【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种快速识别场效应晶体泄漏路径的方法及装置。
技术介绍
1、场效应晶体管具有输入阻抗高、功率消耗小、可靠性高等优点，因此被广泛应用于各种电子设备中，例如放大器、开关电路、振荡器、模拟电路、数字电路等。
2、在芯片设计过程中，会基于芯片的前道、中道工艺产生的层设计检测电路，进而对芯片性能进行测试。这其中需要将产品芯片中大量的场效应晶体管通过通孔或者金属层连接至焊盘上，并通过电性测试数据的异常值来分析工艺流程中的缺陷。在场效应管的选取与测试分析过程中，需要排除掉由于器件本身的源极与漏极之间或者源极、漏极到栅极间存在的漏电路径，避免器件中的泄漏电路径对测试结果产生影响。
3、现有技术中，常用的判断场效应管泄漏路径的方法是通过图形特征关系来分析判断，但是这种判断场效应管泄漏路径的方法容易遗漏长路径或者非典型样式的泄漏路径，不能有效的找出场效应管的泄漏路径。因此，有必要设计一种新型的识别场效应晶体管泄漏路径的方法，可以准确的找出场效应晶体管中的泄漏路径。
技术实现思路
1、本专利技术提供快速识别场效应晶体泄漏路径的方法，能够全面的分析版图中存在的泄漏路径。
2、本专利技术的其他目的和优点可以从本专利技术所揭露的技术特征中得到进一步的了解。
3、为达上述之一或部分或全部目的或其他目的，本专利技术一技术方案所提供的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，包括：获取版图，确定目标管；获取所述目标管的两个目标电
4、所述两个目标电极包括：源极与漏极、栅极与漏极、和/或 栅极与源极。
5、所述确定目标管，包括：所述目标管为单个晶体管或者多个并联的晶体管，将所述目标管的多晶硅区域中去掉多晶硅切断区域后，得到实际的栅极区域（poly not polycut=poly_real），将所述实际的栅极区域和有源区区域的重叠区域（aa and poly_real）识别为所述目标管的标记区域。
6、所述确定目标管，包括：所述目标管为多个串联的晶体管，将所述目标管的多晶硅区域中去掉多晶硅切断区域后，得到实际的栅极区域，将所述实际的栅极区域和有源区区域的重叠区域（aa and poly_real）包括在内的最小矩形区域识别为所述目标管的标记区域。
7、所述存在连接关系的电路路径具有相同的标识，包括：不同层之间的所述连接关系包括直接连接和间接连接；所述直接连接是指两个层的图形直接接触产生的连接；所述间接连接是指两个层的图形通过接触至少一个中间层的图形产生的连接。
8、两个目标电极是源极和漏极，则所述获取所述目标管的两个目标电极之间的至少两个电路路径，包括：识别出所述目标管的标记区域（y3）接触两侧的源漏区域（aa_cal）的电路路径；
9、其中，所述源漏区域是指实际的有源区区域（aa_real）中去除所述目标管的标记区域和控制管（loopgate）后的区域；
10、所述实际的有源区区域，是有源区区域中去掉有源区切断区域后得到的区域（aanot aacut）；所述控制管是指通过金属线连接出来的晶体管。
11、两个目标电极是栅极与漏极，或者栅极与源极，则所述获取所述目标管的两个目标电极之间的至少两个电路路径，包括：识别出所述目标管的标记区域（y3）接触两侧的源漏区域的电路路径，以及识别出所述目标管的标记区域接触目标管延伸段（gate_conn）的电路路径；所述目标管延伸段是指，与所述目标管的标记区域接触的实际的栅极区域中去掉所述目标管的标记区域的区域中，与和通孔有连接的连接多晶硅的金属线有接触的区域（((poly_real interact y3) not y3) interact (m0po interact v0)）。
12、所述基于所述至少两个电路路径的标识，判定所述目标管的两个目标电极之间是否存在泄漏路径，包括：若所述至少两个电路路径的标识至少有两个相同，则判断所述目标管的两个目标电极之间存在泄漏路径；若所述至少两个电路路径的标识全部都不相同，则判断所述目标管的两个目标电极之间不存在泄漏路径。
13、本专利技术另一技术方案所提供的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的装置，包括：获取模块，用于获取版图，确定目标管；获取所述目标管的两个目标电极之间的至少两个电路路径；识别模块，用于识别所述至少两个电路路径的标识；存在连接关系的电路路径具有相同的标识；判定模块，用于基于所述至少两个电路路径的标识，判定所述目标管的两个目标电极之间是否存在泄漏路径。
14、本专利技术另一技术方案所提供的一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述一技术方案所述的快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法。
15、与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要包括：本专利技术通过对版图中的各个层进行识别并对层间的关系进行分析，将目标晶体管存在的所有的漏电路径进行标识，并结合层间的连接关系，对这些漏电路径进行分析，找出高风险的漏电路径，进而帮助分析场效应管测试数据的异常值。本专利技术的识别场效应晶体管的泄漏路径的方法具有全面识别场效应晶体管泄漏路径的优点，且分析漏电风险程度方便准确的优点。
16、为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
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1.一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，所述两个目标电极包括：
3.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，所述确定目标管，包括：
4.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，所述确定目标管，包括：
5.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，所述存在连接关系的电路路径具有相同的标识，包括：
6.根据权利要求2所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，两个目标电极是源极和漏极，则所述获取所述目标管的两个目标电极之间的至少两个电路路径，包括：
7.根据权利要求6所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，两个目标电极是栅极与漏极，或者栅极与源极，则所述获取所述目标管的两个目标电极之间的至少两个电路路径，包括：
8.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特
9.一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的装置，其特征在于，包括：
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至权利要求8中任一项所述的快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，所述两个目标电极包括：
3.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，所述确定目标管，包括：
4.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，所述确定目标管，包括：
5.根据权利要求1所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，所述存在连接关系的电路路径具有相同的标识，包括：
6.根据权利要求2所述的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，其特征在于，两个目标电极是源极和漏极，则所述获取所述目标管的两...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨璐丹，曾祥芮，万晶，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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