一种半导体功率MOS管晶圆装载基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体功率MOS管晶圆装载基板，属于半导体技术领域；包括装载座、安装板座与装载结构，安装板座设置于装载座底面，装载结构设置于装载座上端；装载座上端开口设置有装载孔，装载孔内侧底端嵌接设置有芯板，芯板底面与安装板座之间贯穿设置有导体盘；装载结构插接设置于装载孔中，装载结构包括扣合头与压板，压板与扣合头底面嵌接，扣合头外侧左右两端均开槽设置有窗槽，装载座与安装板座连接处四边角均固定有架板件，架板件与装载座连接处内侧插接有铜圈，装载孔内侧中部环形填充有一圈隙孔槽板框，该种装载基板在保证晶圆装配稳定性的同时，通过双向的散热装配结构保证了晶圆通电状态下的热稳定性。结构保证了晶圆通电状态下的热稳定性。结构保证了晶圆通电状态下的热稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率MOS管晶圆装载基板


[0001]本技术涉及半导体
，特别是一种半导体功率MOS管晶圆装载基板。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，MOS管在加工生产时，其晶圆作为MOS管与PCB板间的串联配件；
[0003]同时由于载流子是半导体材料及器件的功能载体，载流子移动形成电流及电场，即载流子具有发光、热辐射等特性，在PCB板导电状态下，晶圆、PCB板与MOS管之间易堆积较高的热量，传统晶圆装配方式通常采用电焊，高温工作环境易影响晶圆的热稳定性。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是，针对上述问题，提供一种半导体功率MOS管晶圆装载基板，包括装载座、安装板座与装载结构，所述安装板座设置于装载座底面，所述装载结构设置于装载座上端；
[0005]所述装载座上端开口设置有装载孔，所述装载孔内侧底端嵌接设置有芯板，所述芯板底面与安装板座之间贯穿设置有导体盘；
[0006]所述装载结构插接设置于装载孔中，所述装载结构包括扣合头与压板，所述压板与扣合头底面嵌接，所述扣合头外侧左右两端均开槽设置有窗槽。
[0007]进一步的，所述装载座与安装板座连接处四边角均固定有架板件，所述架板件与装载座连接处内侧插接有铜圈。
[0008]进一步的，所述装载孔内侧中部环形填充有一圈隙孔槽板框。
[0009]进一步的，所述芯板为金属引脚焊盘，所述芯板表面设置有若干个引脚焊点。
[0010]进一步的，所述扣合头顶端设置有嵌片，所述嵌片与压板均为合金铝片。
[0011]进一步的，所述扣合头内侧设置有导热块，所述导热块上端与所述嵌片底面紧密贴合。
[0012]进一步的，所述导热块下端外侧环形分布有若干个连接脚板，所述连接脚板与压板内侧顶端焊接。
[0013]由于采用上述技术方案，本技术具有以下有益效果：
[0014]本方案中的一种半导体功率MOS管晶圆装载基板，该装载基板在晶圆焊装方式基础上，通过装载座与安装板座之间设置的芯板与导体盘，来作为晶圆的焊接导通端，并通过将扣合头插入装载孔的方式来进一步压合晶圆，对晶圆与装载座连接端进行封装，保证了晶圆与该装载基板的整体装配强度，同时，在通电过程中，该装载基板可通过扣合头中上下设置的压板、导热块与嵌片，以及装载座中设置的隙孔槽板框、铜圈，对整个装载基板进行导热、散热，进而保证晶圆在通电状态下的热稳定性。
附图说明
[0015]图1是本技术整体结构示意图。
[0016]图2是本技术内部结构示意图。
[0017]图3是本技术扣合头内部结构示意图。
[0018]附图中，1
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装载座、2
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安装板座、3
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装载孔、4
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扣合头、5
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芯板、6
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架板件、7
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窗槽、8
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嵌片、9
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导体盘、10
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铜圈、11
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隙孔槽板框、12
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压板、13
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导热块、14
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连接脚板。
具体实施方式
[0019]结合图1
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图3，本技术公开了一种半导体功率MOS管晶圆装载基板，包括装载座1、安装板座2与装载结构，安装板座2设置于装载座1底面，装载结构设置于装载座1上端；
[0020]装载座1上端开口设置有装载孔3，装载孔3内侧底端嵌接设置有芯板5，芯板5底面与安装板座2之间贯穿设置有导体盘9；
[0021]装载座1与安装板座2连接处四边角均固定有架板件6，架板件6与装载座1连接处内侧插接有铜圈10；
[0022]架板件6在进一步固定装载座1与安装板座2的同时，能通过内侧铜圈10金属特性，将装载座1内侧部分热量导出至架板件6外侧；
[0023]装载结构插接设置于装载孔3中，装载结构包括扣合头4与压板12，压板12与扣合头4底面嵌接，扣合头4外侧左右两端均开槽设置有窗槽7；
[0024]芯板5为金属引脚焊盘，芯板5表面设置有若干个引脚焊点，引脚焊点作为芯板5与晶圆焊面之间的电连接点；
[0025]扣合头4顶端设置有嵌片8，嵌片8与压板12均为合金铝片，扣合头4内侧设置有导热块13，导热块13上端与嵌片8底面紧密贴合，导热块13下端外侧环形分布有若干个连接脚板14，连接脚板14与压板12内侧顶端焊接；
[0026]晶圆具体通过焊装的方式，将晶圆焊面插入装载孔3中，并与芯板5顶面的引脚焊点进行焊接连通，此时晶圆将通过芯板5与导体盘9连通，该装载基板通过安装板座2底面作为与PCB板的焊接面，其中导体盘9将与PCB板线路连通；
[0027]装载孔3内侧中部环形填充有一圈隙孔槽板框11；
[0028]在晶圆通电状态下，产生的热量，部分由装载孔3与隙孔槽板框11之间缝隙引导至隙孔槽板框11内侧，并由装载座1接收，部分热量将透过晶圆表面传导至压板12，再依次由压板12、连接脚板14、导热块13、嵌片8与窗槽7，将热量导向整个扣合头4外侧，通过该种散热的处理结构，以扣合头4的扣合保证晶圆装载稳定的同时，保证了该装载基板整体的散热效率与晶圆工作时的热稳定性，提高了该装载基板的实用性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率MOS管晶圆装载基板，包括装载座(1)、安装板座(2)与装载结构，所述安装板座(2)设置于装载座(1)底面，所述装载结构设置于装载座(1)上端，其特征在于：所述装载座(1)上端开口设置有装载孔(3)，所述装载孔(3)内侧底端嵌接设置有芯板(5)，所述芯板(5)底面与安装板座(2)之间贯穿设置有导体盘(9)；所述装载结构插接设置于装载孔(3)中，所述装载结构包括扣合头(4)与压板(12)，所述压板(12)与扣合头(4)底面嵌接，所述扣合头(4)外侧左右两端均开槽设置有窗槽(7)。2.根据权利要求1所述的一种半导体功率MOS管晶圆装载基板,其特征在于：所述装载座(1)与安装板座(2)连接处四边角均固定有架板件(6)，所述架板件(6)与装载座(1)连接处内侧插接有铜圈(10)。3.根据权利要求1所述的一种半导体功率MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤虎，
申请(专利权)人：苏州万达电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：