及包括非易失性存储器设备的存储器系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月26日提交的韩国专利申请号10
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2021
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0010747的优先权，上述申请通过整体引用并入本文。


[0003]本文描述的一个或多个实施例涉及支持保护模式的非易失性存储器设备、以及包括非易失性存储器设备的存储器系统。

技术介绍

[0004]许多便携式设备使用存储器来存储数据。与硬盘不同，半导体存储器具有出色的稳定性和耐久性，因为半导体存储器没有机械驱动部件，例如机械臂。半导体存储器还具有高的数据访问速度和低功耗。示例包括通用串行总线存储器设备、具有各种接口的存储器卡、以及固态驱动器(SSD)。

技术实现思路

[0005]本文描述的一个或多个实施例提供了一种存储器设备，该存储器设备包括用于存储数据的经划分的多级单元(MLC)区域和单级单元(SLC)区域。
[0006]一个或多个附加的实施例提供了一种存储器系统，该存储器系统包括这种存储器设备，和/或该存储器系统可以有效地进入保护模式而不擦除所存储的数据。
[0007]在本公开中，要实现的技术目的不限于上述技术目的，并且本专利技术所属领域的普通技术人员从以下描述可以清楚地理解上面未描述的其他技术目的。
[0008]根据本专利技术的一个实施例，一种非易失性存储器设备可以包括：包括多个单级单元(SLC)的第一块；包括多个多级单元(MLC)的第二块；以及操作控制器，该操作控制器可以适于响应于从外部施加的读取命令：在正常模式中，对存储在第一块中的第一数据执行使用SLC方法的读取操作，或者对存储在第二块中的第二数据执行使用MLC方法的读取操作，以及在保护模式中，对第一数据执行使用MLC方法的读取操作，或者对第二数据执行使用SLC方法的读取操作。
[0009]使用SLC方法的读取操作可以包括：生成一个第一读取电压，并且使用所生成的第一读取电压的电平作为用于确定数据值的标准来执行一次读取操作，并且使用MLC方法的读取操作可以包括：以设置的序列逐个地生成至少两个第二读取电压，以及使用所生成的第二读取电压中的每个第二读取电压的电平作为用于确定数据值的标准来连续并重复地执行至少两次读取操作。
[0010]当与读取命令一起被接收的读取地址指示处于保护模式的第一块时，操作控制器可以适于：以MLC序列对读取命令进行解码，以及分别基于至少两个第二读取电压的电平连续执行至少两个读取操作，以确定第一数据的值。
[0011]当与读取命令一起被接收的读取地址指示处于保护模式的第二块时，操作控制器可以适于：以SLC序列对读取命令进行解码，以及基于一个第一读取电压的电平执行一个读取操作，以确定第二数据的值
[0012]当与读取命令一起被接收的读取地址指示处于正常模式的第一块时，操作控制器可以适于：以SLC序列对读取命令进行解码，以及基于一个第一读取电压的电平执行一个读取操作，以确定第一数据的值。
[0013]当与读取命令一起被接收的读取地址指示处于正常模式的第二块时，操作控制器可以适于：以MLC序列对读取命令进行解码，以及分别基于至少两个第二读取电压的电平连续执行至少两个读取操作，以确定第二数据的值。
[0014]当编程命令和编程地址在正常模式中从外部被施加时，操作控制器可以适于：当编程地址指示第一块时，使用SLC方法将输入数据编程到第一块中，以及当编程地址指示第二块时，使用MLC方法将输入数据编程到第二块中。
[0015]当编程命令在保护模式中从外部被施加时，操作控制器可以适于向外部输出指示编程操作不可用的响应信号。
[0016]根据本专利技术的一个实施例，一种存储器系统可以包括：包括第一块和第二块的非易失性存储器设备，第一块包括多个单级单元(SLC)，并且第二块包括多个多级单元(MLC)；以及控制器，该控制器可以适于：当由主机施加的读取请求对应于第一块时，在正常模式中，生成SLC读取命令并且将SLC读取命令传送到非易失性存储器设备，并且在保护模式中，生成MLC读取命令并且将MLC读取命令传送到非易失性存储器设备，以及当由主机施加的读取请求对应于第二块时，在正常模式中，生成MLC读取命令并且将MLC读取命令传送到非易失性存储器设备，并且在保护模式中，生成SLC读取命令并且将SLC读取命令传送到非易失性存储器设备。非易失性存储器设备可以适于：响应于SLC读取命令而执行使用SLC方法的读取操作，并且响应于MLC读取命令而执行使用MLC方法的读取操作。
[0017]使用SLC方法的读取操作可以包括：生成一个第一读取电压，并且使用所生成的第一读取电压的电平作为用于确定数据值的标准来执行一次读取操作，以及使用MLC方法的读取操作包括：以设置的序列逐个地生成至少两个第二读取电压，并且使用所生成的第二读取电压中的每个第二读取电压的电平作为用于确定数据值的标准来连续并重复地执行至少两次读取操作。
[0018]当在保护模式中，响应于MLC读取命令而对存储在第一块中的第一数据执行使用MLC方法的读取操作时，非易失性存储器设备可以适于：分别基于至少两个第二读取电压的电平连续执行至少两个读取操作，以确定第一数据的值。
[0019]当在保护模式中，响应于SLC读取命令而对存储在第二块中的第二数据执行使用SLC方法的读取操作时，非易失性存储器设备可以适于：基于一个第一读取电压的电平执行一个读取操作，以确定第二数据的值。
[0020]当在正常模式中，响应于SLC读取命令而对第一数据执行使用SLC方法的读取操作时，非易失性存储器设备可以适于：基于一个第一读取电压的电平执行一个读取操作，以确定第一数据的值。
[0021]当在正常模式中，响应于MLC读取命令而对第二数据执行使用MLC方法的读取操作时，非易失性存储器设备可以适于：分别基于至少两个第二读取电压的电平连续执行至少
两个读取操作，以确定第二数据的值。
[0022]控制器可以适于：当由主机施加的编程请求对应于第一块时，在正常模式中，生成SLC编程命令并且将SLC编程命令传送到非易失性存储器设备，并且在保护模式中，向主机输出指示编程操作不可用的响应信号；当由主机施加的编程请求对应于第二块时，在正常模式中，生成MLC编程命令并且将MLC编程命令传送到非易失性存储器设备，并且在保护模式中，向主机输出指示编程操作不可用的响应信号，并且非易失性存储器设备适于：响应于SLC编程命令，执行使用SLC方法的编程操作，以及响应于MLC编程命令，执行使用MLC方法的编程操作。
[0023]根据本专利技术的一个实施例，一种操作非易失性存储器设备的方法，该方法可以包括：(a)在正常模式中，响应于从外部施加的读取命令，对存储在包括多个单元的第一块中的第一数据执行使用单级单元(SLC)方法的读取操作，或者对存储在包括多个单元的第二块中的第二数据执行使用多级单元(MLC)方法的读取操作；以及(b)在保护模式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器设备，包括：第一块，包括多个单级单元(SLC)；第二块，包括多个多级单元(MLC)；以及操作控制器，适于响应于从外部施加的读取命令：在正常模式中，对存储在所述第一块中的第一数据执行使用SLC方法的读取操作，或者对存储在所述第二块中的第二数据执行使用MLC方法的读取操作，以及在保护模式中，对所述第一数据执行使用所述MLC方法的读取操作，或者对所述第二数据执行使用所述SLC方法的读取操作。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中：使用所述SLC方法的所述读取操作包括：生成一个第一读取电压，并且使用所生成的第一读取电压的电平作为用于确定数据值的标准来执行一次读取操作，以及使用所述MLC方法的所述读取操作包括：以设置的序列逐个地生成至少两个第二读取电压，并且使用所生成的第二读取电压中的每个第二读取电压的电平作为用于确定数据值的标准来连续并重复地执行至少两次读取操作。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器设备，其中，当与所述读取命令一起被接收的读取地址指示处于所述保护模式的所述第一块时，所述操作控制器适于：以MLC序列对所述读取命令进行解码，以及分别基于所述至少两个第二读取电压的电平连续执行至少两个读取操作，以确定所述第一数据的值。4.根据权利要求3所述的非易失性存储器设备，其中，当与所述读取命令一起被接收的所述读取地址指示处于所述保护模式的所述第二块时，所述操作控制器适于：以SLC序列对所述读取命令进行解码，以及基于所述一个第一读取电压的电平执行一个读取操作，以确定所述第二数据的值。5.根据权利要求4所述的非易失性存储器设备，其中，当与所述读取命令一起被接收的读取地址指示处于所述正常模式的所述第一块时，所述操作控制器适于：以所述SLC序列对所述读取命令进行解码，以及基于所述一个第一读取电压的电平执行一个读取操作，以确定所述第一数据的值。6.根据权利要求5所述的非易失性存储器设备，其中，当与所述读取命令一起被接收的所述读取地址指示处于所述正常模式的所述第二块时，所述操作控制器适于：以所述MLC序列对所述读取命令进行解码，以及分别基于所述至少两个第二读取电压的电平连续执行至少两个读取操作，以确定所述第二数据的值。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其中：当编程命令和编程地址在所述正常模式中从所述外部被施加时，所述操作控制器适于：当所述编程地址指示所述第一块时，使用所述SLC方法将输入数据编程到所述第一块中，以及当所述编程地址指示所述第二块时，使用所述MLC方法将输入数据编程到所述第二块中。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储器设备，其中，当编程命令在所述保护模式中从所述外部被施加时，所述操作控制器适于向所述外部输出指示编程操作不可用的响应信号。9.一种存储器系统，包括：非易失性存储器设备，包括第一块和第二块，所述第一块包括多个单级单元(SLC)，并且所述第二块包括多个多级单元(MLC)；以及控制器，适于：当由主机施加的读取请求对应于所述第一块时，在正常模式中，生成SLC读取命令并且将所述SLC读取命令传送到所述非易失性存储器设备，并且在保护模式中，生成MLC读取命令并且将所述MLC读取命令传送到所述非易失性存储器设备，以及当由所述主机施加的所述读取请求对应于所述第二块时，在所述正常模式中，生成所述MLC读取命令并且将所述MLC读取命令传送到所述非易失性存储器设备，并且在所述保护模式中，生成所述SLC读取命令并且将所述SLC读取命令传送到所述非易失性存储器设备，并且其中所述非易失性存储器设备适于：响应于所述SLC读取命令而执行使用SLC方法的读取操作，并且响应于所述MLC读取命令而执行使用MLC方法的读取操作。10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中：使用所述SLC方法的所述读取操作包括：生成一个第一读取电压，并且使用所生成的第一读取电压的电平作为用于确定数据值的标准来执行一次读取操作，以及使用所述MLC方法的所述读取操作包括：以设置的序列逐个地生成至少两个第二读取电压，并且使用所生成的第二读取电压中的每个第二读取电压的电平作为用于确定数据值的标准来连续并重复地执行至少两次读取操作。11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中：当在所述保护模式中，响应于所述MLC读取命令而对存储在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金度贤，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：