【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术涉及半导体,具体涉及一种数据擦除方法、及存储器。
技术介绍
0、
技术介绍
1、三维存储器(3d nand)是一种新兴的存储器类型,不同于将存储单元放置在单面,3d nand技术可以垂直地堆叠多个层级,每个层级中可以存在很多垂直堆叠的存储单元,从而极大地增加了存储密度。
2、为了在具有多个层级的3d nand中有效地读、写和擦除,每个层级可作为单独的存储块被擦除。目前主流的擦除方式是增量步进脉冲式擦除(incremental step pulseerase,ispe),即擦除的起始脉冲(vera start)和步进量(ispe step)是固定的,擦除脉冲的电压按照一个步进量逐渐增加,每一个擦除脉冲之后进行一次擦除验证(eraseverify)。
3、但是,随着擦除次数和编程次数增多,存储单元中隧穿层的隧穿效率会逐渐减弱(也即隧穿层会发生磨损),从而擦除所需的脉冲个数会增加一个甚至数个,相当于一个完整擦除操作所需的擦除次数会增加一次甚至数次,进而导致单个存储块的擦除速度会越来越慢,且由
...【技术保护点】
1.一种数据擦除方法,其特征在于,所述数据擦除方法包括:
2.根据权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,所述第N次擦除操作的擦除电压与所述第N-1次擦除操作的擦除电压之间的第一差值大于所述第N-1次擦除操作的擦除电压与第N-2次擦除操作的擦除电压之间的第二差值。
3.根据权利要求2所述的数据擦除方法,其特征在于,所述第一差值是所述第二差值的M倍,其中,M为针对所述第N-1次擦除操作进行的擦除验证在验证成功时的所述验证次数。
4.根据权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,前N-1次擦除操作中每次擦除操作的擦除电压随着擦除次数增
<...【技术特征摘要】
1.一种数据擦除方法,其特征在于,所述数据擦除方法包括:
2.根据权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,所述第n次擦除操作的擦除电压与所述第n-1次擦除操作的擦除电压之间的第一差值大于所述第n-1次擦除操作的擦除电压与第n-2次擦除操作的擦除电压之间的第二差值。
3.根据权利要求2所述的数据擦除方法,其特征在于,所述第一差值是所述第二差值的m倍,其中,m为针对所述第n-1次擦除操作进行的擦除验证在验证成功时的所述验证次数。
4.根据权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,前n-1次擦除操作中每次擦除操作的擦除电压随着擦除次数增加而增加。
5.根据权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,前n-1次擦除操作中的擦除电压随着擦除次数增加而按照第一脉冲增量逐渐增加。
6.根据权利要求5所述的数据擦除方法,其特征在于,针对所述第n-1次擦除操作进行擦除验证的验证电压随着验证次数的增加而按照第二脉冲增量逐渐增加。
7.根据权利要求6所述的数据擦除方法,其特征在于,所述第一脉冲增量与所述第二脉冲增量相同。
8.根据权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,还包括:
9.根据权利要求8所述的数据擦除方法,其特征在于,对所述选定...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄开谨,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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