非易失性存储器装置、控制器及其操作方法制造方法及图纸

提供了非易失性存储器装置、控制器及其操作方法。所述控制器包括：非易失性存储器接口电路，连接到至少一个非易失性存储器装置，并且被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置；以及纠错电路，被配置为：根据从多个纠错解码等级之中选择的纠错解码等级，对从非易失性存储器接口电路接收的码字执行纠错操作，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，基于辅助信息预测存储器单元的分布，以及根据预测的分布从所述多个纠错解码等级之中选择纠错解码等级。纠错解码等级。纠错解码等级。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置、控制器及其操作方法
[0001]本申请基于并要求于2021年1月14日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0005211号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]本公开涉及非易失性存储器装置、用于控制非易失性存储器装置的控制器、具有非易失性存储器装置的存储装置及其读取方法。

技术介绍

[0003]通常，存储装置可在写入操作中使用纠错码(error correction code，ECC)电路来生成纠错码，存储装置可在读取操作中通过参照纠错码来纠正数据中的错误。然而，当存储器单元的劣化程度严重时，可能无法使用ECC电路来执行纠正。在这种情况下，可执行使用与正常读取操作的感测技术不同的感测技术的读取重试(read retry)操作。

技术实现思路

[0004]提供了可减少防御代码的延迟的非易失性存储器装置、用于控制非易失性存储器装置的控制器、具有非易失性存储器装置的存储装置及其读取方法。
[0005]附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地根据该描述将是清楚的，或者可通过呈现的实施例的实践而得知。
[0006]根据公开的一个方面，一种控制器包括：非易失性存储器接口电路，连接到至少一个非易失性存储器装置，并且被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置；纠错电路，被配置为：根据多个纠错解码等级之中的纠错解码等级，对从非易失性存储器接口电路接收的码字执行纠错操作，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，基于辅助信息预测存储器单元的分布，以及根据预测的分布从所述多个纠错解码等级之中选择纠错解码等级。
[0007]根据公开的一个方面，一种控制器的操作方法包括：通过至少一个引脚从至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息；基于辅助信息，从多个纠错解码等级之中确定纠错解码等级；以及根据确定的纠错解码等级来执行纠错操作。
[0008]根据公开的一个方面，一种非易失性存储器装置包括：多个存储器块，包括在相应的位线与共源极线之间的至少两个串，其中，所述至少两个串中的每个串包括串联连接在所述位线中的一条位线与共源极线之间的至少一个串选择晶体管、多个存储器单元和至少一个地晶体管，其中，所述至少一个串选择晶体管的栅极连接到串选择线，其中，所述多个存储器单元中的每个存储器单元被配置为从相应的字线接收字线电压，并且其中，所述至少一个地晶体管的栅极连接到地选择线；以及控制逻辑，被配置为：基于第一读取命令，针对连接到从所述多个存储器块之中选择的存储器块的字线的存储器单元执行至少一次片上谷搜索(OVS)读取操作，并且基于特定命令而将所述至少一次OVS读取操作的检测信息输出到外部装置，其中，检测信息包括：关于对最佳谷的搜索是否成功的信息、或关于最佳谷
的高度值的信息。
[0009]根据公开的一个方面，一种存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和控制器，控制器被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置，并且包括：控制引脚，被配置为将控制信号提供给所述至少一个非易失性存储器装置；缓冲存储器，被配置为存储用于执行多个防御代码的表；纠错电路，被配置为基于第一读取命令来纠正从所述至少一个非易失性存储器装置读取的第一页的第一读取数据的错误；以及至少一个处理器，被配置为基于第一读取数据的错误不可纠正来驱动防御代码管理单元，其中，防御代码管理单元被配置为：通过控制引脚中的至少一个控制引脚从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，并且基于辅助信息选择多个防御代码中的防御代码、或多个防御代码流之中的防御代码流。
[0010]根据公开的一个方面，一种存储装置的读取方法包括：基于默认读取电平执行正常读取操作；确定在正常读取操作中读取的数据是否是可纠错的；基于确定读取数据是不可纠错的来执行片上谷搜索(OVS)读取操作；以及基于OVS读取操作的结果是读取失败，根据OVS读取操作的检测信息执行自适应防御代码，其中，自适应防御代码根据检测信息对应于硬决策读取操作、软决策读取操作和谷搜索读取操作中的一个。
[0011]根据公开的一个方面，一种非易失性存储器装置包括：存储器单元区域，具有第一金属垫；外围电路区域，具有第二金属垫并且通过第一金属垫和第二金属垫垂直连接；存储器单元阵列，包括多个存储器块，所述多个存储器块具有连接到存储器单元区域中的多条字线和多条位线的多个存储器单元；行解码器，被配置为选择外围电路区域中的所述多条字线之一；页缓冲器电路，具有连接到外围电路区域中的所述多条位线的多个页缓冲器；以及控制逻辑，被配置为通过控制引脚接收命令锁存使能(CLE)信号、地址锁存使能(ALE)信号、芯片使能信号、写入使能(WE)信号、读取使能信号和数据选通信号，并且通过响应于CLE信号和ALE信号而在WE信号的边缘上对命令或地址进行锁存来执行片上谷搜索(OVS)读取操作，其中，控制逻辑被配置为基于特定命令将OVS读取操作的检测信息输出到外部装置，并且其中，检测信息包括关于对最佳谷的搜索是否成功或关于最佳谷的谷高度值的信息。根据公开的一方面，一种控制存储装置的方法包括：执行读取操作以获得读取数据；检测读取数据中的错误；确定读取数据中的错误是否是可纠正的；基于确定读取数据中的错误是不可纠正的，执行片上谷搜索(OVS)读取操作；获得与OVS读取操作对应的检测信息；基于检测信息从多个数据恢复过程之中选择数据恢复过程；以及执行所选择的数据恢复过程。
附图说明
[0012]从下面的结合附图的描述，本公开的特定实施例的以上和其它方面、特征和优点将更加清楚，其中：
[0013]图1是示出根据实施例的存储装置10的示图；
[0014]图2是示出根据实施例的图1中示出的非易失性存储器装置100的示图；
[0015]图3是示出根据实施例的示出图1中示出的存储器块之中的一个存储器块BLKi的电路图的示图；
[0016]图4是示出根据实施例的控制器200的示图；
[0017]图5A、图5B和图5C是示出根据实施例的控制器200的纠错电路230的示图；
[0018]图6是示出根据实施例的通用存储装置的防御代码流的示图；
[0019]图7是示出根据实施例的存储装置的自适应防御代码操作的示图；
[0020]图8是示出根据实施例的存储装置的自适应防御代码的流程图；
[0021]图9是示出根据实施例的图8中示出的操作S130的流程图；
[0022]图10A和图10B是示出根据实施例的OVS读取操作的示图；
[0023]图11A至图11E是示出根据实施例的取决于存储装置10的谷高度的自适应防御代码的示图；
[0024]图12是示出根据实施例的根据分布选择自适应防御代码的ECC解码模式的示例的示图；
[0025]图13是示出根据实施例的存储装置20的示图；
[0026]图14是示出根据实施例的具有自适应E本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制器，包括：非易失性存储器接口电路，连接到至少一个非易失性存储器装置，并且被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置；以及纠错电路，被配置为：根据从多个纠错解码等级之中选择的纠错解码等级，对从非易失性存储器接口电路接收的码字执行纠错操作，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，基于辅助信息预测存储器单元的分布，以及根据预测的分布从所述多个纠错解码等级之中选择纠错解码等级。2.根据权利要求1所述的控制器，其中，所述多个纠错解码等级包括与硬决策解码相关联的第一等级、与2位软决策解码相关联的第二等级、以及与3位软决策解码相关联的第三等级。3.根据权利要求1所述的控制器，其中，纠错电路包括：解码模式寄存器，被配置为存储选择的纠错解码等级。4.根据权利要求1所述的控制器，其中，辅助信息从所述至少一个非易失性存储器装置通过至少一个专用引脚被发送。5.根据权利要求1所述的控制器，其中，辅助信息包括片上谷搜索操作的检测信息。6.根据权利要求5所述的控制器，其中，辅助信息包括根据片上谷搜索操作的谷高度值。7.根据权利要求6所述的控制器，其中，基于谷高度值小于第一参考值，非易失性存储器接口电路还被配置为从所述多个纠错解码等级之中选择硬决策解码等级。8.根据权利要求6所述的控制器，其中，基于谷高度值等于或大于第一参考值并且小于第二参考值，非易失性存储器接口电路还被配置为从所述多个纠错解码等级之中选择2位软决策解码等级，并且其中，第二参考值大于第一参考值。9.根据权利要求8所述的控制器，其中，基于谷高度值等于或大于第二参考值，非易失性存储器接口电路还被配置为从所述多个纠错解码等级之中选择3位软决策解码等级。10.根据权利要求1至权利要求9中的任意一项所述的控制器，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：根据预测的分布，将自动重新读取命令发送到所述至少一个非易失性存储器装置。11.一种控制器的操作方法，所述操作方法包括：通过至少一个引脚从至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息；基于辅助信息，从多个纠错解码等级之中确定纠错解码等级；以及根据确定的纠错解码等级来执行纠错操作。12.根据权利要求11所述的操作方法，还包括：将片上谷搜索读取命令发送到所述至少一个非易失性存储器装置；以及从所述至少一个非易失性存储器装置接收与片上谷搜索读取命令对应的片上谷搜索操作的检测信息，其中，辅...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东旻，金真怜，朴世桓，徐荣德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：