【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率MOS管晶圆装载基板
[0001]本技术涉及半导体
,特别是一种半导体功率MOS管晶圆装载基板。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,MOS管在加工生产时,其晶圆作为MOS管与PCB板间的串联配件;
[0003]同时由于载流子是半导体材料及器件的功能载体,载流子移动形成电流及电场,即载流子具有发光、热辐射等特性,在PCB板导电状态下,晶圆、PCB板与MOS管之间易堆积较高的热量,传统晶圆装配方式通常采用电焊,高温工作环境易影响晶圆的热稳定性。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是,针对上述问题,提供一种半导体功率MOS管晶圆装载基板,包括装载座、安装板座与装载结构,所述安装板座设置于装载座底面,所述装载结构设置于装载座上端;
[0005]所述装载座上端开口设置有装载孔,所述装载孔内侧底端嵌接设置有芯板,所述芯板底面与安装板座之间贯穿设置有导体盘;
[0006]所述装载结构插接设置于装载孔中,所述装载结构包括扣合头与压板,所述压板与扣合头底面嵌 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体功率MOS管晶圆装载基板,包括装载座(1)、安装板座(2)与装载结构,所述安装板座(2)设置于装载座(1)底面,所述装载结构设置于装载座(1)上端,其特征在于:所述装载座(1)上端开口设置有装载孔(3),所述装载孔(3)内侧底端嵌接设置有芯板(5),所述芯板(5)底面与安装板座(2)之间贯穿设置有导体盘(9);所述装载结构插接设置于装载孔(3)中,所述装载结构包括扣合头(4)与压板(12),所述压板(12)与扣合头(4)底面嵌接,所述扣合头(4)外侧左右两端均开槽设置有窗槽(7)。2.根据权利要求1所述的一种半导体功率MOS管晶圆装载基板,其特征在于:所述装载座(1)与安装板座(2)连接处四边角均固定有架板件(6),所述架板件(6)与装载座(1)连接处内侧插接有铜圈(10)。3.根据权利要求1所述的一种半导体功率MO...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤虎,
申请(专利权)人:苏州万达电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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