精准偏压及充裕伸展空间的射频放大器及其方法技术

本申请涉及精准偏压及充裕伸展空间的射频放大器及其方法。射频接收器的偏压的运行方法包含将第一NMOSFET作为共源放大器；将第二NMOSFET作为层叠于第一NMOSFET之上的叠接元件；输入参考电流至第三NMOSFET的漏极；利用第一运算放大器根据第三NMOSFET的漏极与第四NMOSFET的漏极之间的电压差异，产生第一偏电压以控制第一NMOSFET的栅极、第三NMOSFET的栅极及第四NMOSFET的栅极；将第五NMOSFET层叠于第四NMOSFET之上；及利用第二运算放大器根据参考电压及第四NMOSFET的漏极之间的电压差异，产生第二偏电压以控制第二NMOSFET的栅极及第五NMOSFET的栅极。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及射频(radio frequency，rf)放大器，尤其涉及在工艺电压温度(process、voltage、temperature，pvt)变化下提供有精确偏压及充裕伸展空间(healthyheadroom)的射频放大器及其方法。

技术介绍

1、射频放大器从输入网络接收输出信号，并输出一输出信号至负载网络。在一示范性地工艺中，射频放大器是利用互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，cmos)工艺技术制造于硅基板。射频放大器的相关规格包含增益、反向隔离、频率响应、回波损耗、噪声指数、线性度及功耗。为了提供足够的增益，射频放大器需要具有增益元件，其通常配置为共源放大器结构，且增益元件一般与叠接元件层叠(stackup)，以提升频率响应及反相隔离。增益及线性度在较大程度上取决于增益元件及叠接元件(若适用的情形下)的偏压条件。回波损耗及噪声指数通常取决于阻抗匹配及偏压条件。在功耗及噪声指数之间具有一个取舍(tradeoff)。在任何情形中，偏压条件是一关键因数，会影响大部分(即使并非所有的情形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频放大器，包含：

2.如权利要求1所述的射频放大器，其中该偏压产生网络还包含一补偿电容，耦接该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，以稳定该第一运算放大器。

3.如权利要求1所述的射频放大器，其中该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比是由该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比根据一第一缩放系数缩放而得。

4.如权利要求3所述的射频放大器，其中该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比是由该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比根据一第二缩放系数缩放而得，且该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比是由该第五N型金属氧化...

【技术特征摘要】

1.一种射频放大器，包含：

2.如权利要求1所述的射频放大器，其中该偏压产生网络还包含一补偿电容，耦接该第三n型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，以稳定该第一运算放大器。

3.如权利要求1所述的射频放大器，其中该第四n型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比是由该第三n型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比根据一第一缩放系数缩放而得。

4.如权利要求3所述的射频放大器，其中该第一n型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比是由该第四n型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比根据一第二缩放系数缩放而得，且该第二n型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比是由该第五n型金属氧化物半导体场效晶体管的宽长比根据该第二缩放系数缩放而得。

5.如权利要求1所述的射频放大器，还包含一交流耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾哈迈德·寇尔德，林嘉亮，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：