本申请公开了一种晶圆清洗装置，包括，承载晶圆的机体；安装于机体上的清洗组件，清洗组件包括至少两个并排设置的清洗刷，两个清洗刷间有用于插放晶圆的第一间隙；清洗刷绕其轴向转动与机体转动连接；清洗刷包括中部与端部，中部的周侧上设置有第一凸起结构，端部的周侧上设置有第二凸起结构，第一、第二凸起结构均包括多个间隔设置的凸起；第一凸起结构中，沿清洗刷的轴向排布且相邻的两个凸起的间距为L1，第二凸起结构中，沿清洗刷的轴向排布且相邻的两个凸起的间距为L2，L1大于L2。在本申请实施例中，减小中部的凸起排布密度，以减少晶圆的中心部分与凸起的接触时间，从而避免晶圆的中心部分与凸起长时间接触造成晶圆的中心部分被试剂腐蚀。中心部分被试剂腐蚀。中心部分被试剂腐蚀。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置
[0001]本申请涉及晶圆制造工艺
，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是晶圆制造中的一项工艺，用来对正在加工中的晶圆的表面进行平坦化处理。化学机械抛光的基本原理是借助大量的化学试剂和研磨剂来对待抛光晶圆的表面进行研磨，并获得光洁表面。因此，抛光完成后，在晶圆表面残留有大量的研磨颗粒和研磨副产物等污染物。为了去除晶圆表面的污染物，需要使用晶圆清洗装置对晶圆的表面进行多次清洗。
技术实现思路
[0003]本技术提供一种晶圆清洗装置，在清洗刷的中部减小凸起的排布密度，以减少晶圆的中心部分与凸起的接触时间。
[0004]本申请实施例，提供一种晶圆清洗装置，包括：机体，用于承载晶圆。
[0005]清洗组件，安装于所述机体上，所述清洗组件包括至少两个并排设置的清洗刷，两个并排设置的清洗刷之间具有用于插放所述晶圆的第一间隙；所述清洗刷与所述机体转动连接且绕所述清洗刷的轴向转动；所述清洗刷包括中部以及端部，所述中部的周侧上设置有第一凸起结构，所述端部的周侧上设置有第二凸起结构，所述第一凸起结构以及所述第二凸起结构均包括多个间隔设置的凸起。
[0006]其中，所述第一凸起结构中，沿所述清洗刷的轴向排布且相邻的两个所述凸起之间的间距为L1，所述第二凸起结构中，沿所述清洗刷的轴向排布且相邻的两个所述凸起之间的间距为L2，所述L1大于所述L2。
[0007]根据一些实施例，所述第一凸起结构包括多个凸起组，多个所述凸起组沿所述清洗刷的轴向排布；每一所述凸起组包括多个所述凸起，每一所述凸起组中，所有所述凸起绕所述清洗刷的轴向螺旋排布。
[0008]基于上述实施例，当所述清洗刷转动时，所述第一凸起结构中，沿所述清洗刷的周向排布且相邻的两个所述凸起会间隔一定的时间接触所述晶圆的中心部分，可以避免在清洗过程中所述凸起与所述晶圆的中心部分长时间接触。
[0009]根据一些实施例，所述第一凸起结构中，所有所述凸起沿所述清洗刷的轴向呈螺旋排布。
[0010]基于上述实施例，当所述清洗刷转动时，所述第一凸起结构中，沿所述清洗刷的周向排布且相邻的两个所述凸起会间隔一定的时间接触所述晶圆的中心部分，也可以避免在清洗过程中所述凸起与所述晶圆的中心部分长时间接触。
[0011]根据一些实施例，所述晶圆清洗装置还包括：支撑滚轮，所述支撑滚轮位于所述第一间隙的下方，且所述支撑滚轮的轴向与所述清洗刷的轴向垂直，所述支撑滚轮与所述机体转动连接且绕所述支撑滚轮的轴向转动，以支撑所述晶圆并带动所述晶圆转动。
[0012]基于上述实施例，所述支撑滚轮可以支撑所述第一间隙下方的所述晶圆的边缘部分，且可以带动所述晶圆沿其轴向转动，从而使得并排设置的所述清洗刷可以清洁所述晶圆的两个表面。
[0013]根据一些实施例，所述支撑滚轮设置有多个，多个所述支撑滚轮间隔排布，多个所述支撑滚轮之间形成用于容置所述晶圆的限位空间；所述支撑滚轮的周侧上均设置有供所述晶圆的边缘部分插入的凹槽。
[0014]基于上述实施例，所述晶圆位于限位空间中时，多个所述支撑滚轮对所述晶圆起到了定位作用，便于定位所述晶圆在所述第一间隙中的位置；而所述凹槽对所述晶圆起到了限位的作用，避免所述晶圆在转动时与所述支撑滚轮发生错位。
[0015]根据一些实施例，所述晶圆清洗装置还包括：喷杆，所述喷杆设置有至少两条，且位于所述清洗组件上方，所述喷杆的延伸方向与所述清洗刷的轴向平行，每条所述喷杆上设置至少一个喷嘴，所述喷嘴用于向所述晶圆喷洒第一清洁液。
[0016]基于上述实施例，所述喷嘴可以通过向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洁液来清洗所述晶圆的表面的污染物，使所述晶圆的清洗更全面，且提高了所述晶圆的清洗效率。
[0017]根据一些实施例，所述晶圆清洗装置还包括：摆臂机构，安装于所述机体上，所述摆臂机构设置有至少两个，且两个所述摆臂机构并排设置，两个并排设置的所述摆臂机构之间具有用于插放所述晶圆的第二间隙；所述摆臂机构包括第一喷口和第二喷口，所述第一喷口用于向所述晶圆喷洒第二清洁液，所述第二喷口用于向所述晶圆喷洒干燥气体。
[0018]基于上述实施例，所述摆臂机构可以通过喷洒所述第二清洁液清洗所述晶圆，在清洗完成之后，所述摆臂机构还可以通过喷洒所述干燥气体对所述晶圆进行干燥，使所述晶圆的表面的清洁液蒸发。
[0019]根据一些实施例，所述摆臂机构在向所述晶圆喷洒所述第二清洁液和所述干燥气体时，所述第一喷口与所述晶圆的中心沿所述晶圆的径向的距离为 10～30毫米，所述第二喷口与所述晶圆的中心沿所述晶圆的径向的距离为10～30 毫米。
[0020]基于上述实施例，所述摆臂机构在喷洒所述第二清洁液和所述干燥气体时，都没有正对所述晶圆的中心部分，避免了所述第二清洁液和所述干燥气体一直正对所述晶圆的中心部分喷洒而造成所述晶圆的中心部分被腐蚀。
[0021]根据一些实施例，所述清洗刷的内部有第三清洁液，所述第三清洁液经由所述清洗刷的内部到达所述凸起。
[0022]基于上述实施例，所述第三清洁液到达所述凸起对所述晶圆的表面进行清洗，去除所述晶圆表面的污染物。
[0023]根据一些实施例，两个并排设置的清洗刷中，一个所述清洗刷沿第一转动方向转动，另一个所述清洗刷沿第二转动方向转动；其中，所述第一转动方向与所述第二转动方向相反。
[0024]基于上述实施例，所述清洗刷转动时，所述清洗刷对所述晶圆会产生摩擦力，而当两个并排设置的清洗刷相向转动时，则两个所述清洗刷对所述晶圆产生的摩擦力方向相同，使插放在所述第一间隙中的所述晶圆的位置更稳定。
[0025]本技术的有益效果为：
[0026]本申请在所述清洗刷的所述中部减小所述凸起的排布密度，以减少所述晶圆的中
心部分与所述凸起的接触时间，从而避免在清洗过程中所述晶圆的中心部分与所述凸起长时间接触造成所述晶圆的中心部分被清洁液腐蚀。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本申请一实施例中清洗刷的结构示意图；
[0029]图2为本申请一实施例中晶圆清洗装置的第一视角的结构示意图；
[0030]图3为本申请一实施例中晶圆、清洗组件与喷杆的结构示意图；
[0031]图4为本申请一实施例中晶圆清洗装置的第二视角的结构示意图；
[0032]图5为本申请一实施例中晶圆清洗装置的部分的结构示意图。
[0033]附图标记：
[0034]11.机体；12.清洗组件；121.清洗刷；122.本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：机体，用于承载晶圆；清洗组件，安装于所述机体上，所述清洗组件包括至少两个并排设置的清洗刷，两个并排设置的清洗刷之间具有用于插放所述晶圆的第一间隙；所述清洗刷与所述机体转动连接且绕所述清洗刷的轴向转动；所述清洗刷包括中部以及端部，所述中部的周侧上设置有第一凸起结构，所述端部的周侧上设置有第二凸起结构，所述第一凸起结构以及所述第二凸起结构均包括多个间隔设置的凸起；其中，所述第一凸起结构中，沿所述清洗刷的轴向排布且相邻的两个所述凸起之间的间距为L1，所述第二凸起结构中，沿所述清洗刷的轴向排布且相邻的两个所述凸起之间的间距为L2，所述L1大于所述L2。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一凸起结构包括多个凸起组，多个所述凸起组沿所述清洗刷的轴向排布；每一所述凸起组包括多个所述凸起，每一所述凸起组中，所有所述凸起绕所述清洗刷的轴向螺旋排布。3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一凸起结构中，所有所述凸起沿所述清洗刷的轴向呈螺旋排布。4.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括：支撑滚轮，所述支撑滚轮位于所述第一间隙的下方，且所述支撑滚轮的轴向与所述清洗刷的轴向垂直，所述支撑滚轮与所述机体转动连接且绕所述支撑滚轮的轴向转动，以支撑所述晶圆并带动所述晶圆转动。5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述支撑滚轮设置有多个，多个所述支撑滚轮间隔排布，多个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡亚林，高林，尹良宣，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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