本发明专利技术提供一种能够抑制微粒的产生的磁记录层用溅射靶部件。该磁记录层用溅射靶部件，含有：10～70mol％的Co，5～30mol％的Pt，1.5～10mol％的碳化物，并且，合计含有0～30mol％的从碳、氧化物、氮化物以及碳氮化物中选择的一种或两种以上的非磁性材料。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术在一实施方式中，涉及一种磁记录层用溅射靶部件。本专利技术在另一实施方式中，涉及一种具备这样的溅射靶部件的溅射靶组件。本专利技术在又一实施方式中，涉及一种使用这样的溅射靶部件的成膜方法。
技术介绍
1、在以硬盘驱动为代表的磁性记录的领域，作为发挥记录作用的磁性薄膜的材料，已经使用采用强磁性金属的co、fe或ni作为基材的材料。例如，在近年实际应用的采用垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，通常使用在以co为主要成分的co－pt系的强磁性合金中分散有氧化物粒子以及碳粒子等非磁性粒子的复合材料。记录层，通过使得非磁性粒子将磁性粒子磁性地分离开的这种粒状结构被微细化，因此每单位面积的记录量增大。
2、磁性薄膜，基于高生产性的观点，通常使用磁控溅射装置对以上述材料为成分的溅射靶进行溅射，由此制造。因此，以往基于各种观点，进行了磁性薄膜形成用的溅射靶的技术开发。
3、专利文献1(日本特开2013－37730号公报)中，公开了一种将构成fept的l10型有序合金的金属(磁性金属、贵金属)以及碳进行混合的溅射靶。
>4、在该文献中，为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种磁记录层用溅射靶部件，含有：10～70mol％的Co，5～30mol％的Pt，1.5～10mol％的碳化物，并且，合计含有0～30mol％的从碳、氧化物、氮化物以及碳氮化物中选择的一种或两种以上的非磁性材料。
2.如权利要求1所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，与碳和碳化物的合计相比的碳化物的摩尔比为0.25以上。
3.如权利要求1或2所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，含有从B4C、Cr3C2以及TiC中选择的一种或两种以上作为碳化物。
4.如权利要求3所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，合计含有1.5～10mol％的从B4C、Cr3C2以及TiC...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种磁记录层用溅射靶部件，含有：10～70mol％的co，5～30mol％的pt，1.5～10mol％的碳化物，并且，合计含有0～30mol％的从碳、氧化物、氮化物以及碳氮化物中选择的一种或两种以上的非磁性材料。
2.如权利要求1所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，与碳和碳化物的合计相比的碳化物的摩尔比为0.25以上。
3.如权利要求1或2所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，含有从b4c、cr3c2以及tic中选择的一种或两种以上作为碳化物。
4.如权利要求3所述的磁记录层用溅射靶部件，其中，合计含有1.5～10mol％的从b...
【专利技术属性】
技术研发人员：小庄孝志，岩渊靖幸，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。