存储器装置及其操作方法、存储器系统制造方法及图纸

技术编号:41440324 阅读:20 留言:0更新日期:2024-05-28 20:33
本公开实施例提供了存储器装置及其操作方法、存储器系统,其中,所述存储器装置包括:存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路;其中,所述存储阵列包括多条字线;所述外围电路被配置为:将第一目标编程电压施加在所述多条字线中选中的字线上;在开始施加所述第一目标编程电压对应的上升脉冲之前,产生所述第一目标编程电压。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体,特别涉及一种存储器装置及其操作方法、存储器系统


技术介绍

1、存储器装置是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。作为一种典型的非易失性半导体存储器,nand(not-and,与非型)闪存器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性,已经成为存储市场中的主流产品。

2、随着对存储器装置要求的不断提高,如何提高编程效率成为本领域现阶段亟需解决的技术问题之一。


技术实现思路

1、本公开实施例提出一种存储器装置及其操作方法、存储器系统。

2、第一方面,本公开实施例提供一种存储器装置,所述存储器装置包括存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路;其中,

3、所述存储阵列包括多条字线;

4、所述外围电路被配置为:

5、将第一目标编程电压施加在所述多条字线中选中的字线上;在开始施加所述第一目标编程电压对应的上升脉冲之前,产生所述第一目标编程电压。

6、上述方案中,所述外围电路包括控制逻辑及与所述控制逻辑本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括:存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路;其中,

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路包括控制逻辑及与所述控制逻辑耦接的编程电压产生器;

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其特征在于,所述控制逻辑被配置为:

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路还包括行驱动器,所述编程电压产生器通过行驱动器中的第一晶体管与所述选中的字线耦接;所述控制逻辑被配置为:

5.根据权利要求4所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路还包括与所述控制逻辑耦接的驱动...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置,其特征在于,所述存储器装置包括:存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路;其中,

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路包括控制逻辑及与所述控制逻辑耦接的编程电压产生器;

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其特征在于,所述控制逻辑被配置为:

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路还包括行驱动器,所述编程电压产生器通过行驱动器中的第一晶体管与所述选中的字线耦接;所述控制逻辑被配置为:

5.根据权利要求4所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路还包括与所述控制逻辑耦接的驱动电压产生器;所述控制逻辑被配置为:

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其特征在于,所述第一电压与所述第一目标编程电压之间的电压差大于所述第一晶体管的开启电压。

7.根据权利要求5所述的存储器装置,其特征在于,所述控制逻辑被配置为:

8.根据权利要求3所述的存储器装置,其特征在于,所述外围电路还包括行驱动器,所述外围电路还包括与所述控制逻辑耦接的沟道上升电压产生器,所述沟道上升电压产...

【专利技术属性】
技术研发人员:向莉梁轲
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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