【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片测试，特别是涉及一种e-fuse熔断特性的测试电路、方法和系统。
技术介绍
1、e-fuse（electrically programmable fuse）电子熔断或电子可编程熔断是一种特殊类型的非易失性存储器，广泛应用在集成电路中，在电路单元初始状态并不完美时，采用e-fuse可为测试或设计提供子电路的替换。
2、目前对e-fuse的熔断特性的测试，是通过e-fuse单元的两端直连至焊盘的方式来进行熔断特性的测试，每个e-fuse单元的fs端、fl端、熔断控制端、信号测试端均需要连接至相应的焊盘，进行大量的e-fuse单元的熔断特性的测试时，需要大量的焊盘，而焊盘的面积通常较大，大量的焊盘导致电路的面积利用率较低。
技术实现思路
1、在本实施例中提供了一种e-fuse熔断特性的测试电路、方法和系统，以解决现有技术中大量的焊盘导致电路的面积利用率较低的问题。
2、第一个方面，在本实施例中提供了一种e-fuse熔断特性的测试电路，所述测试电路包括选择电路、开关电路和多个焊盘；
3、所述开关电路包括多个e-fuse块和多个第一开关；所述e-fuse块包括多个e-fuse单元；
4、所述选择电路的输入端连接地址信号和测试类型信号，所述选择电路的输出端与所述开关电路的控制端连接，所述选择电路根据所述地址信号和所述测试类型信号，控制所述开关电路选中目标e-fuse单元，以及选择所述目标e-fuse单元的工作模式；
5、
6、每个所述e-fuse单元分别连接到所述第一焊盘和所述第二焊盘；同一个e-fuse块中的所述e-fuse单元都连接到相同的一对第一焊盘和第二焊盘，相邻两个e-fuse块中的所述e-fuse单元共享第一焊盘或者第二焊盘；
7、所述e-fuse单元包括e-fuse，所述e-fuse的一端通过第一开关连接到所述第三焊盘，另一端通过第一开关连接到所述第四焊盘。
8、在其中的一些实施例中，所述选择电路还包括第一译码器、第二译码器和多个三输入与门；
9、所述第一译码器输出行地址信号，用于选中目标e-fuse块；所述第二译码器输出列地址信号，用于选中所述目标e-fuse块中的目标e-fuse单元；
10、所述三输入与门接收行地址信号、列地址信号和测试类型信号，输出使能信号；所述三输入与门根据输入的测试类型信号是测量信号或者熔断信号，输出的使能信号对应是测量使能信号或者熔断使能信号。
11、在其中的一些实施例中，所述第二译码器输出列地址信号，用于选中所述目标e-fuse块中的目标e-fuse单元，包括：
12、相邻两个e-fuse块中的所述e-fuse单元不能共用一个列地址信号，即两个共享第一焊盘或者第二焊盘的e-fuse块中e-fuse单元不能共用一个列地址信号。
13、在其中的一些实施例中所述每个所述e-fuse单元分别连接到所述第一焊盘和所述第二焊盘，包括：
14、所述e-fuse单元还包括第二开关；
15、所述e-fuse的一端连接到所述第一焊盘，另一端与所述第二开关的一端连接，所述第二开关的另一端连接到所述第二焊盘。
16、在其中的一些实施例中，所述选择电路的输出端与所述开关电路的控制端连接，包括：
17、所述选择电路输出的测量使能信号与所述开关电路中的所述第一开关的控制端连接；
18、所述选择电路输出的熔断使能信号与所述开关电路中的所述第二开关的控制端连接。
19、在其中的一些实施例中，所述第一开关和第二开关采用nmos晶体管，所述nmos晶体管的两端分别指源极和漏极，所述nmos晶体管的控制端是指栅极。
20、在其中的一些实施例中，所述目标e-fuse单元的工作模式包括测量模式和熔断模式。
21、在其中的一些实施例中，所述多个焊盘还包括：多个地址焊盘，用于向选择电路（第一译码器、第二译码器）提供地址信号；测试类型信号焊盘，用于向选择电路提供测试类型信号；电源焊盘，用于向所述e-fuse熔断特性的测试电路供电。
22、第二个方面，在本实施例中提供了一种e-fuse熔断特性的测试方法，利用第一个方面所述的e-fuse熔断特性的测试电路，对e-fuse的熔断特性进行测试。
23、在其中的一些实施例中，包括下述步骤：
24、步骤一：使目标e-fuse单元工作在测量模式，测得所述目标e-fuse单元中e-fuse熔断前的电阻值；
25、步骤二：使所述目标e-fuse单元工作在熔断模式，对所述目标e-fuse单元中e-fuse进行熔断；
26、步骤三：使目标e-fuse单元工作在测量模式，测得所述目标e-fuse单元中e-fuse熔断后的电阻值。
27、在其中的一些实施例中，包括对e-fuse进行电阻测量，所述使目标e-fuse单元工作在测量模式，包括：
28、通过地址信号和测试类型信号，控制开关电路：闭合所述目标e-fuse单元中所述e-fuse两端的第一开关，闭合所述目标e-fuse单元中的第二开关；
29、使所述目标e-fuse单元工作在测量模式：在第一焊盘施加第一电压值，在第二焊盘测量电流得到第一电流值，在第三焊盘和第四焊盘分别测量电压得到第二电压值和第三电压值；
30、根据所述第二电压值、所述第三电压值和所述第一电流值，测得所述目标e-fuse单元中e-fuse的电阻值。
31、在其中的一些实施例中，包括对e-fuse进行熔断测试，所述使所述目标e-fuse单元工作在熔断模式，包括：
32、通过地址信号和测试类型信号，控制开关电路：断开所述目标e-fuse单元中所述e-fuse两端的第一开关，闭合所述目标e-fuse单元中的第二开关；
33、使所述目标e-fuse单元工作在熔断模式：在第一焊盘施加电压脉冲，在第二焊盘测量电流值；对所述目标e-fuse单元中e-fuse进行熔断。
34、第三个方面，在本实施例中提供了一种e-fuse的熔断特性的测试系统，所述测试系统包括测试设备和如第一个方面所述的e-fuse熔断特性的测试电路，所述测试设备通过探针卡与所述测试电路的多个焊盘连接。
35、与现有技术相比，在本实施例中提供的一种e-fuse熔断特性的测试电路、方法和系统，通过选择电路的输出端与开关电路的控制端连接，选择电路根据地址信号和测试类型信号，控制开关电路选中目标e-fuse单元，以及选择目标e-fuse单元的工作模式，相邻2个e-fuse块共享第一焊盘fs或者第二焊盘fl，所有e-fuse单元中的e-fuse的一端通过第一开关连接到第三焊盘ss，另一端通过第一开关连接到第四焊盘sl，通过选择电路的寻址设计减少了焊盘本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种E-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述测试电路包括选择电路、开关电路和多个焊盘；
2.根据权利要求1所述的E-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述选择电路还包括第一译码器、第二译码器和多个三输入与门；
3.根据权利要求2所述的E-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述第二译码器输出列地址信号，用于选中所述目标E-fuse块中的目标E-fuse单元，包括：
4.根据权利要求1所述的E-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述每个所述E-fuse单元分别连接到所述第一焊盘和所述第二焊盘，包括：
5.根据权利要求4所述的E-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述选择电路的输出端与所述开关电路的控制端连接，包括：
6.根据权利要求1所述的E-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述第一开关和第二开关采用NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的两端分别指源极和漏极，所述NMOS晶体管的控制端是指栅极。
7.根据权利要求1所述的E-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述目标
8.根据权利要求1所述的E-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述多个焊盘还包括：
9.一种E-fuse熔断特性的测试方法，其特征在于，利用权利要求1-8任意一项所述的E-fuse熔断特性的测试电路，对E-fuse的熔断特性进行测试。
10.根据权利要求9所述的E-fuse熔断特性的测试方法，其特征在于，包括下述步骤：
11.根据权利要求10所述的E-fuse熔断特性的测试方法，其特征在于，包括对E-fuse进行电阻测量，所述使目标E-fuse单元工作在测量模式，包括：
12.根据权利要求10所述的E-fuse熔断特性的测试方法，其特征在于，包括对E-fuse进行熔断测试，所述使所述目标E-fuse单元工作在熔断模式，包括：
13.一种E-fuse的熔断特性的测试系统，其特征在于，所述测试系统包括测试设备和如权利要求1至权利要求8中任一项所述的E-fuse熔断特性的测试电路，所述测试设备通过探针卡与所述测试电路的多个焊盘连接。
...【技术特征摘要】
1.一种e-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述测试电路包括选择电路、开关电路和多个焊盘；
2.根据权利要求1所述的e-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述选择电路还包括第一译码器、第二译码器和多个三输入与门；
3.根据权利要求2所述的e-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述第二译码器输出列地址信号，用于选中所述目标e-fuse块中的目标e-fuse单元，包括：
4.根据权利要求1所述的e-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述每个所述e-fuse单元分别连接到所述第一焊盘和所述第二焊盘，包括：
5.根据权利要求4所述的e-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述选择电路的输出端与所述开关电路的控制端连接，包括：
6.根据权利要求1所述的e-fuse熔断特性的测试电路，其特征在于，所述第一开关和第二开关采用nmos晶体管，所述nmos晶体管的两端分别指源极和漏极，所述nmos晶体管的控制端是指栅极。
7.根据权利要求1所述的e-fuse熔断特性的测试电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨璐丹，尤炎，施姣，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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