【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种射频集成电路，特别是涉及一种2. 4GHz低噪声放大器 电路。
技术介绍
传统的2. 4GHz低噪声放大器电路请参阅图l，射频信号由输入端INPUT 进入低噪声放大器，经过放大晶体管Ml和隔离晶体管M2的隔离放大，由 输出端OUTPUT输出，其中基准电压Vbias为放大晶体管Ml提供稳定的工 作电流以保证放大晶体管Ml正常工作，源电感Ls提供源端退化线性化功 能，漏电感Ld提供负载。低噪声放大器经过精心的设计和匹配，目的在于 在尽量引入最小噪声的情况下对信号实现放大。图1所示的低噪声放大器电路主要由放大晶体管Ml和隔离晶体管M2 级联所组成，其中Ml和M2都是MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)。在集成电 路设计时，MOSFET的性能往往以工艺角(Process Corner)的形式给出。 请参阅图2，工程师把NMOSFET和PM0SFET的速度波动范围限制在由四个角 所确定的矩形内，这四个角分别是FF、 SS、 FS和SF。 FF表示...
【技术保护点】
一种２．４ＧＨｚ低噪声放大器电路，包括主要由放大晶体管和隔离晶体管级联所组成的放大器模块，其特征是：所述电路还包括电流基准模块、电流镜模块和运算放大器以实现抗工艺变化功能，其中： 电流基准模块输出稳定的偏置电流，作为运算放大器的工作电流； 电流镜模块输出稳定的基准电压； 运算放大器将电流镜模块输出的基准电压作为负输入，将放大晶体管的漏极电压作为正输入，将正负输入的电压差经放大后输出作为放大晶体管的栅极电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁志勇，朱红卫，唐成伟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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