【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种偏转扫描放大器,特别地涉及离子注入工艺中所用的大倾角离子注入机用偏转扫描放大器,属于半导体制造领域。
技术介绍
现有半导体集成电路制造技术中,随着半导体集成电路技术的发展,集成度越来越高,代工的晶圆尺寸越来越大,从6英寸到8英寸,甚至12英寸,电路中单元器件尺寸越来越小,对各半导体工艺设备的自动化提出了更高的要求。离子注入机作为半导体离子掺杂工艺线的关键设备之一,也提出了更高的要求,当代工的晶圆尺寸达到8英寸或12英寸时,为了满足晶片的均匀性和重复性要求,对偏转扫描电源提出了更高的要求,特别是偏转扫描电源的输出电压的幅度高达几万伏,而且电压上升的速率要求根据检测到的均匀性进行调节,因而对扫描偏转电源的要求已经不仅仅是目前常用的高压线性三角波发生器所能实现的,而需要一种能够达到3KHZ信号且性能稳定的高压放大器,然而目前国内对此类产品的研发均属于起步阶段,还没有性能相对稳定、能用于大倾角离子注入机的偏转扫描放大器产品。
技术实现思路
本技术即是针对上述现有技术的现状而提出的一种偏转扫描放大器,该放大器。本技术通过以下技术方案来实现一种偏转扫描放大器,包括 ...
【技术保护点】
一种偏转扫描放大器,包括:比较放大器、放大器高压输出级、直流高压放大器,其特征在于:所述的直流高压放大器为放大器高压输出级提供直流偏置电压;所述的比较放大器的输出端和放大器高压输出级的输入端之间设置光耦;在放大器的输出与比较放大器之间设置一个输出高压信号取样电路,构成反馈电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:易文杰,郭建辉,龙会跃,许波涛,彭立波,孙雪平,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
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