封装基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种封装基板及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供内层基板；在内层基板上加工得到第一铜柱、第二铜柱和铜柱围墙，第一铜柱所在区域为第一区域，第二铜柱所在区域为第二区域，铜柱围墙位于第一区域与第二区域之间；在内层基板上加工得到绝缘介质层，第一铜柱、第二铜柱和铜柱围墙均位于绝缘介质层内；在绝缘介质层上加工得到位于铜柱围墙的顶部的第一凹槽。本发明专利技术公开的封装基板及其制作方法，可以使施加在用于固定元器件的填充材料停止向外漫延，以避免影响相邻元器件的电性能，以及避免由于填充材料向外漫延而导致元器件的贴装效果下降，同时还能够减少因填充材料向外漫延而产生的材料成本，以避免浪费材料。以避免浪费材料。以避免浪费材料。

Packaging substrate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
封装基板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，特别涉及一种封装基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]在封装基板的加工过程中，通常需要在封装载板的表面与元器件的侧面之间，设置树脂等填充材料，用于固定元器件，以使封装载板与元器件的连接更可靠、更紧密，从而加工得到封装基板。随着半导体封装技术的发展，封装载板上封装的元器件越来越多、越来越精密、越来越多元化，由于不同的元器件对于填充材料的要求不同，因此，对于填充材料的设置提出了更高的要求。然而，目前，在封装载板的表面与元器件的侧面之间设置的填充材料，容易漫延至相邻的元器件上，影响相邻的元器件的电性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种封装基板制作方法，能够避免填充材料向外漫延。
[0004]本专利技术还提出一种由上述封装基板制作方法制备得到的封装基板。
[0005]根据本专利技术一方面实施例提供的封装基板制作方法，包括以下步骤：
[0006]提供内层基板；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供内层基板；在所述内层基板上加工得到第一铜柱、第二铜柱和铜柱围墙，所述第一铜柱所在区域为第一区域，所述第二铜柱所在区域为第二区域，所述铜柱围墙位于所述第一区域与所述第二区域之间；在所述内层基板上加工得到绝缘介质层，所述第一铜柱、所述第二铜柱和所述铜柱围墙均位于所述绝缘介质层内；在所述绝缘介质层上加工得到位于所述铜柱围墙的顶部的第一凹槽。2.根据权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述在所述内层基板上加工得到第一铜柱、第二铜柱和铜柱围墙，包括以下步骤：利用图形转移和图形电镀的方式在所述内层基板上同时加工得到所述第一铜柱、所述第二铜柱和所述铜柱围墙。3.根据权利要求1或2所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述在所述内层基板上加工得到绝缘介质层，包括以下步骤：利用绝缘介质材料在所述内层基板上叠层压合，得到所述绝缘介质层；对所述绝缘介质层进行减薄处理，使所述第一铜柱顶部的端面、所述第二铜柱顶部的端面和所述铜柱围墙顶部的端面从所述绝缘介质层中露出。4.根据权利要求3所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘介质层上加工得到位于所述铜柱围墙的顶部的第一凹槽，包括以下步骤：对所述铜柱围墙的顶部进行镭射钻孔处理，以得到所述第一凹槽。5.根据权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述在所述内层基板上加工得到第一铜柱、第二铜柱和铜柱围墙，包括以下步骤：利用图形转移和图形电镀的方式在所述内层基板上加工得到所述铜柱围墙；利用图形转移和图形电镀的方式...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，冯磊，黄本霞，高峻，洪业杰，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：