一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构技术

本发明专利技术提供了一种光刻缺陷热点图形的识别方法，包括：确定版图的待识别层，即目标图形所在层；预设宽度范围，识别初始边；预设第一间距范围和第二间距范围；识别第一间隔区、第二间隔区；识别第一边、第二边；将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边并且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为目标图形，即光刻缺陷热点图形。能快捷准确的识别出光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁。本发明专利技术还提供一种光刻缺陷热点图形结构，通过本发明专利技术的光刻缺陷热点图形的识别方法得到，能快速辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。是否有引起光刻缺陷风险。是否有引起光刻缺陷风险。

A recognition method and graphic structure of hot spot pattern of lithography defects

【技术实现步骤摘要】
一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构


[0001]本专利技术属于半导体设计和制造领域，具体涉及一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构。

技术介绍

[0002]随着集成电路生产工艺技术节点不断推进，集成电路的设计变得越来越复杂。现今应用于集成电路生产的主流光刻工艺，其光波波长一直维持在193nm。在曝光机台波长不更新的情形下，曝光图形尺寸的却不断缩小，进而会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形，一般称之为光刻缺陷热点图形。对于光刻缺陷热点图形的处理方法包括在流片前优化原始的版图设计，以及对检查出的光刻工艺热点进行特殊工艺处理。
[0003]光刻缺陷热点图形，一般是指版图中具有某种几何特征以及特征尺寸在某个范围内的容易引起光刻缺陷的图形或者图形组合；在实际的制造生产中，因不同制造厂商处理方式不同，光刻缺陷热点图形不一定都会实际引起光刻缺陷，也就是对于不同制造厂商来说，实际导致光刻缺陷发生的光刻缺陷热点图形可能是不同的。对提前在大量的版图数据中快速准确地定位出光刻缺陷热点图形，对制造厂商进行设计生产等的指导具有重大的实际意义。不能有效便捷的识别出所述热点图形，这对于光刻工艺及设计的进一步完善是很不利的。

技术实现思路

[0004]本专利技术是基于上述现有技术的全部或部分问题而进行的，本申请以下叙述中涉及的名词以及相关技术原理所有解释或定义仅是进行示例性而非限定性说明。
[0005]本专利技术一方面提供的一种光刻缺陷热点图形的识别方法，包括：步骤S1.获取版图信息，并确定版图的待识别层，即目标图形所在层；步骤S2.预设宽度范围，设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；将线宽在所述宽度范围内的图形识别为初始多边形，并将初始多边形中沿着图形走向的轮廓边识别为初始边；步骤S3.预设第一间距范围和第二间距范围；将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区，将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区；步骤S4.将所述初始边中，与所述第一间隔区接触的边识别为第一边，与所述第二间隔区接触的边识别为第二边；步骤S5.将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out；所述plg_out为识别出的目标图形，即光刻缺陷热点图形。
[0006]一个实施情况里，所述步骤S3中“相邻图形之间的间距”是指所述初始多边形与其相邻图形之间的间距。
[0007]一个实施情况里，第一间隔区和/或第二间隔区是多边形，多边形可以是矩形，也可以是一个能切割成若干个矩形的多边形区域。
[0008]所述待识别层是多晶硅层、金属层或有源区层中的一层或多层。
[0009]在版图的待识别层中，所有图形的轮廓边都是沿着图形走向的边或者垂直于图形
走向边。
[0010]所述目标图形plg_out沿着图形走向的轮廓边都识别为edge_out，用于作为识别出的目标图形的信息提供。
[0011]本专利技术另一方面提供的一种光刻缺陷热点图形结构，通过本专利技术的一种光刻缺陷热点图形的识别方法识别得到，包括：图层及图层上的光刻缺陷热点图形。
[0012]所述图层包括多晶硅层、金属层和有源区层中的一层或多层。
[0013]所述光刻缺陷热点图形为多边形图形，并设为plg_out；设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；所述plg_out的线宽满足预设的宽度范围，且该plg_out中沿着图形走向的两侧轮廓边，与相邻图形的间距分别满足：plg_out与一侧相邻图形之间的间距在预设的第一间距范围内，plg_out与另一侧相邻图形之间的间距在预设的第二间距范围内。
[0014]所述多边形图形和/或相邻图形的轮廓边都是沿着图形走向的边或者垂直于图形走向边。
[0015]本专利技术具有如下有益效果：(1)根据本专利技术的一种光刻缺陷热点图形的识别方法，通过预设范围能快速的识别出初始边、第一边和第二边，进而直观准确的识别出目标图形为光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁，效率高。(2)根据本专利技术所涉及的一种光刻缺陷热点图形结构，通过本专利技术的识别方法得到，有利于在生产中辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的实施例一中光刻缺陷热点图形结构示意图。
[0017]图2是本专利技术的实施例一中光刻缺陷热点图形的识别方法的示意图。
[0018]图3是本专利技术的实施例一中的初始边的示意图。
[0019]图4是本专利技术的实施例三中的第一间距范围及第二间距范围的示意图。
[0020]图5是本专利技术的实施例三中的第一间隔区及第二间隔区的示意图。
[0021]图6是本专利技术的实施例三中的第一边与第二边的示意图。
[0022]图7是本专利技术的实施例三中的目标图形的示意图。
具体实施方式
[0023]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解。
[0024]下面将参照附图更详细地描述本专利技术公开的实施例。虽然附图中显示了本专利技术公开的某些实施例，然而应当理解的是，本专利技术公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本专利技术公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本专利技术公开的保护范围。在下述实施例中采用特定次序描绘了实施例的操作，这些次序的描述是为了更好的理解实施例中的细节以全面了解本专利技术，但这些次序的描述并不一定与本专利技术的方法一一对应，也不能以此限定本专利技术的范围。
[0025]需要说明的是，附图中的流程图和框图，图示了按照本专利技术实施例的方法可能实现的操作过程。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以并不同
于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以穿插的执行，这依所涉及的步骤要实现的目的而定。此外框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与人工操作结合来实现。本专利技术为了便于叙述清楚而采用的一些常用的英文名词或字母只是用于示例性指代而非限定性解释或特定用法，不应以其可能的中文翻译或具体字母来限定本专利技术的保护范围。
[0026]实施例一为了便于说明以下叙述中结合附图以图形走向为第一方向Y，垂直于图形走向的方向为第二方向X。需要指出的是，实际情况中本专利技术涉及的图形走向是随着图形在改变的，对于同一个图形沿着其走向，可能一会其沿着水平方向延伸，一会其沿着垂直方向延伸，第一方向Y和第二方向X只是为了配合附图进行示意，实际并不是固定不变的，不能因此限定本专利技术的图形的走向。如图1所示，多边形M在第二方向X上的图形宽度为线宽LW；分别与多边形图形M在在第二方向X上的两侧轮廓边间隔预设的间距S1和间距S2设置有相邻的其它图形N。
[0027]本实施例中如图2所示，并结合参考本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻缺陷热点图形的识别方法，其特征在于：包括：步骤S1.获取版图信息，并确定版图的待识别层，即目标图形所在层；步骤S2.预设宽度范围，设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；将线宽在所述宽度范围内的图形识别为初始多边形，并将初始多边形中沿着图形走向的轮廓边识别为初始边；步骤S3.预设第一间距范围和第二间距范围；将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区，将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区；步骤S4.将所述初始边中，与所述第一间隔区接触的边识别为第一边，与所述第二间隔区接触的边识别为第二边；步骤S5.将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out；所述plg_out为识别出的目标图形，即光刻缺陷热点图形。2.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法，其特征在于：所述步骤S3中“相邻图形之间的间距”是指所述初始多边形与其相邻图形之间的间距。3.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法，其特征在于：第一间隔区和/或第二间隔区是多边形。4.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法，其特征在于：所述待识别层是多晶硅层、金属层或有源区层中的一层或多层。5.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘伟伟，胡佳南，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：