【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于 一 种,争电方丈电^f呆护(electrostatic discharge protection),特别是关于一种应用于大信号电路的静电放电保护电路与方 法。
技术介绍
图1A为一个已知静电放电保护电路的架构图。静电放电保护电路100是 设置于输出电路110输出端,并包含一箝制电路(clamping circuit) 120与 二个串接的二极管(diode) Dpl、 Dnl,同时,输出电路110与箝制电路120都跨 接于第一工作电压Vdd与第二工作电压Vss之间。箝制电路120包含静电放电 单元130以及ESD检测电路140。其中,静电放电单元130由丽0S晶体管 (transistor)L所构成,而ESD检测电路140则由电阻电容d、反向器 Di所组成。当有静电经由输出接点Pa、电压源(V^、 Vss)等灌入输出电路110时,ESD 检测电路140会触发静电放电单元130,使静电放电电流经由静电放电单元 130流出,而不会破坏输出电路110。然而,大信号电路或功率放大器的输出 电压V謝的直流电平通常为Vdd ,在正常操作下,输出信号的振幅可 ...
【技术保护点】
一种静电放电保护电路,用于保护输出电路,该输出电路与该静电放电保护电路均耦接于第一工作电压与第二工作电压之间,包含: 至少三个二极管,该些二极管串联在一起,并耦接于该第一工作电压与该第二工作电压之间; 第一箝制电路,耦接于该第一工作电压与该第二工作电压之间;以及 第二箝制电路,耦接于该第一工作电压与该些二极管所形成的第一节点之间; 其中该第一节点的电压不等于该第一或第二工作电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王柏之,陈家源,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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