一种晶片承载盘制造技术

本实用新型专利技术属于半导体设备领域，尤其涉及一种晶片承载盘，所述晶片承载盘至少包括第一承载盘、第二承载盘和支撑结构，所述第一承载盘上具有多个放置晶片的凹槽，所述支撑结构位于第一承载盘和第二承载盘之间。本实用新型专利技术的支撑结构，可以增加石墨盘的韧性，防止石墨盘在使用时发生崩裂的现象，尤其是当石墨载盘受到局部温差以及撞击的情况下，可有效减小局部应力，降低破碎的概率。降低破碎的概率。降低破碎的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片承载盘


[0001]本技术属于半导体设备领域，尤其涉及一种外延生长使用的晶片承载盘。

技术介绍

[0002]发光二极管（英文为Light Emitting Diode，简称LED）是一种固态半导体二极管发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域发。现阶段制取LED晶圆片的方法主要是通过金属有机化合物化学气相沉淀（英文为Metal
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organic Chemical Vapor Deposition ，简称MOCVD）实现，可以简述其流程如下：将外延晶圆衬底（如蓝宝石衬底/Si衬底）放入石墨承载盘（Wafer carrier）的凹槽上，将其石墨承载盘一起传入MOCVD 反应室内，通过将反应室温度加热到设定好的温度，并配合通入有机金属化合物和五族气体，使它们在晶圆衬底上断开化学键并重新聚合形成LED外延层。
[0003]目前在LED发光二极管外延（Epitaxy）晶圆制程过程中，晶圆片放入石墨承载盘上方，由于在外延生长过程中晶圆片是依赖下方的石墨承载盘传递的温度变化进行磊晶，但是由于系统或者加热丝或者认为温度设定异常或者石墨盘本身问题，再外延磊晶过程中出现局部温度过高或者过低很容易出现裂盘的问题，同时由于MOCVD工作中的转速通常在600~1200转/分钟，一般出现裂盘后，残片都会砸向腔体的各位位置造成破坏。

技术实现思路

[0004]为解决上述因局部温度不均匀而导致裂盘的技术问题，本技术提供一种晶片承载盘，尤其是一种外延生长使用的石墨盘，改善石墨盘崩盘的问题。
>[0005]一种晶片承载盘，其特征在于，所述晶片承载盘至少包括第一承载盘、第二承载盘和支撑结构，所述第一承载盘上具有多个放置晶片的凹槽，所述支撑结构夹置于第一承载盘和第二承载盘之间。
[0006]其中，所述支撑结构包括多个支撑条，所述多个支撑条平行分布或者交叉分布。所述多个支撑条包括沿与第一承载盘或第二承载盘的表面平行的第一方向延伸的第一支撑条以及与第一支撑条交叉的第二支撑条，所述第一支撑条平行分布，第二支撑条平行分布，第一支撑条与第二支撑条交叉，所述第一支撑条与第二支撑条垂直或者不垂直。
[0007]优选的，所述第一承载盘为第一石墨盘，第二承载盘为第二石墨盘。更优选的，所述第一石墨盘的表面还具有碳化硅层。
[0008]优选的，所述第一承载盘与第二承载盘的外周边缘处结合并封闭，使支撑结构位于晶片承载盘的内部。更优选的，所述支撑结构占第二承载盘的表面面积的80%以上。
[0009]本技术的晶片承载盘，将传统的石墨盘分为位于上部的第一承载盘和位于下部的第二承载盘，并在两个承载盘之间增加支撑结构，尤其是条状或者网状的支撑结构，可以增加石墨盘的韧性，防止石墨盘在使用时发生崩裂的现象，尤其是当石墨载盘受到局部温差以及撞击的情况下，可有效减小局部应力，降低破碎的概率。
附图说明
[0010]图1为本技术之晶片承载盘的俯视结构示意图。
[0011]图2为本技术之其一实施例的晶片承载盘的线A
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A截面结构示意图。
[0012]图3为本技术之其一实施例的支撑结构俯视图。
[0013]图4为本技术之其一实施例的支撑结构俯视图。
[0014]图5为本技术之其一实施例的支撑结构俯视图。
[0015]图6为本技术之其一实施例的支撑结构俯视图。
具体实施方式
[0016]下面将结合示意图对本技术进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。
[0017]参看附图1和2，本技术提供的一种晶片承载盘至少包括第一承载盘1、第二承载盘2和支撑结构3，第一承载盘1上具有多个放置晶片的凹槽4，支撑结构3夹置于第一承载盘1和第二承载盘2之间。其中，支撑结构3包括多个支撑条30，多个支撑条30平行分布或者交叉分布。
[0018]参看附图3和4，在其中一个实施例中，多个支撑条30平行分布，形成条状支撑结构3。具体地，多个支撑条30沿与沿与第一承载盘1或第二承载盘2的表面平行的第一方向延伸。多个支撑条30可以横向平行分布（如图3所示），或者纵向平行分布（如图4所示）。
[0019]参看附图5和6，在另一实施例中，多个支撑条30交叉分布。多个支撑条30包括沿与第一承载盘1或第二承载盘2的表面平行的第一方向延伸的第一支撑条301以及与第一支撑条301交叉的第二支撑条302。其中，第一支撑条301平行分布，第二支撑条302平行分布，第一支撑条301与第二支撑条302交叉，进一步地，第一支撑条301与第二支撑条302垂直或者不垂直，形成网格状支撑结构。本实施例中，参看附图5，第一支撑条301与第二支撑条302垂直分布，形成方格状支撑结构3。在其他实施例中，参看附图6，第一支撑条301和第二支撑条302也可以不垂直，形成网格状支撑结构3，每一个网格呈平行四边形或者菱形。对此，本技术不作特别限制，支撑结构3只要能起到本技术所达到的起到支撑作用以及防止承载盘崩盘或者破碎的作用，即可根据实际生产成本以及工艺需求进行设计。
[0020]继续参看附图2，第一承载盘1和第二承载盘2的材质和尺寸可以相同，也可以不同。例如，第一承载盘1为石墨盘，第二承载盘2为石墨盘；或者，第一承载盘1为石墨盘，第二承载盘2为碳化硅盘；或者，第一承载盘1为碳化硅盘，第二承载盘2为石墨盘。第一承载盘1的厚度可以大于、等于或者小于第二承载盘2的厚度。本实施例中，第一承载盘1和第二承载盘2为厚度相同的石墨盘，即第一承载盘1为第一石墨盘，第二承载盘2为第二石墨盘。其中，第一石墨盘的表面还可以具有碳化硅层，用于保护石墨盘的表面，减弱被使用时的刻蚀程度，延长石墨盘的使用寿命。
[0021]第一承载盘1与第二承载盘2的外周边缘处结合并封闭，使支撑结构3位于晶片承载盘的内部。并且支撑结构3占第二承载盘2的表面面积的80%以上。如此，该支撑结构3可以起到较好的支撑作用。
[0022]上述的晶片承载盘可以应用在晶片的MOCVD法工艺生长、CVD法工艺生长等设备中使用，用于盛放晶片。例如，当该承载盘作为石墨盘应用在MOCVD设备中使用时，由于晶片的MOCVD工艺需要较高的生长温度，因此，支撑结构3为耐高温的材料制成，例如耐高温的金属材料制成。
[0023]从承载盘的截面图上看，支撑结构3可以位于承载盘的中间位置，也可以位于更靠近第一承载盘1的位置，或者位于更靠近第二承载盘2的位置。本实施中，将支撑结构3设置在更靠近第一承载盘1的位置，此时，第一承载盘1上的凹槽4的底部与支撑结构3的距离较小，金属材料的支撑结构3还可以起到加快散热的效果。
[0024]第一承载盘1上的凹槽4的尺寸可以是2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸、16英寸等不同尺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片承载盘，其特征在于，所述晶片承载盘至少包括第一承载盘、第二承载盘和支撑结构，所述第一承载盘上具有多个放置晶片的凹槽，所述支撑结构夹置于第一承载盘和第二承载盘之间。2.根据权利要求1所述的一种晶片承载盘，其特征在于：所述支撑结构包括多个支撑条。3.根据权利要求2所述的一种晶片承载盘，其特征在于：所述多个支撑条平行分布或者交叉分布。4.根据权利要求3所述的一种晶片承载盘，其特征在于：所述多个支撑条包括沿与第一承载盘或第二承载盘的表面平行的第一方向延伸的第一支撑条以及与第一支撑条交叉的第二支撑条。5.根据权利要求4所述的一种晶片承载盘，其特征在于：所述第一支撑条平行分布，第二支撑条平行分布，第一支撑条与第二支撑条交叉...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑜，钱承红，冷晶，张志刚，朱耀华，李政鸿，林兓兓，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：