一种半导体曝光设备的空气压力的控制方法及系统技术方案

本申请提供了一种半导体曝光设备的空气压力的控制方法及系统，其中，所述半导体曝光设备包括曝光区域和传输区域，该方法包括：获取曝光区域和传输区域的气压值；判断曝光区域的气压值是否小于或等于传输区域的气压值；若曝光区域的气压值小于或等于传输区域的气压值，则计算所述曝光区域与所述传输区域的第一气压差值；根据所述第一气压差值，控制所述曝光区域的进风风量和/或出风风量，以使曝光区域的气压值大于传输区域的气压值。本申请控制半导体曝光设备的曝光区域和传输区域的气压值，使曝光区域的气压值大于传输区域的气压值，达到保证曝光区域的清洁程度的效果。达到保证曝光区域的清洁程度的效果。达到保证曝光区域的清洁程度的效果。

A control method and system of air pressure of semiconductor exposure equipment

【技术实现步骤摘要】
一种半导体曝光设备的空气压力的控制方法及系统


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种半导体曝光设备的空气压力的控制方法及系统。

技术介绍

[0002]在对晶圆进行曝光的工序中，对曝光区域的清洁程度要求很高，目前，在半导体曝光设备中，曝光区域经常由于外部的杂质在掩模版和晶圆的运输过程中，通过交接口进入到曝光区域中，导致曝光区域的清洁度达不到要求，进而导致晶圆曝光质量下降。
[0003]并且，在半导体曝光设备中，晶圆或掩模版在交接过程中，会存在与接触零件的相对运动，在运动过程中晶圆或掩模版与接触零件相对摩擦，会形成摩擦颗粒。摩擦颗粒在曝光过程中也会影响曝光区域的清洁程度，导致晶圆曝光质量下降。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体曝光设备的空气压力的控制方法、系统、装置及介质，能够通过进出风量控制半导体曝光设备的曝光区域和传输区域的气压值，使曝光区域的气压值大于传输区域的气压值，并且进出风能在曝光区域内形成气流，带走晶圆在运动过程中产生的摩擦颗粒，解决现有技术中存在的外部的杂质在掩模版和晶圆的运输过程中会通过交接口进入到曝光区域中且在晶圆或掩模版在运动的过程中容易产生摩擦颗粒，导致半导体曝光设备内部的清洁程度不达标的问题，达到保证曝光区域的清洁程度，不会由于曝光区域的清洁问题而导致晶圆曝光质量下降。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种半导体曝光设备的空气压力的控制方法，所述半导体曝光设备包括曝光区域和传输区域，所述方法包括：获取曝光区域和传输区域的气压值；判断曝光区域的气压值是否小于或等于传输区域的气压值；若曝光区域的气压值小于或等于传输区域的气压值，则计算所述曝光区域与所述传输区域的第一气压差值；根据所述第一气压差值，控制所述曝光区域的进风风量和/或出风风量，以使曝光区域的气压值大于传输区域的气压值。
[0006]可选地，所述曝光区域包括掩模台和工件台，所述传输区域包括掩模传输区域和工件传输区域，所述掩模台通过第一进风变风量阀控制进风风量，通过第一出风变风量阀控制出风风量，所述掩模传输区域通过第二进风变风量阀控制进风风量，通过第二出风变风量阀控制出风风量，所述工件台通过第三进风变风量阀控制进风风量，通过第三出风变风量阀控制出风风量，所述工件传输区域通过第四进风变风量阀控制进风风量，通过第四出风变风量阀控制出风风量，其中，判断曝光区域的气压值是否小于或等于传输区域的气压值的步骤包括：判断所述掩模台的气压值是否小于或等于所述掩模传输区域的气压值；其中，所述第一气压差值包括所述掩模台与所述掩模传输区域的第二气压差值，通过以下方式控制所述曝光区域的进风风量和/或出风风量：根据所述第二气压差值，控制所述第一进风变量阀的开口值增大和/或控制所述第一出风变量阀的开口值减小，以使掩模台的气
压值大于掩模传输区域的气压值。
[0007]可选地，判断曝光区域的气压值是否小于或等于传输区域的气压值的步骤包括：判断所述工件台的气压值是否小于或等于所述工件传输区域的气压值；其中，所述第一气压差值还包括所述工件台与所述工件传输区域的第三气压差值，通过以下方式控制所述曝光区域的进风风量和/或出风风量：根据所述第三气压差值，控制所述第三进风变量阀的开口值增大和/或控制所述第三出风变量阀的开口值减小，以使工件台的气压值大于工件传输区域的气压值。
[0008]可选地，所述半导体曝光设备还包括防护区域，所述防护区域设置在曝光区域和传输区域外，其中，所述控制方法还包括：获取所述防护区域的气压值；判断所述防护区域的气压值是否小于第一气压预设值控制范围内；若所述防护区域的气压值不小于第一气压预设值，则控制防护区域的气压平衡阀打开，以使防护区域的气压值小于第一气压预设值，其中，所述气压平衡阀用于使防护区域与防护区域外通风；检测所述气压平衡阀的开启时间，并控制所述气压平衡阀在打开预设时间阈值后关闭。
[0009]可选地，所述半导体曝光设备还包括进风风机、过滤模块、温度控制单元、分流块和排风风机，所述进风风机将空气吸入，被吸入的空气经过空气传输管道传输至过滤模块，过滤模块对吸入的空气进行过滤后经空气传输管道传输至温度控制单元，被吸入的空气经温度控制单元控温后，经分流块分流通过空气传输管道，将被吸入的空气传输至曝光区域和传输区域，其中，所述控制方法还包括：获取进风温度；计算进风温度与预设的进风标准温度的温度差值；判断温度差值的绝对值是否大于预设的进风温度偏差阈值；若所述温度差值的绝对值大于预设的进风温度偏差阈值，则根据所述温度差值，控制所述温度控制单元对进风加热或冷却，以使进风温度与预设的进风标准温度的温度差值的绝对值小于进风温度偏差阈值。
[0010]可选地，根据所述第一气压差值，控制所述曝光区域的进风风量和出风风量，使曝光区域的气压值大于传输区域的气压值的步骤包括：根据曝光区域和传输区域的气压值，计算所述曝光区域的气压值与曝光区域标准气压值之间的第四气压差值和传输区域的气压值与传输区域标准气压值之间的第五气压差值；判断所述第四气压差值的绝对值是否大于第五气压差值绝对值；若第四气压差值的绝对值大于第五气压差值的绝对值，则根据所述第一气压差值，调整所述曝光区域的进风变风量阀或出风变风量阀的开口值，使曝光区域的气压值大于传输区域的气压值。
[0011]可选地，判断所述第四气压差值的绝对值是否大于第五气压差值绝对值的步骤之后还包括：若第四气压值的绝对值小于或等于第五气压值的绝对值，则根据所述第一气压差值，调整所述传输区域的进风变风量阀或出风变风量阀的开口值，使曝光区域的气压值大于传输区域的气压值。
[0012]可选地，曝光区域还包括第一高效过滤器和第二高效过滤器，所述传输区域还包括第三高效过滤器和第四高效过滤器，其中，所述第一高效过滤器与第一进风变量阀控制出风风量的出风口连接，以对与第一进风变量阀控制出风风量的出风口的气流进行过滤；所述第二高效过滤器与第二进风变量阀控制出风风量的出风口连接，以对与第二进风变量阀控制出风风量的出风口的气流进行过滤；所述第三高效过滤器与第三进风变量阀控制出风风量的出风口连接，以对与第三进风变量阀控制出风风量的出风口的气流进行过滤；所
述第四高效过滤器与第四进风变量阀控制出风风量的出风口连接，以对与第四进风变量阀控制出风风量的出风口的气流进行过滤。
[0013]第二方面，本申请实施例还提供了一种半导体曝光设备，所述系统包括：进风风机、排风风机、控制器和多个气压传感器，进风风机通过空气输送管道分别与传输区域和曝光区域连通，用于向所述传输区域和所述曝光区域输送风力；排风风机通过空气输送管道分别与传输区域和曝光区域连通，用于排出所述传输区域和所述曝光区域的风力；所述多个气压传感器分别设置于曝光区域和传输区域内，用于测量曝光区域和传输区域的气压值，并将所检测到的曝光区域和传输区域的气压值传输至控制器；控制器，用于获取曝光区域和传输区域的气压值；判断曝光区域的气压值是否小于或等于传输区域的气压值；若曝光区域的气压值小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体曝光设备的空气压力的控制方法，其特征在于，所述半导体曝光设备包括曝光区域和传输区域，所述方法包括：获取曝光区域和传输区域的气压值；判断曝光区域的气压值是否小于或等于传输区域的气压值；若曝光区域的气压值小于或等于传输区域的气压值，则计算所述曝光区域与所述传输区域的第一气压差值；根据所述第一气压差值，控制所述曝光区域的进风风量和/或出风风量，以使曝光区域的气压值大于传输区域的气压值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光区域包括掩模台和工件台，所述传输区域包括掩模传输区域和工件传输区域，所述掩模台通过第一进风变风量阀控制进风风量，通过第一出风变风量阀控制出风风量，所述掩模传输区域通过第二进风变风量阀控制进风风量，通过第二出风变风量阀控制出风风量，所述工件台通过第三进风变风量阀控制进风风量，通过第三出风变风量阀控制出风风量，所述工件传输区域通过第四进风变风量阀控制进风风量，通过第四出风变风量阀控制出风风量，其中，判断曝光区域的气压值是否小于或等于传输区域的气压值的步骤包括：判断所述掩模台的气压值是否小于或等于所述掩模传输区域的气压值；其中，所述第一气压差值包括所述掩模台与所述掩模传输区域的第二气压差值，通过以下方式控制所述曝光区域的进风风量和/或出风风量：根据所述第二气压差值，控制所述第一进风变量阀的开口值增大和/或控制所述第一出风变量阀的开口值减小，以使掩模台的气压值大于掩模传输区域的气压值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，判断曝光区域的气压值是否小于或等于传输区域的气压值的步骤包括：判断所述工件台的气压值是否小于或等于所述工件传输区域的气压值；其中，所述第一气压差值还包括所述工件台与所述工件传输区域的第三气压差值，通过以下方式控制所述曝光区域的进风风量和/或出风风量：根据所述第三气压差值，控制所述第三进风变量阀的开口值增大和/或控制所述第三出风变量阀的开口值减小，以使工件台的气压值大于工件传输区域的气压值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体曝光设备还包括防护区域，所述防护区域设置在曝光区域和传输区域外，其中，所述控制方法还包括：获取所述防护区域的气压值；判断所述防护区域的气压值是否小于第一气压预设值控制范围内；若所述防护区域的气压值不小于第一气压预设值，则控制防护区域的气压平衡阀打开，以使防护区域的气压值不大于第一气压阈值，其中，所述气压平衡阀用于使防护区域与防护区域外通风；检测所述气压平衡阀的开启时间，并控制所述气压平衡阀在打开预设时间阈值后关闭。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体曝光设备还包括进风风机、过滤模块、温度控制单元、分流块和排风风机，所述进风风机将空气吸入，被吸入的空气经过
空气传输管道传输至过滤模块，过滤模块对吸入的空气进行过滤后经空气传输管道传输至温度控制单元，被吸入的空气经温度控制单元控温后，经分流块分流通过空气传输管道，将被吸入的空气传输至所述曝光区域和传输区域，其中，所述控制方法还包括：获取进风温度；计算进风温度与预设的进风标准温度的温度差值；判断温度差值的绝对值是否大于预设的进风温度偏差阈值；若所述温度差值的绝对值大于预设的进风温度偏差阈值，则根据所述温度差值，控制所述温度控制单元对进...

【专利技术属性】
技术研发人员：董晴晴，崔岳，张帅，卢志辉，刘一鸣，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：